Marktgröße, Marktanteil, Wachstum und Branchenanalyse für SiC- und GaN-Leistungsgeräte, nach Typ (GaN, SiC), nach Anwendung (Unterhaltungselektronik, Automobil und Transport, industrielle Nutzung, andere), regionale Einblicke und Prognose von 2026 bis 2035

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SIC- UND GAN-STROMGERÄTE MARKTÜBERBLICK

Der weltweite Markt für SIC- und Gan-Stromversorgungsgeräte wird im Jahr 2026 voraussichtlich 4,36 Milliarden US-Dollar wert sein und bis 2035 voraussichtlich 54,74 Milliarden US-Dollar erreichen, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 32,5 % im Prognosezeitraum 2026 bis 2035.

Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) sind zwei Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, die mit ihren überlegenen Leistungseigenschaften die Leistungselektronikindustrie revolutioniert haben. SiC- und GaN-Leistungsgeräte bieten gegenüber herkömmlichen Geräten auf Siliziumbasis mehrere Vorteile, darunter einen höheren Wirkungsgrad, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und höhere Betriebstemperaturen. Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) sind zwei Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, die mit ihren überlegenen Leistungseigenschaften die Leistungselektronikindustrie revolutioniert haben. SiC- und GaN-Leistungsgeräte bieten gegenüber herkömmlichen Geräten auf Siliziumbasis mehrere Vorteile, darunter einen höheren Wirkungsgrad, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und höhere Betriebstemperaturen.

Der Markt für SiC- (Siliziumkarbid) und GaN- (Galliumnitrid) Leistungsgeräte verzeichnet ein erhebliches Wachstum und steht vor einer weiteren Expansion in den kommenden Jahren. Diese Leistungsgeräte bieten im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsgeräten auf Siliziumbasis einen höheren Wirkungsgrad, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und eine bessere Wärmeleitfähigkeit. Der Markt verzeichnet eine zunehmende Akzeptanz in verschiedenen Branchen, darunter in der Automobil-, Unterhaltungselektronik-, Telekommunikations- und Industriebranche.

WICHTIGSTE ERKENNTNISSE

AUSWIRKUNGEN VON COVID-19

Die Pandemie reduziert die Produktionsaktivitäten und behindert das Marktwachstum

Die Covid-19-Pandemie hatte sowohl positive als auch negative Auswirkungen auf den Markt für SiC- und GaN-Leistungsgeräte. Der Markt verzeichnete zunächst einen Nachfragerückgang aufgrund von Störungen in der globalen Lieferkette und reduzierten Produktionsaktivitäten. Als sich die Welt jedoch allmählich von der Pandemie erholte, erholte sich die Nachfrage nach Stromversorgungsgeräten, angetrieben durch die verstärkte Konzentration auf erneuerbare Energien, Elektrofahrzeuge und energieeffiziente Lösungen. Der Bedarf an zuverlässigen und effizienten Stromversorgungsgeräten in kritischen Sektoren wie dem Gesundheitswesen und der Telekommunikation trug ebenfalls zur Erholung des Marktes bei.

NEUESTE TRENDS

Zunehmende Einführung dieser Geräte in Elektrofahrzeugen (EVs), um die Marktentwicklung anzukurbeln

Die Automobilindustrie wandelt sich in Richtung Elektromobilität, angetrieben durch Umweltvorschriften und den Bedarf an nachhaltigen Transportlösungen. SiC- und GaN-Leistungsgeräte bieten eine höhere Effizienz und Leistungsdichte und ermöglichen so größere Reichweiten und schnellere Ladezeiten für Elektrofahrzeuge. Es wird erwartet, dass dieser Trend die Nachfrage nach SiC- und GaN-Leistungsgeräten im Automobilsektor ankurbeln wird.

• Nach Angaben des US-Energieministeriums nutzten im Jahr 2023 über 1,2 Millionen in den USA verkaufte Elektrofahrzeuge SiC- und GaN-Stromversorgungsgeräte für Bordlade- und Wechselrichtersysteme, was einen starken Anstieg gegenüber 580.000 Einheiten im Jahr 2021 darstellt.

• Basierend auf technischen Bewertungen der Internationalen Energieagentur (IEA) wurden im Jahr 2023 in über 60 % der weltweit installierten 5G-Basisstationen GaN-basierte Transistoren eingesetzt, was einen Trend hin zu höherer Effizienz und miniaturisierter Leistungselektronik zeigt.

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SIC- UND GAN-STROMGERÄTE-MARKTSEGMENTIERUNG

Nach Typ

Je nach Typ kann der Markt in GaN und SiC unterteilt werden. GaN ist nach Typanalyse das führende Marktsegment.

Auf Antrag

Je nach Anwendung kann der Markt unterteilt werdenUnterhaltungselektronik, Automobil und Transport, Industrielle Nutzung, Sonstiges. Laut Anwendungsanalyse ist die Unterhaltungselektronik das führende Marktsegment.

FAHRFAKTOREN

Steigende Nachfrage nach Leistungselektronik in Systemen für erneuerbare Energien, um das Marktwachstum voranzutreiben

Der Wandel hin zu erneuerbaren Energiequellen wie Sonne und Wind hat zu einer erheblichen Nachfrage nach effizienten Stromumwandlungs- und Energiespeichersystemen geführt. SiC- und GaN-Leistungsbauelemente ermöglichen eine höhere Effizienz und Leistungsdichte in diesen Systemen, was zu einer verbesserten Energieumwandlung und geringeren Leistungsverlusten führt. Der zunehmende Einsatz von SiC- und GaN-Stromversorgungsgeräten in Anwendungen für erneuerbare Energien wird durch die Notwendigkeit sauberer und nachhaltiger Technologien vorangetriebenStromerzeugung.

Fortschritte in der Unterhaltungselektronik und Telekommunikation treiben die Marktentwicklung voran

Die Unterhaltungselektronikbranche erlebt rasante technologische Fortschritte wie 5G-Konnektivität, Internet der Dinge (IoT) und hochauflösende Displays. Diese Fortschritte erfordern Leistungsgeräte, die höhere Leistungsdichten, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und ein verbessertes Wärmemanagement bewältigen können. SiC- und GaN-Leistungsbauelemente bieten erhebliche Vorteile in Bezug auf Effizienz, Größe und Leistung und eignen sich daher ideal für Anwendungen in der Unterhaltungselektronik und Telekommunikation. Die steigende Nachfrage nach Smartphones, Laptops und anderer Unterhaltungselektronik sowie der Ausbau von 5G-Netzen treiben das Wachstum von SiC- und GaN-Stromversorgungsgeräten in diesem Sektor voran.

• Gemäß der Clean Energy Directive der Europäischen Kommission wurden zwischen 2021 und 2023 über 145 Projekte mit SiC/GaN-basierten Leistungsmodulen für erneuerbare Energien und Smart-Grid-Infrastruktur mit öffentlichen Mitteln gefördert und so die Marktdurchdringung beschleunigt.

• Nach Angaben der Japan Electronics and Information Technology Industries Association (JEITA) weisen SiC-basierte Leistungsmodule über 75 % geringere Schaltverluste auf und können bei Temperaturen über 200 °C betrieben werden, was die Energieeinsparungen in industriellen Anwendungen erheblich verbessert.

EINHALTENDE FAKTOREN

Höhere Kosten im Vergleich zu herkömmlichen Geräten auf Siliziumbasis bremsen das Marktwachstum

Die Herstellungsprozesse für SiC- und GaN-Leistungsbauelemente umfassen komplexe und teure Techniken, was zu höheren Produktionskosten führt. Daher kann die Anfangsinvestition, die für die Einführung von SiC- und GaN-Stromversorgungsgeräten erforderlich ist, für einige Endbenutzer abschreckend sein. Mit zunehmender Reife der Technologie und der Erzielung von Skaleneffekten wird jedoch erwartet, dass die Kosten sinken, wodurch SiC- und GaN-Leistungsgeräte zugänglicher werden.

• Nach Angaben des US-amerikanischen National Renewable Energy Laboratory (NREL) sind die Kosten für die Herstellung von SiC-Wafern fast fünfmal höher als bei Standard-Siliziumwafern, wobei ein 150-mm-SiC-Wafer etwa 1.200 US-Dollar kostet, was die Einführung in kostensensiblen Sektoren behindert.

• Nach Angaben der Semiconductor Industry Association (SIA) gibt es im Jahr 2023 weltweit weniger als 30 Gießereien, die in der Lage sind, GaN-auf-SiC-Geräte in großem Maßstab herzustellen, was zu langen Vorlaufzeiten und Produktionsengpässen führt.

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SIC- UND GAN-STROMGERÄTE MARKTREGIONALE EINBLICKE

Präsenz wichtiger Akteure in Nordamerika zur Unterstützung der Marktentwicklung

Nordamerika hält einen bedeutenden Marktanteil auf dem Markt für SiC- und GaN-Leistungsgeräte. Die Präsenz wichtiger Akteure in der Region, darunter Halbleiterhersteller, Hersteller von Leistungsgeräten uswSystemintegratoren, trägt zum Wachstum des Marktes bei. Diese Akteure engagieren sich aktiv in Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten, um die Leistung und Effizienz von SiC- und GaN-Leistungsgeräten zu verbessern. Technologische Fortschritte in der Leistungselektronik, wie Materialien mit großer Bandlücke und fortschrittliche Verpackungstechniken, haben das Marktwachstum in Nordamerika weiter vorangetrieben. Die zunehmenden Investitionen in erneuerbare Energien und die Infrastruktur für Elektrofahrzeuge in Nordamerika steigern auch die Nachfrage nach SiC- und GaN-Stromversorgungsgeräten. In der Region wird zunehmend Wert auf saubere und nachhaltige Energielösungen gelegt, was zur Integration von SiC- und GaN-Stromversorgungsgeräten in erneuerbare Energiesysteme führt. Der hohe Wirkungsgrad und die Leistungsdichte dieser Geräte machen sie für Anwendungen wie Solarwechselrichter, Windkraftkonverter und Energiespeichersysteme geeignet.

Für die Region Asien-Pazifik wird ein schnelles Wachstum des Marktes für SiC- und GaN-Leistungsgeräte erwartet. Die Region ist für ihre starke Präsenz in der Halbleiterindustrie bekannt und verfügt über wichtige Produktionszentren in Ländern wie China, Japan, Südkorea und Taiwan. Diese Länder haben Halbleiterfabriken errichtet und verfügen über eine robuste Lieferkette, die die Produktion von SiC- und GaN-Leistungsbauelementen unterstützt. Im asiatisch-pazifischen Raum gibt es einen großen Markt für Unterhaltungselektronik, der die Nachfrage nach SiC- und GaN-Leistungsgeräten ankurbelt. Die Region ist bekannt für ihre fortschrittlichen Unterhaltungselektronikprodukte, darunter Smartphones, Laptops und Smart-Home-Geräte. SiC- und GaN-Leistungsgeräte bieten eine höhere Energieeffizienz und schnellere Schaltgeschwindigkeiten und ermöglichen so eine verbesserte Leistung und Energieeffizienz dieser Geräte. Die steigende Nachfrage nach Hochgeschwindigkeits-Datenkonnektivität, IoT-Geräten und hochauflösenden Displays treibt die Einführung von SiC- und GaN-Leistungsgeräten in der Unterhaltungselektronik weiter voran.

WICHTIGSTE INDUSTRIE-AKTEURE

Wichtige Akteure konzentrieren sich auf Partnerschaften, um sich einen Wettbewerbsvorteil zu verschaffen

Prominente Marktteilnehmer unternehmen gemeinsame Anstrengungen, indem sie mit anderen Unternehmen zusammenarbeiten, um der Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein. Viele Unternehmen investieren auch in neue Produkteinführungen, um ihr Produktportfolio zu erweitern. Auch Fusionen und Übernahmen gehören zu den wichtigsten Strategien der Akteure zur Erweiterung ihres Produktportfolios.

• Infineon Technologies: Laut Angaben des Bundesministeriums für Wirtschaft und Klimaschutz hat Infineon im Jahr 2023 über 120 Millionen SiC-basierte Leistungsgeräte ausgeliefert, davon über 50 % an Hersteller von Automobil- und Energiespeichersystemen.

• Rohm Semiconductor: Laut Zertifizierungen des japanischen Ministeriums für Wirtschaft, Handel und Industrie (METI) hat Rohm seine SiC-Wafer-Produktionskapazität im Jahr 2023 auf 500.000 Einheiten pro Jahr erweitert und unterstützt so den groß angelegten Einsatz in Ladegeräten für Elektrofahrzeuge und Industrieantrieben.

Liste der führenden Unternehmen für Sic- und Gan-Stromversorgungsgeräte

• Infineon (Germany)
• Rohm (Japan)
• Mitsubishi (Japan)
• STMicro (Switzerland)
• Fuji (Japan)
• Toshiba (Japan)
• Microchip Technology (U.S.)
• United Silicon Carbide Inc. (U.S.)
• GeneSic (U.S.)
• Efficient Power Conversion (U.S.)
• GaN Systems (Canada)
• VisIC Technologies LTD (Israel)

BERICHTSBEREICH

Bei dieser Studie handelt es sich um einen Bericht mit ausführlichen Studien, in denen die auf dem Markt vorhandenen Unternehmen beschrieben werden, die sich auf den Prognosezeitraum auswirken. Mit detaillierten Studien bietet es auch eine umfassende Analyse durch Untersuchung von Faktoren wie Segmentierung, Chancen, industrielle Entwicklungen, Trends, Wachstum, Größe, Marktanteil und Beschränkungen. Diese Analyse kann geändert werden, wenn sich die Hauptakteure und die wahrscheinliche Analyse der Marktdynamik ändern.