Markt für SiC- und GaN-Leistungsgeräte, nach Typ (GaN und SiC), nach Anwendung (Unterhaltungselektronik, Automobil und Transport sowie industrielle Nutzung) sowie regionale Einblicke und Prognosen bis 2034

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Marktüberblick für SiC- und GaN-Stromversorgungsgeräte

Der weltweite Markt für SiC- und GaN-Leistungsgeräte soll von 0,08 Milliarden US-Dollar im Jahr 2025 auf 0,79 Milliarden US-Dollar im Jahr 2026 wachsen und bis 2034 voraussichtlich 1,06 Milliarden US-Dollar erreichen und zwischen 2025 und 2034 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 33,56 % wachsen.

Die Marktgröße für SiC- und GaN-Leistungsgeräte in den USA wird im Jahr 2025 voraussichtlich 0,0253 Mrd.

Die bemerkenswerten Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), zwei Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, haben im Bereich der Leistungselektronik großes Interesse geweckt. Der Markt ist aufgrund dieses Produkts stark gewachsen. Das Produkt wächst stark. Die Nachfrage nach diesem Produkt steigt. Diese Komponenten werden in Leistungselektronikanwendungen eingesetzt, da sie effizienter sind und eine bessere Leistung als herkömmliche Geräte auf Siliziumbasis haben, insbesondere in Hochleistungs- und Hochfrequenzszenarien wie Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energiesystemen.

Aufgrund ihrer Fähigkeit, Leistung und Effizienz zu steigern, verzeichnet der Markt einen zunehmenden Einsatz von Elektrofahrzeugen (EVs). Elektrofahrzeuge können dank SiC- und GaN-Halbleitern, die höhere Schaltfrequenzen und geringere Verluste in der Leistungselektronik ermöglichen, weiter fahren und effizienter arbeiten. Das Produkt ist sehr nützlich. Der Markt für dieses Produkt wächst. Die Nachfrage nach diesem Produkt ist gestiegen. Der Markt verzeichnete eine große Nachfrage nach diesem Produkt. Der Einsatz von SiC- und GaN-Leistungshalbleitern ist für die Automobilindustrie von entscheidender Bedeutung, um strengere Schadstoffnormen und Kundenanforderungen nach Elektrofahrzeugen mit größerer Reichweite zu erfüllen sowie die Gesamtleistung des Fahrzeugs und den Fahrspaß zu verbessern. Dieser Faktor hat die erhöht Wachstum des Marktes für SiC- und GaN-Leistungsgeräte.

WICHTIGSTE ERKENNTNISSE

• Marktgröße und Wachstum: Die globale Marktgröße für SiC- und GaN-Leistungsgeräte wurde im Jahr 2025 auf 0,08 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2034 1,06 Milliarden US-Dollar erreichen, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 33,56 % von 2025 bis 2034.
• Wichtiger Markttreiber: Die wachsende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und die Integration erneuerbarer Energien führten zu einem61 %zunehmende Einführung von Halbleitern mit großer Bandlücke in allen Stromversorgungssystemen.
• Große Marktbeschränkung: Hohe Auswirkungen auf Material- und Herstellungskosten37 %der Hersteller, was die Masseneinführung in kostensensiblen Anwendungen einschränkt.
• Neue Trends: GaN-basierte Schnellladegeräte sahen49 %Der Einsatz nahm zu, während der Einsatz von SiC-MOSFETs in Wechselrichtern stark zunahm44 %.
• Regionale Führung: Asien-Pazifik führt mit46 %Marktanteil, Nordamerika folgt mit31 %, unterstützt durch lokale Produktion und Einführung von Elektrofahrzeugen.
• Wettbewerbslandschaft: Die besten sechs Spieler kontrollieren72 %des Marktes, wobei strategische Fusionen die Wettbewerbsfähigkeit steigern28 %.
• Marktsegmentierung: SiC-Geräte halten58 %Marktanteil, während GaN ausmacht42 %, angetrieben durch Unterschiede in den Spannungsanwendungsanforderungen.
• Aktuelle Entwicklung: Industriepartnerschaften und Gießereierweiterungen stiegen um39 %, mit Schwerpunkt auf der Skalierung der Produktionskapazität für 200-mm-Wafer.

AUSWIRKUNGEN VON COVID-19

Marktwachstum durch Pandemie aufgrund des Lockdowns behindert

Die globale COVID-19-Pandemie war beispiellos und erschütternd, da der Markt im Vergleich zum Niveau vor der Pandemie in allen Regionen eine geringere Nachfrage als erwartet verzeichnete. Das plötzliche Marktwachstum, das sich im Anstieg der CAGR widerspiegelt, ist darauf zurückzuführen, dass das Marktwachstum und die Nachfrage wieder das Niveau vor der Pandemie erreichen.

Dies hat Auswirkungen auf die gesamten Angebots- und Nachfrageketten des jeweiligen Marktes. Aufgrund des Lockdowns der Regierung und anderer Maßnahmen zur Eindämmung der Ausbreitung des Coronavirus wurden alle Lieferaktivitäten verschoben, was zu einem Rückgang der Produktmenge im Zusammenhang mit Konsumgütern führte. Die Pandemie hat den Markt beeinträchtigt. Es gab große Auswirkungen auf den Markt. Das Marktwachstum wurde durch die Pandemie beeinträchtigt. Der Bedarf an Stromversorgungsgeräten stieg jedoch, als sich die Welt langsam von der Epidemie erholte, vor allem aufgrund einer stärkeren Betonung energieeffizienter Lösungen, Elektrofahrzeuge und erneuerbarer Energien. Die Erholung des Marktes wurde auch durch die Notwendigkeit zuverlässiger und effektiver Stromversorgungsgeräte in wichtigen Branchen wie der Telekommunikation und der Telekommunikation unterstütztGesundheitspflege. Daher wird ein geringer Einfluss von COVID-19 auf den Marktanteil von SiC- und GaN-Leistungsgeräten erwartet.

NEUESTE TRENDS

Automobilsektor soll Marktwachstum vorantreiben

Es ist ein aktueller Trend zu beobachten, der das Marktwachstum verstärkt. Dieser besondere Trend gilt als der profitabelste Trend, der zur Steigerung des Gesamtmarktwachstums aufgewertet wurde. DerAutomobilDie Branche verzeichnet einen zunehmenden Trend zum Einsatz von SiC- und GaN-Leistungshalbleitern. Aufgrund dieses Trends ist der Markt für dieses Produkt gewachsen. Das Wachstum des Marktes nimmt aufgrund dieses Trends zu. Das Wachstum dieses Marktes hat aufgrund dieses Trends zugenommen. Dieser spezifische Trend hat das Marktwachstum so stark beeinflusst, dass die Umsatz- und Marktanteilszahlen dieses bestimmten Produkts in die Höhe schießen und in die Höhe schießen.

• Nach Angaben des US-Energieministeriums (DOE) verbesserte die Einführung von Wechselrichtern auf SiC-Basis die Energieeffizienz von Elektrofahrzeugen (EV) im Jahr 2023 um 6–8 % und trieb den großflächigen Einsatz von SiC-MOSFETs in Antriebsstrang- und Ladesystemen im gesamten US-Automobilsektor voran.

• Wie das japanische Ministerium für Wirtschaft, Handel und Industrie (METI) berichtet, enthielten im Jahr 2023 über 43 % der neuen industriellen Motorantriebe in Japan GaN- und SiC-Leistungsmodule, was einen landesweiten Wandel hin zu hocheffizienten Energiesystemen mit geringer Wärmeentwicklung widerspiegelt.

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Marktsegmentierung für SiC- und GaN-Stromversorgungsgeräte

Nach Typ

Basierend auf dem Typ kann der globale Markt in GaN und SiC kategorisiert werden.

• GaN: Wenn Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) als Halbleitermaterialien bei der Herstellung anspruchsvoller leistungselektronischer Geräte verwendet werden, wird in SiC- und GaN-Leistungsgeräten der Begriff GaN verwendet.

• SiC: Neben Galliumnitrid (GaN) ist es ein Halbleitermaterial mit breiter Bandlücke, das in der Leistungselektronik eingesetzt wird.

Auf Antrag

Basierend auf der Anwendung kann der globale Markt in Unterhaltungselektronik,Automobil& Transport und industrielle Nutzung.

• Unterhaltungselektronik: AC/DC-Wandler, Thyristoren, Transistoren und Dioden sind Beispiele für Leistungsgeräte in der Unterhaltungselektronik. Diese Werkzeuge werden in Stromkreisen zur Steuerung und Verwaltung hoher Leistungspegel eingesetzt.

• Automobil und Transport: Kondensatoren, Leistungsdioden, Leistungs-MOSFETs, Batterien und Brennstoffzellen sind Beispiele für Leistungsgeräte, die in Automobilen und im Transportwesen verwendet werden.

• Industrielle Verwendung: Typischerweise werden Halbleiterkomponenten, die in leistungselektronischen Systemen zur Regulierung und Umwandlung von Hochspannungs-/Stromstrom verwendet werden, im industriellen Kontext als „Leistungsgeräte" bezeichnet.

MARKTDYNAMIK

Die Marktdynamik umfasst treibende und hemmende Faktoren, Chancen und Herausforderungen, die die Marktbedingungen angeben.

Treibende Faktoren

Technologische Fortschritte zur Ankurbelung des Marktes

Dies ist der Hauptfaktor für das Wachstum dieses speziellen Marktes. Dieser Faktor ist maßgeblich daran beteiligt, die Umsatzzahlen in die Höhe zu treiben und größere Höhen zu erreichen, und auch die Verkäufe und die Nachfrage haben zugenommen und ihren Wert in größerem Maße gesteigert. Darüber hinaus wird der Markt eine nachhaltige Expansion erfahren, da sich die Infrastruktur für Elektrofahrzeuge entwickelt und der Bedarf an diesen Spitzenfahrzeugen steigtHalbleiterTechnologien wachsen nur. Dieser besondere Faktor hat sich für diesen speziellen Produktmarkt als Segen erwiesen. Es wird erwartet, dass diese Faktoren das Marktwachstum im Prognosezeitraum vorantreiben.

• Nach Angaben der Generaldirektion Energie der Europäischen Kommission ermöglichen SiC- und GaN-Geräte eine Reduzierung der Leistungsverluste in Konvertern für erneuerbare Energien um bis zu 30 % und unterstützen damit direkt das EU-Energieeffizienzziel von 32,5 % für 2030.

• Nach Angaben des indischen Ministeriums für Schwerindustrie (MHI) verwendeten über 62 % der staatlich finanzierten Elektromobilitätsprojekte im Rahmen des FAME-II-Programms im Jahr 2023 SiC-Halbleiter für eine höhere Spannungstoleranz und eine geringere Wärmeableitung und förderten so eine nachhaltige E-Mobilitätsinfrastruktur.

Erneuerbare Energien zur Markterweiterung

Dies ist der zweite Hauptfaktor für das Wachstum dieses speziellen Marktes und hat dazu geführt, dass die Umsatzzahlen so stark gestiegen sind, dass sie geradezu in die Höhe schnellen. Kunden profitieren davon. Dieser spezielle Produktmarkt hat ein neues Niveau lukrativer Umsatzzahlen erreicht und sich auch als Segen für das Wachstum dieses speziellen Produktmarktes erwiesen. Effektive Energiemanagementsysteme werden immer gefragter, da erneuerbare Energiequellen wie Solar-, Wind- und Wasserkraft immer häufiger genutzt werden. Der Markt für SiC-GaN-Leistungshalbleiter wird durch die Nachfrage nach Hochleistungshalbleitern in Umwandlungssystemen und Wechselrichtern für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien beflügelt. Hohe Schaltfrequenzen und Effizienz machen die SiC- und GaN-Technologie perfekt für die Steuerung des Energieumwandlungsprozesses in Windturbinenkonvertern und Solarwechselrichtern. Ihre Bedeutung in der Leistungshalbleiterindustrie wird durch die wachsende Nachfrage nach SiC- und GaN-Halbleitern noch deutlicher, da Länder auf der ganzen Welt in saubere Energieinfrastruktur investieren, um Nachhaltigkeitsziele zu erreichen und den CO2-Fußabdruck zu verringern. Es wird erwartet, dass diese Faktoren das Marktwachstum in der heutigen Zeit und auch im Prognosezeitraum vorantreiben werden.

Zurückhaltender Faktor

Hohe Kosten behindern das Marktwachstum

Diese speziellen Lösungen waren sehr hilfreich, aber auch äußerst kostspielig. Dieser besondere hemmende Faktor hat dazu geführt, dass die Umsatzzahlen aufgrund extrem niedriger Erträge und rückläufiger Umsätze und Nachfrage in diesem Markt zurückgegangen sind. SiC- und GaN-Leistungsbauelemente werden mit komplizierten und kostspieligen Verfahren hergestellt, was die Produktionskosten erhöht. Daher können die anfänglichen Ausgaben für den Einsatz von SiC- und GaN-Stromversorgungsgeräten für bestimmte Endkunden abschreckend sein. Es wird jedoch erwartet, dass die Kosten sinken, da Skaleneffekte realisiert werden und die Technologie Fortschritte macht, was die Zugänglichkeit von SiC- und GaN-Leistungsbauelementen erhöht. Es wird erwartet, dass dieser besondere Faktor das Marktwachstum bremst und die Verkäufe und die Nachfrage dieses bestimmten Produktmarkts drastisch reduziert.

• Nach Angaben der US-amerikanischen International Trade Administration (ITA) sind die Produktionskosten für SiC-Wafer aufgrund des begrenzten Angebots und der hohen Anforderungen an die Fertigungspräzision weiterhin 45–50 % höher als bei herkömmlichen Siliziumwafern, was einer breiteren industriellen Akzeptanz entgegensteht.

• Nach Angaben des Bundesministeriums für Wirtschaft und Klimaschutz (BMWK) nannten rund 27 % der europäischen Halbleiterunternehmen den Mangel an spezialisierten Fertigungsanlagen als einen wesentlichen Engpass bei der Skalierung der SiC- und GaN-Chipfertigung.

Vergangene Aktivitäten, um Chancen für das Produkt auf dem Markt zu schaffen

Gelegenheit

Diese besondere Gelegenheit hat das Marktwachstum immens vorangetrieben. Es wird erwartet, dass der Einsatz von Stromversorgungsgeräten in Rechenzentren zur Senkung des Energieverbrauchs und zur Steigerung der Effizienz im Laufe des Prognosejahres mögliche Wachstumsaussichten für den Markt für SiC- und GaN-Stromversorgungsgeräte bietet. Zu den verschiedenen Stromflusskomponenten, die in Rechenzentren zu finden sind, gehören Stromverteilungseinheiten (PDUs), Stromgeneratoren, USVs, Schalttafeln und Strompeitschen. Daher wird erwartet, dass der Markt im geplanten Zeitraum aufgrund des Einsatzes leistungsstarker Stromversorgungsgeräte in Rechenzentren zur gleichmäßigen Stromverteilung und zur Senkung der Gesamtbetriebskosten wachsen wird.

• Nach Angaben des chinesischen Ministeriums für Industrie und Informationstechnologie (MIIT) werden SiC- und GaN-Komponenten inzwischen in 38 % der Ladeinfrastruktur für neue Energiefahrzeuge in China verwendet, was ein großes Potenzial für die nationale und globale Expansion von Hochspannungssystemen darstellt.

• Nach Angaben des südkoreanischen Ministeriums für Handel, Industrie und Energie (MOTIE) wurden im Jahr 2023 über 18 % der nationalen Halbleiter-F&E-Mittel für die SiC- und GaN-Energieforschung bereitgestellt, um Innovationen für Unterhaltungselektronik der nächsten Generation und Anwendungen für erneuerbare Energien zu fördern.

 

Komplizierte Verpackungen könnten eine potenzielle Herausforderung für Verbraucher darstellen

Herausforderung

Es gibt mehrere Einschränkungen, die eine Marktexpansion verhindern. Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Designs weisen SiC-basierte Leistungselektronik und Wechselrichter ein weitaus komplizierteres Gehäuse auf. Maschinen werden durch die Wärme beschädigt, die von SiC-Geräten im Dauerbetrieb erzeugt wird. Um höhere Spannungen und Ströme bewältigen zu können, benötigen SiC-Geräte eine robuste und anspruchsvolle Verpackung. Folglich wird die Expansion des Marktes durch die komplizierte Verpackung von Energiegeräten behindert. Dieser besondere Faktor stellte eine drastische Herausforderung für das Marktwachstum dar und ist zu einem weiteren wichtigen hemmenden Faktor geworden.

• Nach Angaben der Internationalen Energieagentur (IEA) verbraucht die Herstellung von SiC- und GaN-Geräten aufgrund komplexer Ätz- und epitaktischer Wachstumsprozesse etwa 25 % mehr Energie pro Wafer als herkömmliches Silizium, wodurch die Herstellungskosten und der CO2-Fußabdruck steigen.

• Nach Angaben der Semiconductor Industry Association (SIA) liegen die weltweiten Ausbeuten von SiC-Substraten weiterhin unter 70 %, verglichen mit über 95 % bei Siliziumwafern, was die Skalierbarkeit für Massenmarktelektronik einschränkt.

 

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SiC- und GaN-STROMGERÄTEMARKT REGIONALE EINBLICKE

• Nordamerika

Es wird erwartet, dass Nordamerika auf absehbare Zeit den größten Anteil am globalen Markt ausmachen wird. Dank des expandierenden Automobilsektors und der zunehmenden Bedeutung erneuerbarer Energien ist Nordamerika ein weiterer großer Markt für Siliziumbatterien. Hochleistungsbatterien für Energiespeichersysteme und Elektrofahrzeuge erfreuen sich insbesondere in den USA immer größerer Beliebtheit. Regierungsinitiativen zur Förderung sauberer Energie und die Präsenz führender Technologieunternehmen, die Batterieforschung und -entwicklung finanzieren, treiben die Marktexpansion in der Region voran. Es wird erwartet, dass der Markt für SiC- und GaN-Leistungsgeräte in den USA im Prognosezeitraum enorm wachsen wird. Fast der gesamte weltweite Umsatzanteil stammte aus Nordamerika.

• Europa

Der europäische Markt für diesen bestimmten Markt wurde berücksichtigt, um die gesamten globalen Anteile für diesen bestimmten Produktdienstleistungsmarkt zuzuordnen. Der europäische Markt für SiC- und GaN-Leistungsgeräte macht derzeit einen erheblichen Teil des Weltmarktes aus. Diese Region wächst aufgrund dieser Faktoren. Diese Region ist aufgrund der gestiegenen Nachfrage gewachsen. Der Markt für SiC- und GaN-Leistungsbauelemente wächst in Europa aufgrund des wachsenden Bedarfs an energieeffizienten Lösungen in der Industrie erheblich. Es wird auch erwartet, dass der Markt aufgrund der Verbreitung von Robotik und Fabrikautomatisierung stark wachsen wird.

• Asien

Im Laufe des Prognosezeitraums wird der asiatisch-pazifische Raum voraussichtlich das schnellste Wachstum auf dem globalen Markt für SiC- und GaN-Leistungsgeräte verzeichnen. In dieser Region ist für diesen Markt ein großes Wachstum zu verzeichnen. Das Wachstum dieser Region nimmt aufgrund verschiedener Vorteile und Faktoren zu. Initiativen in diesen Bereichen fördern auch den Einsatz dieser fortschrittlichen Halbleiter für eine bessere Leistung bei kritischen Infrastrukturprojekten und ein effizientes Energiemanagement.

WICHTIGSTE INDUSTRIE-AKTEURE

Führende Akteure nutzen Akquisitionsstrategien, um wettbewerbsfähig zu bleiben

Mehrere Marktteilnehmer nutzen Akquisitionsstrategien, um ihr Geschäftsportfolio auszubauen und ihre Marktposition zu stärken. Darüber hinaus gehören Partnerschaften und Kooperationen zu den gängigen Strategien von Unternehmen. Wichtige Marktteilnehmer tätigen Investitionen in Forschung und Entwicklung, um fortschrittliche Technologien und Lösungen auf den Markt zu bringen.

• Rohm Semiconductor: Nach Angaben der japanischen New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) lieferte Rohm SiC-MOSFET-Module, die den Leistungsverlust in Bahnantriebssystemen im Jahr 2023 um 29 % reduzierten und so zu Japans energieeffizienten Transportzielen beitrugen.

• Mitsubishi Electric Corporation: Nach Angaben des japanischen Ministeriums für Land, Infrastruktur, Verkehr und Tourismus (MLIT) hat Mitsubishi im Jahr 2023 GaN-basierte Wechselrichter in 15 % der neuen Hochgeschwindigkeitszüge integriert und damit landesweite Effizienzstandards unterstützt.

Liste der führenden Unternehmen für SiC- und GaN-Leistungsgeräte

• Infineon (Germany)
• Rohm (Japan)
• Mitsubishi (Japan)
• STMicro (Switzerland)
• Fuji (Japan)
• Toshiba (Japan)

ENTWICKLUNG DER SCHLÜSSELINDUSTRIE

April 2023:ON Semiconductor demonstrierte sein Engagement für umweltfreundliche Internet-of-Things-Lösungen mit der Ankündigung der RSL10-Solarzellen-Multisensorplattform. Diese hochmoderne Plattform kombiniert Solarzellentechnologie mit Umgebungssensoren, um die Energiegewinnung für Anwendungen im Internet der Dinge zu ermöglichen. Durch die Nutzung von Solarenergie fördert die Plattform die ökologische Nachhaltigkeit, indem sie die Autonomie der Geräte erhöht und die Abhängigkeit von externen Stromquellen verringert. Mit dieser Maßnahme demonstriert ON Semiconductor sein Engagement für die Entwicklung umweltfreundlicher Technologien und die Deckung des steigenden Bedarfs an energieeffizienten Internet-of-Things-Lösungen in verschiedenen Sektoren.

BERICHTSBEREICH

Bei dieser Studie handelt es sich um einen Bericht mit ausführlichen Studien, in denen die in der Analyse enthaltenen Unternehmen beschrieben werden, indem Faktoren wie Segmentierung, Chancen, industrielle Entwicklungen, Trends, Wachstum, Größe, Marktanteil und Beschränkungen untersucht werden. Diese Analyse kann geändert werden, wenn sich die Hauptakteure und die wahrscheinliche Analyse der Marktdynamik auf den Prognosezeitraum auswirken. Mit detaillierten Studien bietet es auch eine umfassende.