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Marktgröße, Anteil, Wachstum und Branchenanalyse von GaN- und AIN-Materialien, nach Typ (Einkristall-GaN-Substrat und Einkristall-AIN-Substrat), nach Anwendung (HF-Gerät, Leistungselektronik, MicroLED, UV-LED, Hochhelligkeits-LED und GaN-Laser), regionale Prognose von 2026 bis 2035
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GAN- UND AIN-MATERIALIEN-MARKTÜBERSICHT
Der globale Markt für GaN- und AIN-Materialien wird im Jahr 2026 auf 0,42 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2035 0,84 Milliarden US-Dollar erreichen. Von 2026 bis 2035 wächst er mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von rund 7,9 %.
Ich benötige die vollständigen Datentabellen, Segmentaufteilungen und die Wettbewerbslandschaft für eine detaillierte regionale Analyse und Umsatzschätzungen.
Kostenloses Muster herunterladenDie globale COVID-19-Pandemie war beispiellos und erschütternd, da der Markt im Vergleich zum Niveau vor der Pandemie in allen Regionen eine über den Erwartungen liegende Nachfrage verzeichnete. Der plötzliche Anstieg der CAGR ist auf das Wachstum des Marktes und die Rückkehr der Nachfrage auf das Niveau vor der Pandemie zurückzuführen, sobald die Pandemie vorbei ist.
Die globalen GaN- und AIN-Materialien werden auch als AIGan bezeichnet. GaN steht für Galliumnitrid und AIN für Aluminiumnitrid. Dabei handelt es sich um Halbleitertypen mit großer Bandlücke, die in verschiedenen Anwendungen eingesetzt werden, darunter in der Leistungselektronik, Optoelektronik und Hochfrequenzgeräten. Sie verfügen über einzigartige Eigenschaften, die sie in Anwendungen wie blauen und grünen Leuchtdioden (LEDs), Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMTs) und Ultraviolettdetektoren (UV) nützlich machen. Es hat eine größere Bandlücke als herkömmliche Halbleiter wie Silizium, was bedeutet, dass es bei höheren Temperaturen und höheren Spannungen betrieben werden kann, was es effizienter macht. Die wachsende Zahl von Elektrofahrzeugen treibt den Markt an.
Die Entwicklung des globalen Marktes ist auf den Anstieg der Nachfrage aufgrund der steigenden Nachfrage nach drahtloser Kommunikation zurückzuführen. Dieses Material wird aufgrund seiner hohen Leistungsfähigkeit und hervorragenden thermischen Eigenschaften in Hochfrequenzgeräten wie HF-Verstärkern (Radiofrequenzverstärkern) verwendet. Der steigende Bedarf an drahtloser Kommunikation und der Bedarf an schnelleren Datenübertragungsraten treiben die Nachfrage nach diesem Material in diesem Bereich voran.
AUSWIRKUNGEN VON COVID-19
Die Pandemie führte zu einem Nachfragerückgang aufgrund der Abschwächung der Automobil- und Luft- und Raumfahrtindustrie
Die Auswirkungen der COVID-19-Pandemie sind bereits auf globaler Ebene spürbar, die globalen GaN- und AIN-Materialien wurden erheblich beeinflusst. Der Ausbruch von COVID-19 hatte negative Auswirkungen auf mehrere Märkte. Verschiedene Länder verhängten einen Lockdown. Bei einer plötzlichen Pandemie kam es bei allen Arten von Unternehmen zu Störungen. Die Pandemie hatte auch erhebliche Auswirkungen auf die Halbleiter- und Elektronikbranche. Die Pandemie führte zu einer Verlangsamung in Endverbrauchsindustrien wie der Automobil- und Luft- und Raumfahrtindustrie, was sich auf die Nachfrage nach GaN- und AlN-Materialien auswirkte.
NEUESTE TRENDS
Steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen soll das Marktwachstum ankurbeln
Die Verbreitung von Elektrofahrzeugen nimmt zu und GaN- und AlN-Materialien werden in verschiedenen Komponenten von Elektrofahrzeugen verwendet, beispielsweise in der Leistungselektronik und in Batteriemanagementsystemen. Es wird erwartet, dass sich dieser Trend fortsetzt, da die Nachfrage nach Elektrofahrzeugen steigt.
GAN- UND AIN-MATERIALIEN-MARKTSEGMENTIERUNG
Nach Typ
Je nach Typ ist der globale Markt für GaN- und AIN-Materialien in einkristalline GaN-Substrate und einkristalline AIN-Substrate unterteilt.
Auf Antrag
Je nach Anwendung ist der Markt in HF-Geräte, Leistungselektronik, Micro-LED, UV-LED, High-Brightness-LED und GaN-Laser unterteilt.
FAHRFAKTOREN
Steigende Nachfrage in 5G-Netzwerken und Entwicklung von GaN-basierten Mikro-LEDs zur Förderung der Marktexpansion
5G-Netzwerke erfordern hochleistungsfähige HF-Geräte, und bei der Herstellung dieser Geräte werden GaN- und AlN-Materialien aufgrund ihrer hohen Leistungsfähigkeit und hervorragenden thermischen Eigenschaften verwendet. Da 5G-Netzwerke weiterhin weltweit ausgebaut werden, wird erwartet, dass die Nachfrage nach GaN- und AlN-Materialien steigen wird. Darüber hinaus handelt es sich bei Mikro-LEDs um eine neue Art von Display-Technologie, die herkömmliche LCD- und OLED-Displays voraussichtlich ersetzen wird. GaN-basierte Mikro-LEDs bieten mehrere Vorteile, wie etwa höhere Helligkeit und Effizienz, und werden für den Einsatz in Anwendungen wie Smartphones und Smartwatches entwickelt.
Zunehmender Einsatz in der UV-C-LED-Desinfektion, um dem Markt verschiedene Wachstumschancen zu bieten
Die UV-C-LED-Desinfektion wird als Methode zur Desinfektion von Oberflächen und Luft immer beliebter. GaN- und AlN-Materialien werden aufgrund ihrer hohen Effizienz und Stabilität bei der Herstellung von UV-C-LEDs verwendet, und dieser Trend wird sich voraussichtlich fortsetzen, da die Nachfrage nach UV-C-Desinfektion steigt. Es wird erwartet, dass diese Faktoren das Wachstum des Marktes für GaN- und AIN-Materialien fördern werden.
EINHALTUNGSFAKTOR
Höhere Effizienz alternativer Produkte behindert den Marktfortschritt
SiC bietet eine überragende Energieeffizienz und erweiterte Leistungsbelastbarkeit für verschiedene Leistungsfunktionen, einschließlich Leistungsgleichrichtung, Leistungsfaktorkorrektur, Leistungsverstärkung und Leistungsübertragung. SiC ist das perfekte Ersatzmaterial für Silizium für Hochspannungsanwendungen, da es fortschrittliche Eigenschaften wie Energieeffizienz bei hohen Spannungen, hohe Zuverlässigkeit und Flexibilität bei der Leistungsreduzierung, Leistungsfaktorkorrektur und Leistungsanwendung bietet und reines Silizium um mehrere Ligen übertrifft. SiC erweist sich als bessere Option für Hochspannungs-Leistungshalbleiterbauelemente.
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GAN UND AIN MATERIALS MARKT REGIONALE EINBLICKE
Der asiatisch-pazifische Raum wird aufgrund der schnellen Einführung technologischer Fortschritte den Markt dominieren
Der asiatisch-pazifische Raum dürfte im Prognosezeitraum die am schnellsten wachsende Region im Gesamtmarkt sein, da der schnelle technologische Fortschritt zu einer erhöhten Nachfrage nach leistungsstarken und effizienten Hochfrequenzkomponenten führt. Länder wie China und Japan in der Region gehören zu den größten Herstellern von Unterhaltungselektronik, darunter LED-Anzeigegeräte, Smartphones und Spielekonsolen. Dies ist ein Schlüsselfaktor für das Wachstum des regionalen Marktes. Die Entwicklung der Telekommunikationsinfrastruktur und der deutliche Anstieg der Nutzung drahtloser elektronischer Geräte im asiatisch-pazifischen Raum treiben die Expansion des Marktes weiter voran.
Nordamerika dürfte den zweitgrößten Marktanteil halten. Die steigenden Investitionen der Verteidigungs- und Luft- und Raumfahrtindustrie in Forschung und Entwicklung befeuern das Marktwachstum in der Region. Darüber hinaus wird erwartet, dass die Finanzierung von Halbleiterunternehmen durch staatliche Stellen den Markt in der Region ankurbeln wird. Beispielsweise haben die US-Gesetzgeber im Juni 2020 einen Gesetzentwurf eingebracht, um Halbleiterhersteller stärker zu unterstützen. Der Gesetzentwurf zielte darauf ab, den Bau von Chipfabriken in den USA voranzutreiben.
WICHTIGSTE INDUSTRIE-AKTEURE
Marktteilnehmer konzentrieren sich auf Fusionen und Kooperationen, um auf dem Markt zu wachsen
Der Bericht liefert Informationen über die Liste der Marktteilnehmer und ihre Aktivitäten in der Branche. Die Informationen werden durch geeignete Forschung, technologische Entwicklungen, Übernahmen, Fusionen, Erweiterungen von Produktionslinien und Partnerschaften gesammelt und gemeldet. Weitere für diesen Markt untersuchte Aspekte umfassen Unternehmen, die neue Produkte herstellen und einführen, Regionen, in denen sie tätig sind, Automatisierung, Technologieeinführung, die Erzielung des höchsten Umsatzes und die Möglichkeit, mit ihren Produkten einen Unterschied zu machen.
Liste der führenden Unternehmen für GaN- und AIN-Materialien
- Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Osaka, Japan)
- Sumitomo Chemical (Japan)
- Mitsubishi Chemical (Japan)
- Kyma Technologies (U.S.)
- HexaTech (U.S.)
- Sino NitrideSemiconductor (China)
- Suzhou Nanowin Science and Technology Co.,Ltd (China)
- Ultratrend Technologies Co., Ltd. (China)
BERICHTSBEREICH
Dieser Bericht untersucht das Verständnis der Größe, des Anteils, der Wachstumsrate, der Segmentierung nach Typ, der Anwendung, der Hauptakteure sowie früherer und aktueller Marktszenarien des globalen Marktes für GaN- und AIN-Materialien. Der Bericht sammelt außerdem genaue Marktdaten und Prognosen von Marktexperten. Darüber hinaus wird die Untersuchung der Finanzleistung, der Investitionen, des Wachstums, der Innovationsmarken und der Einführung neuer Produkte dieser Branche durch die Top-Unternehmen beschrieben und bietet tiefe Einblicke in die aktuelle Marktstruktur, Wettbewerbsanalysen auf der Grundlage der Hauptakteure, Hauptantriebskräfte und Beschränkungen, die sich auf die Nachfrage nach Wachstum, Chancen und Risiken auswirken.
Darüber hinaus werden in dem Bericht auch die Auswirkungen der Post-COVID-19-Pandemie auf internationale Marktbeschränkungen und ein tiefes Verständnis dafür, wie sich die Branche erholen wird, und Strategien dargelegt. Auch die Wettbewerbslandschaft wurde eingehend untersucht, um Klarheit über die Wettbewerbslandschaft zu schaffen.
Dieser Bericht legt auch die Forschung offen, die auf Methoden basiert, die die Preistrendanalyse von Zielunternehmen, die Sammlung von Daten, Statistiken, Zielkonkurrenten, Import-Export, Informationen und die Aufzeichnungen früherer Jahre auf der Grundlage von Marktverkäufen definieren. Darüber hinaus wurden alle wichtigen Faktoren, die den Markt beeinflussen, wie z. B. kleine und mittlere Unternehmen, makroökonomische Indikatoren, Wertschöpfungskettenanalyse und nachfrageseitige Dynamik, mit allen wichtigen Wirtschaftsakteuren ausführlich erläutert. Diese Analyse kann geändert werden, wenn sich die Hauptakteure und die mögliche Analyse der Marktdynamik ändern.
| Attribute | Details |
|---|---|
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Marktgröße in |
US$ 0.42 Billion in 2026 |
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Marktgröße nach |
US$ 0.84 Billion nach 2035 |
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Wachstumsrate |
CAGR von 7.9% von 2026 to 2035 |
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Prognosezeitraum |
2026 - 2035 |
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Basisjahr |
2025 |
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Verfügbare historische Daten |
Ja |
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Regionale Abdeckung |
Global |
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Abgedeckte Segmente |
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Nach Typ
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Auf Antrag
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FAQs
Der Markt für GaN- und AIN-Materialien wird bis 2035 voraussichtlich 0,84 Milliarden US-Dollar erreichen.
Es wird erwartet, dass der Markt für GaN- und AIN-Materialien im Jahr 2035 eine jährliche Wachstumsrate von 7,9 % aufweisen wird.
Steigende Nachfrage in 5G-Netzen, UV-C-LED-Desinfektion und Entwicklung von GaN-basierten Mikro-LEDs.
Ultratrend Technologies Co., Ltd., Sumitomo Electric Industries, Ltd., Sumitomo Chemical, Mitsubishi Chemical, Kyma Technologies, HexaTech, Sino NitrideSemiconductor und Suzhou Nanowin Science and Technology Co.,Ltd. sind die führenden Unternehmen auf dem Markt für GaN- und AIN-Materialien.