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Marktgröße, Anteil, Wachstum und Branchenanalyse für integrierte Gate-kommutierte Thyristoren (IGCT), nach Typ (asymmetrischer IGCT, rückwärts blockierender IGCT, rückwärts leitender IGCT, integrierter Gate-kommutierter Thyristor (IGCT)), nach Anwendung (Antrieb, Traktion, Wandler und andere), regionale Einblicke und Prognose von 2026 bis 2035
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ÜBERBLICK ÜBER DEN INTEGRIERTEN GATE-KOMMUTIERTEN THYRISTOR (IGCT).
Der weltweite Markt für integrierte Gate-kommutierte Thyristoren (IGCT) wird im Jahr 2026 voraussichtlich 0,02 Milliarden US-Dollar wert sein und bis 2035 voraussichtlich 0,03 Milliarden US-Dollar erreichen, bei einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 4,8 % im Prognosezeitraum 2026 bis 2035.
Ich benötige die vollständigen Datentabellen, Segmentaufteilungen und die Wettbewerbslandschaft für eine detaillierte regionale Analyse und Umsatzschätzungen.
Kostenloses Muster herunterladenEin integrierter Gate-kommutierter Thyristor (IGCT) ist eine Art Leistungshalbleiterbauelement, das mithilfe eines Gate-Signals elektrischen Strom ein- und ausschalten kann. Er ähnelt einem Gate-Turn-Off-Thyristor (GTO), verfügt jedoch über eine schnellere Schaltgeschwindigkeit und einen geringeren Leitungsverlust.
Es wird für verschiedene industrielle Anwendungen verwendet, die eine Hochspannungs-, Hochstrom- und Hochfrequenzsteuerung erfordern, wie z. B. Motorantriebe, Leistungsübertragung und Leistungsumwandlung12. Ein IGCT besteht aus drei Schichten abwechselnder Halbleitermaterialien vom P- und N-Typ, die eine P-N-P- oder N-P-N-Struktur bilden.
AUSWIRKUNGEN VON COVID-19
Die Pandemie verringerte die Marktnachfrage aufgrund der gestörten Weltwirtschaft
Die globale COVID-19-Pandemie war beispiellos und erschütternd, da der Markt für integrierte Gate-Commutated-Thyristoren (IGCT) im Vergleich zum Niveau vor der Pandemie in allen Regionen eine geringere Nachfrage als erwartet verzeichnete. Der plötzliche Anstieg der CAGR ist auf das Wachstum des Marktes und die Rückkehr der Nachfrage auf das Niveau vor der Pandemie zurückzuführen, sobald die Pandemie vorbei ist.
Die COVID-19-Pandemie hatte erhebliche Auswirkungen auf den Marktanteil von integrierten Gate-kommutierten Thyristoren (IGCT). Die COVID-19-Pandemie hat die Weltwirtschaft durcheinander gebracht und viele Branchen beeinträchtigt, darunter auch den IGCT-Markt. Die von verschiedenen Regierungen verhängten Lockdown-Maßnahmen haben zu einem Rückgang der Industrieaktivitäten, einer geringeren Stromnachfrage und Unterbrechungen der Lieferkette geführt. Diese Faktoren haben sich in den Jahren 2020 und 2021 negativ auf die Produktion und den Verbrauch von IGCTs ausgewirkt. Darüber hinaus hat die Pandemie auch einige Projekte und Investitionen im Zusammenhang mit erneuerbaren Energiequellen, Hybridfahrzeugen und Stromnetzinfrastruktur verzögert, die potenzielle Anwendungen für IGCTs sind. Es wird jedoch erwartet, dass sich der IGCT-Markt allmählich erholt, da sich die Situation verbessert und die Nachfrage nach Leistungselektronik steigt.
NEUESTE TRENDS
Die Hochleistungstechnologieplattform von ABB soll das Marktwachstum ankurbeln
Einer der jüngsten Trends auf dem IGCT-Markt ist die Entwicklung einer Hochleistungstechnologieplattform (HPT) durch ABB, einem führenden Anbieter von Energie- und Automatisierungstechnologien. Die HPT-Plattform ist eine modulare und skalierbare Lösung für Hochleistungsanwendungen mit integriertem Gate-Commutated-Thyristor (IGCT). Die HPT-Plattform bietet verbesserte Leistung, Zuverlässigkeit und Flexibilität für verschiedene Anwendungen wie HGÜ-Übertragung, STATCOM, SVC und FACTS. Die HPT-Plattform besteht aus vier Hauptkomponenten: dem IGCT-Modul, der Gate-Einheit, dem Snubber-Modul und dem Kühlsystem. Das IGCT-Modul ist die Kernkomponente, die das IGCT-Gerät (Integrated Gate Commutated Thyristor), die Gate-Ansteuerschaltung und die Schutzschaltung enthält. Die Gate-Einheit ist die Schnittstelle zwischen dem IGCT-Modul und dem Steuerungssystem. Das Snubber-Modul ist der Hilfsschaltkreis, der die Spannungs- und Strombelastungen des IGCT-Geräts während des Schaltens reduziert. Das Kühlsystem ist das Wärmeableitungssystem, das die optimale Temperatur des IGCT-Geräts (Integrated Gate Commutated Thyristor) aufrechterhält. Die HPT-Plattform kann entsprechend den Anforderungen und Spezifikationen des Kunden angepasst werden. Die HPT-Plattform kann auch in andere ABB-Produkte wie Transformatoren, Drosseln, Kondensatoren und Filter integriert werden, um eine vollständige leistungselektronische Lösung bereitzustellen.
Marktsegmentierung für integrierte Gate-kommutierte Thyristoren (IGCT).
Nach Typ
Je nach Typ kann der Markt in asymmetrische IGCT, rückwärts blockierende IGCT, rückwärts leitende IGCT und integrierte gatterkommutierte Thyristoren (IGCT) unterteilt werden.
Auf Antrag
Basierend auf dem Alter kann der Markt in Antrieb, Traktion, Konverter und andere unterteilt werden.
FAHRFAKTOREN
Zunehmender Einsatz von Leistungselektronik in erneuerbaren Energiequellenum das Marktwachstum zu fördern
Einer der treibenden Faktoren für den IGCT-Markt ist der zunehmende Einsatz von Leistungselektronik in erneuerbaren Energiequellen wie Wind, Sonne, Wasserkraft und Biomasse. Leistungselektronik ist unerlässlich, um die variable und intermittierende Leistung erneuerbarer Energiequellen in stabilen und steuerbaren Strom umzuwandeln, der ins Netz eingespeist oder für den lokalen Verbrauch genutzt werden kann. Leistungselektronik ermöglicht auch die Optimierung der Stromqualität, Effizienz und Zuverlässigkeit erneuerbarer Energiesysteme. IGCTs gehören zu den wichtigsten Leistungshalbleiterbauelementen, die zur Stromumwandlung und -steuerung in erneuerbaren Energiequellen eingesetzt werden. Der integrierte torkommutierte Thyristor (IGCT) kann hohe Ströme und Spannungen mit geringen Leitungsverlusten und schnellen Schaltgeschwindigkeiten verarbeiten. IGCTs können auch in rauen Umgebungen betrieben werden und hohen Temperaturen und Drücken standhalten. IGCTs werden häufig in Windkraftanlagen, Solarwechselrichtern, Wasserkraftgeneratoren und Biomassekonvertern eingesetzt, um den Stromfluss zu regulieren und die Leistung dieser Systeme zu verbessern.
Einführung von IGCTs in Hybrid-Elektrofahrzeugenzur Ausweitung des Marktes führen
Ein weiterer treibender Faktor für den IGCT-Markt ist die Einführung von IGCTs in Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEVs), also Fahrzeugen, die einen Verbrennungsmotor mit einem Elektromotor und einer Batterie kombinieren. HEVs bieten gegenüber herkömmlichen Fahrzeugen mehrere Vorteile wie geringeren Kraftstoffverbrauch, geringere Emissionen, höhere Effizienz und bessere Leistung. HEVs benötigen Leistungselektronik, um den Leistungsfluss zwischen Motor, Motor und Batterie zu steuern. Die Leistungselektronik ermöglicht außerdem verschiedene Funktionen wie regeneratives Bremsen, Start-Stopp-System, Drehmomentunterstützung und elektrischen Boost. IGCTs gehören zu den bevorzugten Leistungshalbleiterbauelementen für HEVs, da sie Leitungsverluste und Schaltverluste in HEVs reduzieren können. IGCTs können auch einen bidirektionalen Stromfluss zwischen der Batterie und dem Motor ermöglichen, was die Batterielebensdauer verlängern und die Ladezeit verkürzen kann. Mitsubishi Electric ist einer der führenden Hersteller von Leistungshalbleitern, der einen neuen Typ von rückwärts blockierendem IGCT (RB-IGCT) entwickelt hat, der in HEVs eingesetzt werden kann.
EINHALTENDE FAKTOREN
Sperrige Struktur von Thyristoren behindert das Marktwachstum
Einer der hemmenden Faktoren für den IGCT-Markt ist die sperrige Struktur von Thyristoren, einer Familie von Leistungshalbleiterbauelementen, zu denen auch IGCTs gehören. Thyristoren sind größer und schwerer als andere Leistungshalbleiterbauelemente wie IGBTs und GTOs. Thyristoren erfordern außerdem komplexere Kühlsysteme und Schutzschaltungen als andere Geräte. Diese Faktoren schränken den Anwendungsbereich und die Flexibilität von Thyristoren in einigen Sektoren wie der Unterhaltungselektronik, der Luft- und Raumfahrt sowie der Verteidigung ein.
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REGIONALE EINBLICKE IN DEN INTEGRIERTEN GATE-KOMMUTIERTEN THYRISTOR (IGCT)-MARKT
Der asiatisch-pazifische Raum wird aufgrund der raschen Industrialisierung und Urbanisierung marktführend sein
Die Region Asien-Pazifik weist das höchste Marktwachstum für integrierte Gate-Commutated-Thyristoren (IGCT) auf. Die rasante Industrialisierung und Urbanisierung in Ländern wie China, Indien, Japan und Südkorea haben die Nachfrage nach Leistungselektronik in verschiedenen Sektoren wie Transport, Fertigung und Kommunikation erhöht. Die zunehmende Einführung erneuerbarer Energiequellen wie Wind- und Solarenergie in diesen Ländern erfordert Stromwandler und Wechselrichter mit IGCTs, um eine Verbindung zum Netz herzustellen und die Stromqualität zu optimieren.
WICHTIGSTE INDUSTRIE-AKTEURE
Wichtige Akteure setzen fortschrittliche Technologien ein, um das weitere Wachstum des Marktes anzukurbeln
Alle großen Akteure sind bestrebt, überlegene und fortschrittlichere Dienstleistungen anzubieten, um sich einen Wettbewerbsvorteil auf dem Markt zu verschaffen. Um ihre Marktpräsenz zu erhöhen, nutzen Anbieter verschiedene Techniken, darunter Produkteinführungen, regionales Wachstum, strategische Allianzen, Partnerschaften, Fusionen und Übernahmen.
Liste der führenden Unternehmen für integrierte gatterkommutierte Thyristoren (Igct).
- ABB(Sweden and Switzerland)
- Infineon Technologies(Germany)
- Mitsubishi Electric(Japan)
- Tianjin Century Electronics(China)
- CSR Zhuzhou Institute Co, Ltd. (CRRC)(China)
- General Electric(United States)
- Xiamen Hidins Technology Co. Ltd.(China)
- Jiangyin City Saiying Electron Co. Ltd.(China)
- AmePower(United States)
- Shenzhen CTW Semiconductor Co.(China)
BERICHTSBEREICH
Dieser Bericht untersucht das Verständnis der Größe, des Anteils, der Wachstumsrate, der Segmentierung nach Typ, der Anwendung, der Hauptakteure sowie früherer und aktueller Marktszenarien des Marktes für integrierte Gate-kommutierte Thyristoren (IGCT). Der Bericht sammelt außerdem genaue Marktdaten und Prognosen von Marktexperten. Darüber hinaus wird die Untersuchung der Finanzleistung, der Investitionen, des Wachstums, der Innovationsmarken und der Einführung neuer Produkte dieser Branche durch die Top-Unternehmen beschrieben und bietet tiefe Einblicke in die aktuelle Marktstruktur, Wettbewerbsanalysen auf der Grundlage der Hauptakteure, Hauptantriebskräfte und Beschränkungen, die sich auf die Nachfrage nach Wachstum, Chancen und Risiken auswirken.
Darüber hinaus werden in dem Bericht auch die Auswirkungen der Post-COVID-19-Pandemie auf internationale Marktbeschränkungen und ein tiefes Verständnis dafür, wie sich die Branche erholen wird, und Strategien dargelegt. Auch die Wettbewerbslandschaft wurde eingehend untersucht, um Klarheit über die Wettbewerbslandschaft zu schaffen.
Dieser Bericht legt auch die Forschung offen, die auf Methoden basiert, die die Preistrendanalyse von Zielunternehmen, die Sammlung von Daten, Statistiken, Zielkonkurrenten, Import-Export, Informationen und die Aufzeichnungen früherer Jahre auf der Grundlage von Marktverkäufen definieren. Darüber hinaus wurden alle wichtigen Faktoren, die den Markt beeinflussen, wie z. B. kleine und mittlere Unternehmen, makroökonomische Indikatoren, Wertschöpfungskettenanalyse und nachfrageseitige Dynamik, mit allen wichtigen Wirtschaftsakteuren ausführlich erläutert. Diese Analyse kann geändert werden, wenn sich die Hauptakteure und die mögliche Analyse der Marktdynamik ändern.
| Attribute | Details |
|---|---|
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Marktgröße in |
US$ 0.02 Billion in 2026 |
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Marktgröße nach |
US$ 0.03 Billion nach 2035 |
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Wachstumsrate |
CAGR von 4.8% von 2026 to 2035 |
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Prognosezeitraum |
2026-2035 |
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Basisjahr |
2025 |
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Verfügbare historische Daten |
Ja |
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Regionale Abdeckung |
Global |
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Abgedeckte Segmente |
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Nach Typ
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Auf Antrag
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FAQs
Der weltweite Markt für integrierte Gate-kommutierte Thyristoren (IGCT) wird bis 2035 voraussichtlich 0,03 Milliarden US-Dollar erreichen.
Es wird erwartet, dass der weltweite Markt für integrierte Gate-kommutierte Thyristoren (IGCT) bis 2035 eine jährliche Wachstumsrate von 4,8 % aufweisen wird.
Die treibenden Faktoren des Marktes für integrierte Gate-kommutierte Thyristoren (IGCT) sind der zunehmende Einsatz von Leistungselektronik in erneuerbaren Energiequellen und die Einführung von IGCTS in Hybrid-Elektrofahrzeugen.
Die führenden Unternehmen, die auf dem Markt für integrierte Gate-kommutierte Thyristoren (IGCT) tätig sind, sind ABB, Infineon Technologies, Mitsubishi Electric, Tianjin Century Electronics, CSR Zhuzhou Institute Co, Ltd. (CRRC), General Electric, Xiamen Hidins Technology Co. Ltd., Jiangyin City Saiying Electron Co. Ltd., AmePower, Shenzhen CTW Semiconductor Co.