Dimensione del mercato, quota, crescita e analisi del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), per tipologia (prodotti energetici, prodotti discreti, altro), per applicazione (IT e telecomunicazioni, aerospaziale e difesa, industriale, energia e potenza, elettronica, automobilistico, sanità, altro), approfondimenti regionali e previsioni fino al 2035

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PANORAMICA DEL MERCATO DEI SEMICONDUTTORI DI POTENZA AL CARBURO DI SILICIO (SIC).

Si stima che la dimensione globale del mercato dei semiconduttori di potenza del carburo di silicio (SiC) nel 2026 sarà di 0,617 miliardi di dollari, con proiezioni di crescita fino a 1,534 miliardi di dollari entro il 2035 con un CAGR del 10,3%.

Il mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC) si sta espandendo poiché la mobilità elettrica, l'energia rinnovabile, l'automazione industriale, i data center e i sistemi di alimentazione ad alta tensione adottano dispositivi ad ampio gap di banda. Il carburo di silicio offre un campo elettrico critico circa 10 volte superiore a quello del silicio, una conduttività termica quasi 3 volte maggiore e un intervallo di banda di circa 3,26 eV. I MOSFET SiC commerciali normalmente funzionano a 650 V, 1.200 V e 1.700 V, supportando la conversione di potenza compatta. Le applicazioni automobilistiche rappresentano circa il 48% della domanda di mercato, mentre la migrazione dei wafer da 200 mm sta migliorando l'economia della produzione. I dispositivi SiC possono ridurre le perdite dell'inverter di circa il 50% nelle architetture di potenza ottimizzate.

Gli Stati Uniti rappresentano un importante centro per il mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), supportato da veicoli elettrici, infrastrutture di ricarica, generazione rinnovabile, elettronica di difesa e produzione domestica di semiconduttori. Entro il 2024 il Paese contava più di 4,8 milioni di veicoli elettrici plug-in sulle strade, rafforzando la domanda di MOSFET SiC da 650 V e 1.200 V. Circa il 40% degli investimenti americani recentemente annunciati nella produzione di semiconduttori hanno riguardato dispositivi di potenza avanzati, substrati o relative catene di fornitura. Gli inverter di trazione SiC possono migliorare l'efficienza dei veicoli elettrici di circa il 5%, mentre le piattaforme per veicoli a 800 V stanno aumentando la domanda di moduli di potenza ad alta tensione nella produzione automobilistica americana.

RISULTATI CHIAVE

ULTIME TENDENZE

Il mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC) è sempre più caratterizzato da architetture di veicoli elettrici da 800 V, produzione di wafer da 200 mm, innovazione di MOSFET trench, conversione di energia rinnovabile e infrastrutture di data center di intelligenza artificiale. I dispositivi SiC funzionanti a 1.200 V possono ridurre le perdite di commutazione di circa il 50% rispetto ai tradizionali IGBT al silicio in idonei sistemi ad alta frequenza. Gli inverter per la trazione automobilistica rimangono l'applicazione dominante, rappresentando circa il 48% del consumo globale di dispositivi SiC poiché i produttori cercano una maggiore densità di potenza e una maggiore autonomia dei veicoli.

Un'altra importante tendenza del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC) è la transizione da substrati da 150 mm a 200 mm. Un wafer da 200 mm offre circa il 78% di superficie in più rispetto a un wafer da 150 mm, consentendo un numero sostanzialmente maggiore di chip per ciclo di produzione. I produttori stanno inoltre introducendo MOSFET SiC di quarta e quinta generazione con resistenza in conduzione inferiore e prestazioni di cortocircuito migliorate. Gli inverter per energie rinnovabili superiori a 1.500 V utilizzano sempre più componenti SiC per raggiungere efficienze di conversione superiori al 98%. I data center AI stanno emergendo come un'altra fonte di domanda perché i rack di server avanzati possono superare i 100 kW, creando requisiti per un'efficiente conversione di potenza ad alta frequenza.

DINAMICHE DEL MERCATO

Autista

Rapida adozione di veicoli elettrici e architetture di alimentazione a 800 V.

I veicoli elettrici sono il principale motore del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), rappresentando circa il 48% della domanda complessiva di dispositivi. I MOSFET SiC utilizzati negli inverter di trazione possono ridurre le perdite di potenza di circa il 50% rispetto alle soluzioni convenzionali in silicio in condizioni operative ottimizzate. I veicoli dotati di architetture da 800 V supportano una maggiore potenza di ricarica, un peso ridotto del cavo, una migliore gestione termica e una maggiore efficienza della trasmissione. Le vendite globali di auto elettriche hanno superato i 17 milioni di unità nel 2024, creando una domanda significativa di componenti SiC da 650 V e 1.200 V.

Contenimento

Costi elevati del substrato e requisiti di produzione complessi.

Gli elevati costi di produzione rimangono un importante freno per il mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), perché i substrati SiC sono sostanzialmente più costosi da produrre rispetto ai tradizionali wafer di silicio. La crescita dei cristalli di SiC richiede temperature superiori a 2.000°C, forni specializzati, cicli di produzione estesi e un rigoroso controllo dei difetti. Le spese del substrato possono rappresentare circa il 40% del costo totale di produzione del dispositivo SiC, mentre i difetti del materiale possono ridurre la resa utilizzabile dello stampo di circa il 20%. La transizione ai wafer da 200 mm richiede ulteriori spese in conto capitale per le apparecchiature di fabbricazione e la qualificazione del processo.

Espansione delle energie rinnovabili, data center AI e infrastrutture di ricarica rapida

Opportunità

Il mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC) offre opportunità sostanziali che vanno oltre i veicoli elettrici. L'aggiunta di capacità globale di energia rinnovabile ha raggiunto circa 585 GW nel 2024, aumentando la domanda di inverter solari, convertitori eolici, sistemi di accumulo di batterie e apparecchiature di rete altamente efficienti.

I dispositivi SiC possono consentire efficienze dell'inverter superiori al 98% e supportare frequenze di commutazione superiori a 100 kHz. I rack dei data center AI funzionano sempre più con densità di potenza superiori a 100 kW, richiedendo sistemi di conversione compatti con perdite energetiche ridotte.

Ottenere rendimenti elevati, imballaggi affidabili e una fornitura sufficiente di wafer

Sfida

La qualità della produzione rimane una sfida critica nel mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), poiché difetti dei cristalli, curvatura dei wafer, microtubi, dislocazioni del piano basale e stress termico possono influire sull'affidabilità del dispositivo. La durezza del SiC è di circa 9,5 sulla scala di Mohs, il che complica l'affettatura, la molatura, la lucidatura e la preparazione dei wafer.

I dispositivi automobilistici avanzati richiedono una durata operativa superiore a 15 anni e temperature di giunzione che raggiungono i 175°C. I moduli di alimentazione devono inoltre resistere a migliaia di cicli termici senza deterioramento dei fili di collegamento, dei giunti di saldatura o del substrato.

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SEGMENTAZIONE DEL MERCATO DEI SEMICONDUTTORI DI POTENZA DEL CARBURO DI SILICIO (SIC).

Per tipo

• Prodotti energetici: i prodotti energetici rappresentano circa il 52% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), trainato da inverter per trazione di veicoli elettrici, caricabatterie di bordo, inverter solari, convertitori eolici, azionamenti industriali e apparecchiature di accumulo di energia. I moduli di potenza SiC commerciali normalmente funzionano a 1.200 V e 1.700 V, mentre i sistemi specializzati possono superare i 3.300 V. I moduli avanzati raggiungono temperature di giunzione che si avvicinano a 175°C e aumentano significativamente la densità di potenza. Nei veicoli elettrici, i moduli di potenza SiC possono ridurre le perdite dell'inverter di circa il 50% e diminuire i requisiti di raffreddamento di circa il 20%.

• Prodotti discreti: i prodotti discreti rappresentano circa il 39% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), inclusi MOSFET SiC, diodi a barriera Schottky, JFET e altri componenti di commutazione individuali. Le classi di tensione di 650 V, 1.200 V e 1.700 V dominano l'adozione commerciale. I diodi Schottky SiC offrono una carica di recupero inverso praticamente pari a zero, migliorando l'efficienza nella correzione del fattore di potenza e nei circuiti di commutazione. I MOSFET SiC discreti possono funzionare sopra i 100 kHz in convertitori ottimizzati, consentendo componenti magnetici più piccoli e progetti di sistema compatti.

• Altri: altri prodotti a semiconduttori SiC rappresentano circa il 9% della domanda di mercato e comprendono die nudi specializzati, moduli personalizzati, gruppi di potenza ibridi, interruttori ad alta tensione e componenti specifici per l'applicazione. I sistemi aerospaziali richiedono sempre più dispositivi SiC in grado di funzionare a temperature superiori a 200°C, mentre l'elettronica di difesa beneficia di una maggiore tolleranza alle radiazioni e di una conversione di potenza compatta. Applicazioni ferroviarie e di rete specializzate possono utilizzare dispositivi con tensione nominale di 3.300 V. I programmi di ricerca stanno inoltre sviluppando circuiti integrati SiC per ambienti estremi.

Per applicazione

• IT e telecomunicazioni: le applicazioni IT e telecomunicazioni rappresentano circa il 5% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC). Il segmento è supportato da infrastrutture 5G, cloud computing, raddrizzatori per telecomunicazioni, gruppi di continuità e data center AI. I moderni rack di server AI possono superare i 100 kW di densità di potenza, creando forti requisiti per una conversione efficiente. I MOSFET SiC funzionanti a 650 V e 1.200 V possono migliorare l'efficienza dell'alimentatore oltre il 96% e consentire frequenze di commutazione superiori a 100 kHz.

• Aerospaziale e difesa: le applicazioni aerospaziali e di difesa detengono circa il 4% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC). I dispositivi SiC offrono vantaggi nell'elettrificazione degli aeromobili, nei radar, nei satelliti, nei sistemi senza pilota, nelle apparecchiature ad energia diretta e negli alimentatori militari. Il bandgap di 3,26 eV del materiale supporta prestazioni ad alta temperatura, mentre la sua conduttività termica è circa 3 volte maggiore del silicio. Le architetture degli aeromobili più elettrici richiedono sempre più una conversione di potenza superiore a 1 MW.

• Industriale: le applicazioni industriali rappresentano circa il 15% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), supportato da azionamenti di motori, robotica, sistemi di saldatura, automazione industriale, riscaldamento a induzione, trazione ferroviaria e attrezzature pesanti. I motori industriali consumano circa il 45% dell'elettricità globale, rendendo l'efficienza di conversione strategicamente importante. I dispositivi SiC possono ridurre le perdite di commutazione di circa il 50% e consentire frequenze di commutazione superiori a 100 kHz. Negli azionamenti ad alta potenza, i moduli da 1.200 V e 1.700 V offrono design compatti e minori esigenze di raffreddamento.

• Energia ed energia: le applicazioni energetiche ed energetiche rappresentano circa il 12% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC). Impianti solari, sistemi eolici, accumulatori di batterie, reti intelligenti, trasformatori a stato solido e sistemi a corrente continua ad alta tensione utilizzano sempre più dispositivi SiC. L'aggiunta di capacità rinnovabile globale ha raggiunto circa 585 GW nel 2024, aumentando i requisiti per la conversione di energia ad alta efficienza. Gli inverter solari basati su SiC possono raggiungere un'efficienza superiore al 98%, mentre i sistemi a 1.500 V beneficiano di perdite di conduzione e commutazione ridotte.

• Elettronica: le applicazioni elettroniche rappresentano circa il 9% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), coprendo elettrodomestici di consumo, alimentatori premium, sistemi informatici, dispositivi di ricarica e apparecchiature elettroniche ad alte prestazioni. I componenti SiC possono supportare frequenze di commutazione superiori a 100 kHz, consentendo trasformatori, induttori e dissipatori di calore più piccoli. Gli alimentatori di fascia alta possono raggiungere un'efficienza superiore al 96% con architetture avanzate ad ampio gap di banda. Il crescente utilizzo di hardware di intelligenza artificiale, sistemi di gioco, elettrodomestici intelligenti e caricabatterie rapidi compatti supporta la domanda di MOSFET SiC da 650 V.

• Settore automobilistico: le applicazioni automobilistiche dominano il mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC) con una quota di circa il 48%. Gli inverter per la trazione dei veicoli elettrici, i caricabatterie di bordo, i convertitori DC-DC, i compressori e i sistemi di ricarica rapida rappresentano le principali aree di adozione. Le vendite globali di auto elettriche hanno superato i 17 milioni di unità nel 2024, accelerando il consumo di SiC. Un MOSFET SiC da 1.200 V è particolarmente adatto alle piattaforme con batteria da 800 V, dove le perdite di commutazione ridotte migliorano l'efficienza del sistema. I sistemi di trazione SiC possono aumentare l'autonomia di guida di circa il 7%, ridurre le dimensioni dell'inverter di circa il 30% e abbassare i requisiti di raffreddamento di circa il 20%, rafforzando l'adozione tra i principali produttori automobilistici.

• Sanità: le applicazioni sanitarie rappresentano circa il 2% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC). L'imaging medico, le apparecchiature a raggi X, i sistemi MRI, i laser chirurgici, gli strumenti di laboratorio e i dispositivi diagnostici ad alta tensione richiedono una conversione di potenza precisa ed efficiente. I sistemi di imaging avanzati possono funzionare con alimentatori superiori a 100 kW, creando opportunità per moduli SiC ad alta tensione. La capacità di funzionare a temperature di giunzione prossime a 175°C migliora l'affidabilità e riduce i requisiti di raffreddamento. I dispositivi SiC supportano anche progetti di apparecchiature compatte e frequenze di commutazione più elevate.

• Altro: altre applicazioni rappresentano circa il 5% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC) e comprendono trazione ferroviaria, elettrificazione marina, attrezzature minerarie, macchine agricole, sistemi di ricerca e trasporti specializzati. Le locomotive elettriche possono richiedere una potenza di propulsione superiore a 5 MW, rendendo i dispositivi SiC ad alta tensione interessanti per un'efficiente conversione della trazione. Le navi marittime utilizzano sempre più sistemi di batterie superiori a 1 MWh, mentre le attrezzature minerarie stanno passando a trasmissioni elettrificate.

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APPROFONDIMENTI REGIONALI SUL MERCATO DEI SEMICONDUTTORI DI POTENZA DEL CARBURO DI SILICIO (SIC).

• America del Nord

Il Nord America rappresenta circa il 27% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), con gli Stati Uniti che rappresentano la stragrande maggioranza della domanda regionale e della capacità produttiva. La regione beneficia di grandi investimenti nella produzione di substrati, fabbriche di wafer da 200 mm, catene di fornitura di veicoli elettrici, data center AI, installazioni rinnovabili ed elettronica per la difesa.

Gli Stati Uniti avevano più di 4,8 milioni di veicoli elettrici plug-in sulle strade entro il 2024, supportando la domanda di inverter di trazione SiC, caricabatterie di bordo e convertitori DC-DC. Diversi produttori americani di semiconduttori hanno ampliato la capacità del substrato SiC e dei dispositivi, mentre la produzione di 200 mm è diventata una priorità strategica.

• Europa

L'Europa rappresenta circa il 22% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), supportato da una forte ingegneria automobilistica, dalla diffusione delle energie rinnovabili, dall'automazione industriale, dall'elettrificazione ferroviaria e dalla produzione di semiconduttori. Germania, Francia, Italia, Austria e le economie nordiche sono centri significativi della domanda di SiC.

I veicoli elettrici hanno rappresentato una parte sostanziale delle immatricolazioni di nuove auto europee nel 2024, aumentando la domanda di sistemi di trazione da 800 V e MOSFET SiC da 1.200 V. I produttori automobilistici europei utilizzano sempre più moduli di potenza SiC per migliorare l'autonomia del veicolo di circa il 7%, diminuire le dimensioni dell'inverter di circa il 30% e ridurre le perdite di potenza di circa il 50% in condizioni ottimizzate.

• Asia-Pacifico

L'Asia-Pacifico è leader nel mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC) con una quota di circa il 46%, supportato da un'ampia produzione di veicoli elettrici, produzione di semiconduttori, elettronica di consumo, installazioni solari, infrastrutture ferroviarie e automazione industriale. La Cina rappresenta il più grande centro di consumo regionale, mentre il Giappone ha una notevole esperienza nei wafer SiC, nei MOSFET, nei diodi e nei moduli di potenza.

La Corea del Sud e Taiwan contribuiscono attraverso la fabbricazione di semiconduttori e le catene di fornitura dell'elettronica. La Cina ha prodotto più di 12 milioni di veicoli a nuova energia nel 2024, generando una notevole domanda di inverter di trazione, apparecchiature di ricarica, caricabatterie di bordo e convertitori DC-DC ad alta tensione. Il Giappone ospita i principali produttori di SiC che sviluppano prodotti da 650 V, 1.200 V, 1.700 V e 3.300 V.

• Medio Oriente e Africa

Il Medio Oriente e l'Africa rappresentano circa il 5% del mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), con una domanda concentrata in energie rinnovabili, ricarica di veicoli elettrici, apparecchiature industriali, reti intelligenti, data center ed elettrificazione dei trasporti. Gli Emirati Arabi Uniti, l'Arabia Saudita, il Sud Africa e alcune economie nordafricane rappresentano i principali centri di adozione regionali.

I grandi progetti solari che funzionano a 1.500 V creano opportunità per diodi SiC e MOSFET ad alta tensione. Il Medio Oriente sta espandendo i data center IA e le infrastrutture digitali, con rack informatici ad alta densità che superano sempre più i 100 kW. I componenti SiC possono supportare un'efficienza dell'alimentatore superiore al 96%, riducendo i requisiti di raffreddamento in condizioni climatiche calde.

ELENCO DELLE PRINCIPALI AZIENDE DI SEMICONDUTTORI DI POTENZA IN CARBURO DI SILICIO (SIC).

• Infineon
• Mitsubishi Electric
• Fuji Electric
• ON Semiconductor
• STMicroelectronics
• Hitachi Power Semiconductor Device
• Semikron
• Danfoss
• ROHM
• BYD
• Starpower Semiconductor

Elenco delle 2 principali quote di mercato delle aziende

• STMicroelectronics: Approximately 16% market share, supported by vertically integrated SiC substrate development, 200 mm manufacturing initiatives, automotive traction inverter programs, and a broad portfolio of 650 V, 1,200 V, and higher-voltage SiC MOSFET products.
• Infineon: Approximately 12% market share, supported by CoolSiC technology, trench MOSFET development, 200 mm production expansion, automotive qualifications, renewable-energy applications, industrial drives, and power modules serving 650 V, 1,200 V, 1,700 V, and higher-voltage systems.

ANALISI E OPPORTUNITÀ DI INVESTIMENTO

Gli investimenti nel mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC) si concentrano sulla produzione di wafer da 200 mm, sull'espansione dei substrati, sulla qualificazione automobilistica, sugli imballaggi avanzati e sulle catene di fornitura integrate verticalmente. Un wafer da 200 mm fornisce circa il 78% di superficie in più rispetto a un wafer da 150 mm, creando opportunità per aumentare la produzione dello stampo e ridurre i costi di produzione. Oltre il 50% dei principali produttori mondiali di SiC ha annunciato investimenti relativi a wafer di diametro maggiore, nuova capacità di fabbricazione o espansione della crescita dei cristalli.

L'elettrificazione automobilistica rappresenta la più grande opportunità di investimento perché circa il 48% dell'attuale domanda di SiC proviene da applicazioni automobilistiche. Le vendite globali di auto elettriche hanno superato i 17 milioni di unità nel 2024, mentre l'adozione di architetture a 800 V sta aumentando i requisiti per MOSFET e moduli SiC da 1.200 V. L'energia rinnovabile offre ulteriori opportunità, con circa 585 GW di capacità rinnovabile aggiunti a livello globale nel 2024. I data center AI rappresentano un'altra area di investimento emergente poiché i rack di server avanzati superano i 100 kW.

SVILUPPO DI NUOVI PRODOTTI

Lo sviluppo di nuovi prodotti nel mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC) si concentra su una minore resistenza in conduzione, una migliore capacità di resistenza ai cortocircuiti, una maggiore densità di potenza, strutture di trincea avanzate e imballaggi compatti. I produttori stanno lanciando MOSFET SiC di quarta e quinta generazione con tensioni nominali di 650 V, 1.200 V e 1.700 V. Alcuni prodotti specializzati raggiungono 3.300 V per applicazioni ferroviarie, di rete e dell'industria pesante. I progetti avanzati di MOSFET SiC possono ridurre le perdite di conduzione di circa il 30% rispetto alle generazioni di dispositivi precedenti, mentre le strutture di gate migliorate supportano una commutazione più rapida e una maggiore affidabilità.

I moduli di potenza automobilistici sono sempre più progettati per temperature di giunzione prossime ai 175°C. Il raffreddamento su entrambi i lati può ridurre la resistenza termica di circa il 40%, mentre l'attacco dello stampo sinterizzato in argento migliora la durata alle alte temperature. I produttori stanno inoltre sviluppando moduli stampati, pacchetti di raffreddamento del lato superiore, soluzioni integrate a semiponte e prodotti bare-die. La migrazione ai wafer da 200 mm supporta una maggiore efficienza produttiva, mentre il packaging di nuova generazione consente frequenze di commutazione superiori a 100 kHz per veicoli elettrici, inverter rinnovabili, server AI e apparecchiature industriali.

CINQUE SVILUPPI RECENTI (2023-2025)

• Febbraio 2023: Wolfspeed ha annunciato una nuova iniziativa relativa al mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC). La società ha annunciato i piani per un impianto di fabbricazione di wafer in carburo di silicio da 200 mm altamente automatizzato a Saarland, in Germania, insieme a ZF. L'iniziativa mirava all'elettronica di potenza dei veicoli elettrici di prossima generazione, al miglioramento della resilienza dell'offerta regionale di semiconduttori e all'espansione della capacità di produzione di dispositivi di potenza SiC ad alta efficienza energetica utilizzati nelle applicazioni automobilistiche e industriali.
• Gennaio 2024: Infineon e Wolfspeed hanno ampliato una nuova iniziativa relativa al mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC). Le società hanno ampliato ed esteso il loro accordo a lungo termine per la fornitura di wafer in carburo di silicio da 150 mm attraverso un accordo di prenotazione della capacità pluriennale. L'iniziativa mirava a garantire substrati SiC di alta qualità per la crescente produzione di semiconduttori di potenza di Infineon e a soddisfare la crescente domanda di veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile e applicazioni industriali.
• Maggio 2024: STMicroelectronics ha annunciato una nuova iniziativa relativa al mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC). La società ha annunciato un impianto di produzione integrato di carburo di silicio a Catania, in Italia, che copre substrati SiC, epitassia, fabbricazione di wafer front-end e assemblaggio di moduli. La struttura è stata progettata per rafforzare la produzione integrata verticalmente e supportare la crescente domanda di semiconduttori di potenza efficienti per veicoli elettrici, apparecchiature industriali, infrastrutture energetiche e data center.
• Novembre 2024: Infineon ha annunciato una nuova iniziativa relativa al mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC). L'azienda ha avviato una collaborazione strategica con Stellantis che copre l'architettura di potenza avanzata per i veicoli elettrici di prossima generazione, compresi i semiconduttori al carburo di silicio. L'iniziativa prevedeva accordi di fornitura e capacità progettati per migliorare l'efficienza dei veicoli, rafforzare la disponibilità dei semiconduttori e accelerare l'adozione di elettronica di potenza avanzata nelle future piattaforme automobilistiche elettrificate e definite dal software.
• Febbraio 2025: onsemi ha introdotto una nuova iniziativa relativa al mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC). L'azienda ha ampliato il proprio portafoglio di tecnologie al carburo di silicio con soluzioni energetiche di prossima generazione destinate a veicoli elettrici, energie rinnovabili, infrastrutture industriali e conversione di energia ad alta efficienza. Lo sviluppo ha rafforzato lo slancio del settore verso minori perdite di commutazione, maggiore densità di potenza, migliori prestazioni termiche e una più ampia adozione della tecnologia SiC nelle impegnative applicazioni ad alta tensione.

COPERTURA DEL RAPPORTO DI MERCATO DEL CARBURO DI SILICIO (SIC) SEMICONDUTTORI DI POTENZA

Il rapporto sul mercato dei semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC) copre la struttura del mercato, lo sviluppo tecnologico, la segmentazione dei prodotti, le applicazioni, le prestazioni regionali, il posizionamento competitivo, gli investimenti, l'innovazione dei prodotti e gli sviluppi dei produttori. Il rapporto valuta 3 principali categorie di prodotti: prodotti di potenza, prodotti discreti e altri componenti SiC specializzati. Valuta inoltre 8 principali aree applicative, tra cui IT e telecomunicazioni, aerospaziale e difesa, industriale, energia ed energia, elettronica, automobilistica, sanità e altre applicazioni specializzate.

L'analisi regionale copre 4 aree geografiche principali, con l'Asia-Pacifico che detiene una quota di mercato di circa il 46%, il Nord America circa il 27%, l'Europa circa il 22% e il Medio Oriente e l'Africa circa il 5%. Le applicazioni automobilistiche rappresentano circa il 48% della domanda globale, rendendo la mobilità elettrica il più grande segmento di utilizzo finale. Il rapporto esamina anche le classi di dispositivi da 650 V, 1.200 V, 1.700 V e 3.300 V, insieme alla transizione dai wafer da 150 mm a 200 mm. La copertura competitiva comprende 11 principali produttori e valuta 5 recenti sviluppi avvenuti tra il 2023 e febbraio 2025.