Dimensioni del mercato, quota, crescita e analisi del mercato dei dispositivi di potenza SiC e GaN, per tipo (GaN, SiC) per applicazione (elettronica di consumo, automobilistico e trasporti, uso industriale, altro), approfondimenti regionali e previsioni dal 2026 al 2035

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PANORAMICA DEL MERCATO DEI DISPOSITIVI SIC E GAN POWER

Si prevede che la dimensione globale del mercato dei dispositivi di potenza Sic e Gan varrà 4,36 miliardi di dollari nel 2026, e si prevede che raggiungerà 54,74 miliardi di dollari entro il 2035 con un CAGR del 32,5% durante la previsione dal 2026 al 2035.

Il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN) sono due materiali semiconduttori ad ampio gap di banda che hanno rivoluzionato il settore dell'elettronica di potenza con le loro caratteristiche prestazionali superiori. I dispositivi di alimentazione SiC e GaN offrono numerosi vantaggi rispetto ai tradizionali dispositivi basati su silicio, tra cui maggiore efficienza, velocità di commutazione più elevate e temperature operative più elevate. Il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di gallio (GaN) sono due materiali semiconduttori ad ampio gap di banda che hanno rivoluzionato il settore dell'elettronica di potenza con le loro caratteristiche prestazionali superiori. I dispositivi di alimentazione SiC e GaN offrono numerosi vantaggi rispetto ai tradizionali dispositivi basati su silicio, tra cui maggiore efficienza, velocità di commutazione più elevate e temperature operative più elevate.

Il mercato dei dispositivi di potenza SiC (carburo di silicio) e GaN (nitruro di gallio) sta registrando una crescita significativa ed è pronto per un'ulteriore espansione nei prossimi anni. Questi dispositivi di alimentazione offrono efficienza più elevata, velocità di commutazione più elevate e migliore conduttività termica rispetto ai tradizionali dispositivi di alimentazione a base di silicio. Il mercato sta assistendo a una crescente adozione in vari settori, tra cui quello automobilistico, dell'elettronica di consumo, delle telecomunicazioni e dei settori industriali.

RISULTATI CHIAVE

IMPATTO DEL COVID-19

La pandemia riduce le attività manifatturiere ostacolando la crescita del mercato

La pandemia di Covid-19 ha avuto impatti sia positivi che negativi sul mercato dei dispositivi di potenza SiC e GaN. Inizialmente, il mercato ha registrato un calo della domanda a causa delle interruzioni nella catena di approvvigionamento globale e della riduzione delle attività produttive. Tuttavia, man mano che il mondo si riprendeva gradualmente dalla pandemia, la domanda di dispositivi elettrici è aumentata, spinta dalla maggiore attenzione alle energie rinnovabili, ai veicoli elettrici e alle soluzioni ad alta efficienza energetica. Anche la necessità di dispositivi di alimentazione affidabili ed efficienti in settori critici come la sanità e le telecomunicazioni ha contribuito alla ripresa del mercato.

ULTIME TENDENZE

Aumentare l'adozione di questi dispositivi nei veicoli elettrici (EV) per stimolare lo sviluppo del mercato

L'industria automobilistica sta passando alla mobilità elettrica, spinta dalle normative ambientali e dalla necessità di soluzioni di trasporto sostenibili. I dispositivi di potenza SiC e GaN offrono maggiore efficienza e densità di potenza, consentendo autonomie più lunghe e tempi di ricarica più rapidi per i veicoli elettrici. Si prevede che questa tendenza favorirà la domanda di dispositivi di potenza SiC e GaN nel settore automobilistico.

• Secondo il Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, oltre 1,2 milioni di veicoli elettrici venduti negli Stati Uniti nel 2023 hanno utilizzato dispositivi di alimentazione SiC e GaN per la ricarica di bordo e sistemi inverter, segnando un forte aumento rispetto alle 580.000 unità nel 2021.

• Sulla base delle valutazioni tecniche dell'Agenzia internazionale per l'energia (IEA), i transistor basati su GaN sono stati implementati in oltre il 60% delle stazioni base 5G installate a livello globale nel 2023, dimostrando un passaggio verso una maggiore efficienza e un'elettronica di potenza miniaturizzata.

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SEGMENTAZIONE DEL MERCATO DEI DISPOSITIVI SIC E GAN POWER

Per tipo

A seconda della tipologia, il mercato può essere segmentato in GaN e SiC. GaN è il segmento leader del mercato per tipologia di analisi.

Per applicazione

In base all'applicazione, il mercato può essere suddiviso inElettronica di consumo, Automotive e trasporti, Uso industriale, Altro. L'elettronica di consumo è il segmento leader del mercato in base all'analisi delle applicazioni.

FATTORI DRIVER

La crescente domanda di elettronica di potenza nei sistemi di energia rinnovabile per guidare la crescita del mercato

Lo spostamento verso fonti di energia rinnovabile, come quella solare ed eolica, ha creato una domanda significativa di sistemi efficienti di conversione dell'energia e di stoccaggio dell'energia. I dispositivi di potenza SiC e GaN consentono maggiore efficienza e densità di potenza in questi sistemi, portando a una migliore conversione dell'energia e a ridotte perdite di potenza. La crescente adozione di dispositivi di potenza SiC e GaN nelle applicazioni di energia rinnovabile è guidata dalla necessità di soluzioni pulite e sostenibiligenerazione di energia.

Progressi nell'elettronica di consumo e nelle telecomunicazioni per guidare lo sviluppo del mercato

Il settore dell'elettronica di consumo è testimone di rapidi progressi tecnologici, come la connettività 5G, l'Internet delle cose (IoT) e i display ad alta definizione. Questi progressi richiedono dispositivi di alimentazione in grado di gestire densità di potenza più elevate, velocità di commutazione più elevate e una migliore gestione termica. I dispositivi di potenza SiC e GaN offrono vantaggi significativi in ​​termini di efficienza, dimensioni e prestazioni, rendendoli ideali per applicazioni di elettronica di consumo e telecomunicazioni. La crescente domanda di smartphone, laptop e altri dispositivi elettronici di consumo, unita all'espansione delle reti 5G, sta guidando la crescita dei dispositivi di potenza SiC e GaN in questo settore.

• Secondo la Direttiva sull'energia pulita della Commissione Europea, i finanziamenti pubblici hanno sostenuto oltre 145 progetti che coinvolgono moduli di potenza basati su SiC/GaN per energie rinnovabili e infrastrutture di rete intelligente tra il 2021 e il 2023, accelerando la penetrazione del mercato.

• Secondo i dati della Japan Electronics and Information Technology Industries Association (JEITA), i moduli di potenza basati su SiC mostrano perdite di commutazione inferiori di oltre il 75% e possono funzionare a temperature superiori a 200°C, migliorando significativamente il risparmio energetico nelle applicazioni industriali.

FATTORI LIMITANTI

Costi più elevati rispetto ai tradizionali dispositivi basati sul silicio per ostacolare la crescita del mercato

I processi di produzione dei dispositivi di potenza SiC e GaN implicano tecniche complesse e costose, con conseguenti costi di produzione più elevati. Di conseguenza, l'investimento iniziale richiesto per l'adozione di dispositivi di potenza SiC e GaN può rappresentare un deterrente per alcuni utenti finali. Tuttavia, con la maturazione della tecnologia e il raggiungimento delle economie di scala, si prevede che i costi diminuiranno, rendendo i dispositivi di potenza SiC e GaN più accessibili.

• Come indicato dal National Renewable Energy Laboratory (NREL) degli Stati Uniti, il costo di produzione dei wafer SiC è quasi 5 volte superiore rispetto ai wafer di silicio standard, con un wafer SiC da 150 mm che costa circa 1.200 dollari, il che ne ostacola l'adozione in settori sensibili ai costi.

• Secondo la Semiconductor Industry Association (SIA), al 2023, ci sono meno di 30 fonderie globali in grado di produrre dispositivi GaN-on-SiC su larga scala, il che porta a lunghi tempi di consegna e colli di bottiglia nella produzione.

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APPROFONDIMENTI REGIONALI SUL MERCATO DEI DISPOSITIVI SIC E GAN POWER

Presenza di attori chiave in Nord America per sostenere lo sviluppo del mercato

Il Nord America detiene una quota di mercato significativa nel mercato dei dispositivi di potenza SiC e GaN. La presenza di attori chiave nella regione, tra cui produttori di semiconduttori, produttori di dispositivi di potenza eintegratori di sistema, contribuisce alla crescita del mercato. Questi attori sono attivamente impegnati in attività di ricerca e sviluppo per migliorare le prestazioni e l'efficienza dei dispositivi di potenza SiC e GaN. I progressi tecnologici nell'elettronica di potenza, come i materiali ad ampio gap di banda e le tecniche di confezionamento avanzate, hanno ulteriormente alimentato la crescita del mercato in Nord America. I crescenti investimenti nelle energie rinnovabili e nelle infrastrutture per i veicoli elettrici nel Nord America stanno guidando anche la domanda di dispositivi di potenza SiC e GaN. La regione sta assistendo a una crescente enfasi su soluzioni energetiche pulite e sostenibili, che portano all'integrazione di dispositivi di potenza SiC e GaN nei sistemi di energia rinnovabile. L'elevata efficienza e densità di potenza di questi dispositivi li rendono adatti per applicazioni quali inverter solari, convertitori di energia eolica e sistemi di accumulo dell'energia.

Si prevede che la regione Asia-Pacifico assisterà a una rapida crescita del mercato dei dispositivi di potenza SiC e GaN. La regione è nota per la sua forte presenza nel settore dei semiconduttori, con importanti centri di produzione in paesi come Cina, Giappone, Corea del Sud e Taiwan. Questi paesi hanno creato fabbriche di semiconduttori e dispongono di una solida catena di fornitura che supporta la produzione di dispositivi di potenza SiC e GaN. L'Asia del Pacifico ospita un grande mercato dell'elettronica di consumo, che guida la domanda di dispositivi di potenza SiC e GaN. La regione è nota per i suoi prodotti elettronici di consumo avanzati, inclusi smartphone, laptop e dispositivi domestici intelligenti. I dispositivi di potenza SiC e GaN offrono una maggiore efficienza energetica e velocità di commutazione più elevate, consentendo prestazioni ed efficienza energetica migliorate in questi dispositivi. La crescente domanda di connettività dati ad alta velocità, dispositivi IoT e display ad alta definizione sta spingendo ulteriormente l'adozione di dispositivi di potenza SiC e GaN nell'elettronica di consumo.

PRINCIPALI ATTORI DEL SETTORE

I principali attori si concentrano sulle partnership per ottenere un vantaggio competitivo

Importanti operatori del mercato stanno compiendo sforzi di collaborazione collaborando con altre aziende per stare al passo con la concorrenza. Molte aziende stanno anche investendo nel lancio di nuovi prodotti per espandere il proprio portafoglio prodotti. Fusioni e acquisizioni sono anche tra le strategie chiave utilizzate dai giocatori per espandere i propri portafogli di prodotti.

• Infineon Technologies: come riferito al Ministero federale tedesco per gli affari economici e l'azione per il clima, Infineon ha spedito oltre 120 milioni di dispositivi di potenza basati su SiC nel 2023, di cui oltre il 50% fornito a produttori automobilistici e di sistemi di accumulo di energia.

• Rohm Semiconductor: Secondo le certificazioni concesse dal Ministero dell'Economia, del Commercio e dell'Industria (METI) giapponese, Rohm ha ampliato la propria capacità di produzione di wafer SiC a 500.000 unità all'anno nel 2023, supportando l'implementazione su larga scala nei caricabatterie per veicoli elettrici e nelle unità industriali.

Elenco delle principali aziende produttrici di dispositivi Sic e Gan Power

• Infineon (Germany)
• Rohm (Japan)
• Mitsubishi (Japan)
• STMicro (Switzerland)
• Fuji (Japan)
• Toshiba (Japan)
• Microchip Technology (U.S.)
• United Silicon Carbide Inc. (U.S.)
• GeneSic (U.S.)
• Efficient Power Conversion (U.S.)
• GaN Systems (Canada)
• VisIC Technologies LTD (Israel)

COPERTURA DEL RAPPORTO

Questa ricerca delinea un rapporto con studi approfonditi che descrivono le aziende esistenti sul mercato che influenzano il periodo di previsione. Con studi dettagliati eseguiti, offre anche un'analisi completa esaminando fattori come segmentazione, opportunità, sviluppi industriali, tendenze, crescita, dimensioni, quota e restrizioni. Questa analisi è soggetta a modifiche se cambiano gli attori chiave e la probabile analisi delle dinamiche di mercato.