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Marktgröße, Marktanteil, Wachstum und globale Branchenanalyse für Siliziumkarbid-Wafer, nach Typ (4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll), nach Anwendung (Leistungsgerät, Elektronik und Optoelektronik, drahtlose Infrastruktur und andere), regionale Einblicke und Prognosen von 2026 bis 2035
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Marktüberblick für Siliziumkarbid-Wafer
Es wird prognostiziert, dass die globale Marktgröße für Siliziumkarbid-Wafer bis 2035 4,58 Milliarden US-Dollar erreichen wird (von 1,33 Milliarden US-Dollar im Jahr 2026) und in der Prognose von 2026 bis 2035 mit einer konstanten jährlichen Wachstumsrate von 14,8 % wächst.
Ich benötige die vollständigen Datentabellen, Segmentaufteilungen und die Wettbewerbslandschaft für eine detaillierte regionale Analyse und Umsatzschätzungen.
Kostenloses Muster herunterladenIn vielen elektronischen Geräten und mikroelektronischen Chips wird Siliziumkarbidwafer als Halbleiterwafer verwendet. Große Elektronenmobilität, hohe Temperaturstabilität und hohe Leistungsdichte sind Merkmale von Siliziumkarbid-Wafern. Es verfügt außerdem über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und kann bei sehr hohen Temperaturen betrieben werden.
Auswirkungen von COVID-19: Auswirkungen auf Angebot und Nachfrage in der Halbleiterfertigung aufgrund der weltweit verhängten Lockdowns und Ausgangssperren
Die globale COVID-19-Pandemie war beispiellos und erschütternd; Der Markt für Siliziumkarbid-Wafer verzeichnete im Vergleich zum Niveau vor der Pandemie in allen Regionen eine geringere Nachfrage als erwartet. Der Anstieg der CAGR ist ein Nebenprodukt des Marktwachstums für Siliziumkarbid-Wafer und der Rückkehr der Nachfrage auf das Niveau vor der Pandemie, sobald die Pandemie vorbei ist.
Sowohl die Angebots- als auch die Nachfrageseite des Marktes für die Halbleiterfertigung wurden von der COVID-19-Epidemie beeinträchtigt. Darüber hinaus verschärften die weltweite Ausgangssperre und die Schließung von Halbleiterfabriken die Versorgungsknappheit. Auch der Markt für Siliziumkarbid-Wafer zeigte die Folgen. Viele dieser Auswirkungen waren jedoch nur vorübergehend. Regierungen auf der ganzen Welt könnten das Branchenwachstum ankurbeln, indem sie vorbeugende Maßnahmen zur Unterstützung des Halbleitersektors ergreifen.
NEUESTE TRENDS
Etablierung einer Führungsposition in der Halbleitertechnologie durch die Entwicklung des Bulk-Wafers für Prototypen von Leistungsgeräten der nächsten Generation
STMicroelectronics gab am 27. Juli 2021 bekannt, dass das Werk in Norrköping, Schweden, die ersten 200 mm (8 Zoll) großen Siliziumkarbid-Wafer für die Herstellung von Prototypen von Leistungsgeräten der nächsten Generation hergestellt hat. Die Umstellung auf 200-mm-SiC-Wafer bedeutet eine erhebliche Verbesserung des Kapazitätswachstums von ST für Kundenprogramme im Automobilsektor und festigt die Führungsposition von ST in der revolutionären Halbleitertechnologie, die leichtere und wirtschaftlichere Leistungselektronik ermöglicht, weiter.
Marktsegmentierung für Siliziumkarbid-Wafer
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Nach Typ
Je nach Typ wird der Markt in 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll unterteilt
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Auf Antrag
Basierend auf der Anwendung ist der Markt in Leistungsgeräte, Elektronik und Optoelektronik, drahtlose Infrastruktur und andere unterteilt
FAHRFAKTOREN
Aufgrund der vielfältigen Einsatzmöglichkeiten in drahtlosen Kommunikationsgeräten eignen sich die Wafer für den Einsatz in einer Reihe von Unternehmen
Der Bedarf an Siliziumkarbid-Wafern steigt in einer Reihe von Branchen, darunter Kommunikation, Energieerzeugung, Automobilindustrie, erneuerbare Energiequellen und andere. Dies ist ein wichtiger Faktor, der das Wachstum des Siliziumkarbid-Wafer-Marktes vorantreibt. Der Hauptgrund für den Einsatz von Siliziumkarbid-Wafern in Hochleistungsgeräten mit vielfältigen Einsatzmöglichkeiten in der drahtlosen Kommunikation liegt in ihren Wärmeleitfähigkeitseigenschaften. Die Waferrückgewinnungs- und Betriebsstrategie wird immer wichtiger, da der Markt wächst und Unternehmen mehr Wafer verarbeiten.
Die zahlreichen Vorteile, die das Produkt bietet, machen es zur besten Wahl für den Einsatz im Luftfahrtgeschäft
Der Luftfahrtsektor sucht ständig nach Möglichkeiten, die Flugkosten zu senken. Der Einsatz von SiC in der Luftfahrt bietet eine Reihe von Vorteilen, beispielsweise die einfache Herstellung leichter Komponenten, was das Umsatzwachstum des Marktes ankurbelt. SiC ist eine Möglichkeit, das Gewicht und die Größe der Schaltleistungstechnologie für Flugzeuge zu verringern. Erhöhte Wärme-, Strom- und Spannungskonzentrationen sind einige geeignete Einsatzmöglichkeiten für SiC. SiC funktioniert auch bei Graden, die für normales Silizium zu extrem sind. Um elektronische Kühlsysteme zu bewältigen, die das Gewicht erhöhen und die Betriebszuverlässigkeit von Hochleistungsflugzeugen verringern, kann Siliziumkarbid-Elektronik, wie das in der F-22 verwendete Flüssigkeitskühlsystem, verwendet werden.
EINHALTENDE FAKTOREN
Verschiedene mit der Herstellung dieser Wafer verbundene Nachteile können die Expansion dieses Sektors behindern
Der Markt für Siliziumkarbid-Wafer kann durch die Freisetzung gefährlicher Gase bei der Herstellung ernsthaft beeinträchtigt werden. SiC-Produkte kosten mehr als Si-Rohstoffe, da SiC kommerziell bei hohen Temperaturen hergestellt wird, Si jedoch leicht aus natürlich vorkommendem Siliciumdioxid gewonnen werden kann. Der Preis für die Herstellung von Geräten für Gießereien und Fertigungsanlagen ist unter anderem aufgrund einer geringeren Anzahl dieser Anlagen gestiegen.
Aufgrund des Mangels an moderner, technologiebasierter Ausrüstung sind auch die letzten Phasen der Montage, Prüfung und Verpackung teurer. Darüber hinaus könnten die Umstellung auf Galliumnitrid-Wafer für Halbleiteranwendungen und die Freisetzung gefährlicher Gase bei der Siliziumkarbidproduktion eine ernsthafte Bedrohung für die Umsatzausweitung des Marktes darstellen. Kontakt mit Siliziumkarbid kann zu Reizungen der Nase und der Augen führen. Die Entwicklung des Siliziumkarbid-Marktes wird durch Pneumokoniose, eine chronische Lungenerkrankung, die durch Anomalien im Röntgenbild des Brustkorbs und eine verminderte Lungenfunktion, einschließlich Husten, pfeifende Atmung und Atemnot, gekennzeichnet ist, stark beeinträchtigt.
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REGIONALE EINBLICKE ZUM SILIZIUMKARBID-WAFER-MARKT
Der zunehmende Einsatz elektronischer Geräte in der Region führt dazu, dass der asiatisch-pazifische Raum eine führende Position auf dem Markt einnimmt
Aufgrund der zunehmenden Nutzung elektronischer Geräte in Ländern, insbesondere in China, Indien, Japan und Südkorea, wird erwartet, dass der asiatisch-pazifische Markt im gesamten Prognosezeitraum am schnellsten wächst. Semikron, einer der weltweit führenden Hersteller von Pulvermodulen und -systemen, wurde von STMicroelectronics, einem führenden globalen Halbleiterunternehmen, mit der Lieferung von Siliziumkarbidtechnologie für Empack-Pulvermodule für Elektrofahrzeuge beauftragt. Nach Angaben des US-Energieministeriums werden in China 97 % der weltweiten Siliziumwaferproduktion hergestellt. Die Produktion wird gefördert und die schnelle Einführung von Elektrofahrzeugen (EVs) wird durch wachsende Regierungsinitiativen und Unternehmensinvestitionen in dieser Region ermöglicht. Diese Faktoren führen dazu, dass die Region im erwarteten Zeitraum den Marktanteil bei Siliziumkarbid-Wafern anführt.
WICHTIGSTE INDUSTRIE-AKTEURE
Bildung von Allianzen zwischen den Herstellern, um ihnen bei der Diversifizierung ihrer Produkte zu helfen
Siliziumkarbid-Wafer werden auf einem mörderischen Markt verkauft. Da mehrere große Wettbewerber sowohl auf globaler als auch auf regionaler Ebene aktiv sind, ist das Wettbewerbsumfeld auf dem Siliziumkarbid-Wafer-Markt weltweit fragmentiert. Wichtige Akteure arbeiten an neuen Produkten und bilden Allianzen, um ihre Produktlinien zu diversifizieren und sich auf dem internationalen Markt stark zu etablieren. Die Marktstudie umfasst Profile mehrerer bedeutender Unternehmen, darunter Wolfspeed, Inc., II-VI Incorporated, Showa Denko K.K., SICC Co., Ltd. und Xiamen Powerway Advanced Material Co.
Liste der führenden Hersteller von Siliziumkarbid-Wafern
- Wolfspeed (U.S.)
- SK Siltron (South Korea)
- SiCrystal (Germany)
- II-VI Advanced Materials (U.S.)
- Showa Denko (Japan)
- Norstel (Sweden)
- TankeBlue (Beijing)
- SICC (India)
- Hebei Synlight Crystal (China)
- CETC (China)
BERICHTSBEREICH
Dieser Bericht behandelt den Siliziumkarbid-Wafer-Markt. Die voraussichtliche CAGR im Prognosezeitraum sowie der USD-Wert im Jahr 2022 und der voraussichtliche Wert im Jahr 2028. Die Auswirkungen von COVID-19 auf den Markt zu Beginn der Pandemie. Die neuesten Trends in dieser Branche. Die Faktoren, die diesen Markt antreiben, sowie die Faktoren, die das Wachstum der Industrie hemmen. Die Segmentierung dieses Marktes nach Typ und Anwendungen. Die Region, die in der Branche führend ist, und warum sie dies im Prognosezeitraum auch weiterhin tun wird. Darüber hinaus erfahren die wichtigsten Marktteilnehmer, was sie alles tun, um ihrer Konkurrenz einen Schritt voraus zu sein und ihre Marktpositionen zu behaupten. Alle diese Details werden im Bericht behandelt.
| Attribute | Details |
|---|---|
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Marktgröße in |
US$ 1.33 Billion in 2026 |
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Marktgröße nach |
US$ 4.58 Billion nach 2035 |
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Wachstumsrate |
CAGR von 14.8% von 2026 to 2035 |
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Prognosezeitraum |
2026-2035 |
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Basisjahr |
2024 |
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Verfügbare historische Daten |
Ja |
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Regionale Abdeckung |
Global |
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Abgedeckte Segmente |
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Von Typen
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Auf Antrag
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FAQs
Der weltweite Markt für Siliziumkarbid-Wafer soll bis 2035 ein Volumen von 4,58 Milliarden US-Dollar erreichen.
Es wird erwartet, dass der Markt für Siliziumkarbid-Wafer bis 2035 eine jährliche Wachstumsrate von 14,8 % aufweisen wird.
Die vielfältigen Einsatzmöglichkeiten in drahtlosen Kommunikationsgeräten machen die Wafer für den Einsatz in einer Reihe von Unternehmen geeignet, und die zahlreichen Vorteile, die das Produkt bietet, machen es zur besten Wahl für den Einsatz in der Luftfahrtbranche. Dies sind die treibenden Faktoren auf dem Markt für Siliziumkarbid-Wafer.
Wolfspeed, SK Siltron, SiCrystal, II-VI Advanced Materials, Showa Denko, Norstel, TankeBlue, SICC, Hebei Synlight Crystal und CETC sind die Top-Unternehmen auf dem Siliziumkarbid-Wafer-Markt.