Nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC) Tamanho do mercado de semicondutores de energia, participação, crescimento e análise da indústria, por tipo (semicondutor de potência de carboneto de silício, semicondutor de potência de nitreto de gálio), por aplicação (eletrônicos de consumo, nova conexão de rede de energia, ferroviário, motor industrial, fonte de alimentação de ups, novos veículos de energia, outros) e previsão regional para 2034

Última atualização:29 December 2025
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VISÃO GERAL DO MERCADO DE SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA DE NITRETO DE GÁLIO (GAN) E CARBONETO DE SILÍCIO (SIC)

O mercado global de semicondutores de potência de nitreto de gálio (gan) e carboneto de silício (sic) está avaliado em cerca de US$ 3,45 bilhões em 2026 e deve atingir US$ 47,75 bilhões até 2035. Ele cresce a uma taxa composta de crescimento anual (CAGR) de cerca de 33,91% de 2026 a 2035.

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O tamanho do mercado de semicondutores de potência de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC) dos Estados Unidos é projetado em US$ 0,79433 bilhões em 2025, o tamanho do mercado de semicondutores de potência de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC) da Europa é projetado em US$ 0,61667 bilhões em 2025, e o nitreto de gálio (GaN) da China e O tamanho do mercado de semicondutores de potência de carboneto de silício (SiC) é projetado em US$ 0,83527 bilhões em 2025.

Semicondutores compostos de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC) são considerados altamente eficientes, pois o carboneto de silício e o nitreto de gálio são considerados os melhores e mais avançados materiais para a produção de semicondutores de potência. Estas substâncias apresentam diversas vantagens sobre os materiais semicondutores normais.

Esses semicondutores têm diversas aplicações e são utilizados em diversos setores, como eletrônicos de consumo, ferrovias, fontes de alimentação de ups e novas conexões à rede de energia. Esta é considerada a última tendência do mercado.

Semicondutores de potência são usados ​​na eletrônica moderna. O carboneto de silício e o nitreto de gálio são considerados muito adequados para a fabricação de semicondutores. Estes são considerados os fatores que impulsionam o crescimento do mercado de semicondutores de potência de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC).

PRINCIPAIS CONCLUSÕES

  • Tamanho e crescimento do mercado: Avaliado em US$ 2,575 bilhões em 2025, deverá atingir US$ 35,66 bilhões até 2034, crescendo a um CAGR de 33,91%. 
  • Principais impulsionadores do mercado:Os veículos eléctricos estão a impulsionar a procura – espera-se que cerca de 70% da procura de SiC venha de aplicações EV, impulsionando a expansão do mercado a nível mundial.
  • Grande restrição de mercado: A procura na era pandémica caiu quase 4-8% e o rendimento do SiC necessita de melhorias para exceder >80% do rendimento de produção, restringindo a oferta. 
  • Tendências emergentes:O segmento de energia de GaN representou cerca de 55,2% de participação nas aplicações de dispositivos GaN em 2024, destacando a crescente adoção focada em energia em todos os setores em todo o mundo. 
  • Liderança Regional:A América do Norte detinha cerca de 34,3% de participação em dispositivos GaN (2024), enquanto o Leste Asiático respondia por cerca de 22,4% do mercado. 
  • Cenário Competitivo: O carboneto de silício representa cerca de 58% do mix de semicondutores de potência SiC/GaN, com o GaN detendo aproximadamente 42% entre os concorrentes. 
  • Segmentação de Mercado:Por tipo, Carboneto de Silício ≈ 58% e Nitreto de Gálio ≈ 42% da segmentação de semicondutores de potência (dados de 2024). 
  • Desenvolvimento recente:Os inversores SiC representavam 28% dos inversores BEV em 2023, com previsões projetando uma penetração de> 50% até 2027. 

IMPACTO DA COVID-19

Declínio no valor da indústria de semicondutores reduziu o crescimento do mercado

A pandemia de COVID-19 criou uma situação desastrosa para todos os mercados do mundo. A procura pelos produtos diminuiu completamente e houve uma mudança drástica na preferência dos consumidores. Isso afetou negativamente o mercado.

O mercado de semicondutores foi uma das principais vítimas de bloqueios, proibições de viagens e normas de distanciamento social. Após o surto do coronavírus, a demanda por semicondutores para PC foi reduzida em quase quatro a oito por cento. O setor de semicondutores enfrentou diversas dificuldades porque a maioria das empresas atrasou a atualização do hardware planejado, e também vários projetos de migração de longo prazo. Todos esses fatores derrubaram a participação de mercado do setor de semicondutores e afetaram negativamente a participação de mercado de Nitreto de Gálio (GaN) e Carboneto de Silício (SiC) Power Semiconductors durante a pandemia.

ÚLTIMAS TENDÊNCIAS

Uso de transistores e diodos SiC e GaN em veículos elétricos para aumentar o crescimento do mercado

Os semicondutores de potência de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC) têm muitos benefícios e recursos superiores. Transistores e eletrodos compostos de nitreto de gálio e carboneto de silício são utilizados na fabricação de veículos elétricos. Os veículos elétricos tornaram-se a tendência recente do mercado.

Os veículos que funcionam com diesel, gasolina e outras fontes de energia não renováveis ​​estão agora a ficar obsoletos. A consciência ambiental entre as pessoas e as iniciativas tomadas pelas autoridades governamentais para reduzir as emissões nocivas e a poluição estão a aumentar a procura de veículos eléctricos. A crescente aplicação de condutores de energia SiC e GaN na fabricação de veículos elétricos em todo o mundo está criando oportunidades lucrativas de crescimento no mercado. Esta é considerada a última tendência do mercado.

  • de acordo com o Departamento de Energia dos EUA - a capacidade do wafer SiC da Wolfspeed é estimada em 75.000–100.000 unidades/ano, II-VI cerca de 70.000 unidades/ano e SiCrystal cerca de 60.000 unidades/ano, apontando para capacidade concentrada de wafer e grandes e recentes expansões de capacidade.

 

  • A Wolfspeed anunciou planos que aumentam a capacidade de materiais de SiC em mais de 10x e várias empresas estão construindo linhas SiC/GaN de 200 mm (8 polegadas) ou anunciando investimentos de 200 mm para apoiar a produção de dispositivos de energia em alto volume.

 

 

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SEGMENTAÇÃO DE MERCADO DE SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA DE NITRETO DE GÁLIO (GAN) E CARBONETO DE SILÍCIO (SIC)

Por tipo

O mercado pode ser dividido com base no tipo nos seguintes segmentos:

Semicondutor de potência de carboneto de silício e semicondutor de potência de nitreto de gálio. Prevê-se que o segmento de semicondutores de potência de carboneto de silício domine o mercado durante o período de previsão.

Por aplicativo

Classificação baseada na aplicação no seguinte segmento:

Eletrônica de consumo, nova conexão à rede de energia, ferrovia, motor industrial, fonte de alimentação de ups, novos veículos de energia e outros. Prevê-se que o segmento de eletrônicos de consumo domine o mercado durante o período de pesquisa.

FATORES DE CONDUÇÃO

Integração de semicondutores de potência de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC) em eletrônica moderna para impulsionar o crescimento do mercado

Os semicondutores de potência de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC) constituem uma grande parte do setor eletrônico moderno. A globalização e a rápida urbanização aumentaram o uso de dispositivos eletrônicos como computadores, laptops, PCs e smartphones entre as pessoas. Os semicondutores são parte integrante da fabricação da maioria desses dispositivos eletrônicos. Isso impulsionou o crescimento e o desenvolvimento do mercado.

Muitos novos desenvolvimentos estão sendo testemunhados no mercado recentemente. Os semicondutores de SiC estão agora sendo transformados em camadas mais finas e sua concentração de impurezas é aumentada. Isto aumentou a intensidade do campo elétrico de ruptura que é usado para configurar dispositivos de energia que operam em tensões muito altas. Todos esses fatores estão impulsionando a participação de mercado.

  • programas e subsídios de semicondutores apoiados pelo governo apoiaram projetos de instalações multibilionárias - por exemplo, um acordo noticiado referia-se a uma doação preliminar de US$ 225 milhões dos EUA vinculada a um investimento de produção de SiC de US$ 1,9 bilhão para a Bosch (isto ilustra a escala de subsídios públicos mobilizados para garantir a capacidade de SiC).

 

  • as empresas estão investindo em locais integrados de produção de SiC (substrato → epi → dispositivo). O anúncio da STMicroelectronics de um campus Catania SiC totalmente integrado e acordos de fornecimento relacionados (e compromissos para aumentar o fornecimento interno de substrato para ~40%) são exemplos concretos.

Vários benefícios fornecidos pelos condutores de energia para impulsionar o crescimento do mercado

Potência de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC) Os semicondutores têm vantagem em comparação com outros condutores porque o nitreto de gálio e o carboneto de silício são considerados os materiais mais adequados para condutores. Eles também proporcionam diversos benefícios, que impulsionarão ainda mais o crescimento do mercado.

Esses condutores de potência têm operação em tensão mais alta, maiores frequências de comutação, maior intervalo de banda e ampla faixa de temperaturas. O nitreto de gálio presente nestes condutores contribuirá na redução do custo da energia consumida. Este composto é altamente eficiente. O calor gasto será muito menor, diminuindo, por sua vez, o custo incorrido. O carboneto de silício permite que o condutor opere em densidades de potência mais altas. Todos esses fatores estão aumentando a participação no mercado de semicondutores de potência de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC).

FATORES DE RESTRIÇÃO

Características desfavoráveis ​​do carboneto de silício e do nitreto de gálio para diminuir o crescimento do mercado

O nitreto de gálio e o carboneto de silício possuem certas características que não são adequadas para a fabricação de semicondutores. O silício tem um intervalo de banda menor, por isso não pode ser usado para aplicações de maior potência. O silício também não é muito eficiente no suporte a projetos de alta tensão.

O gálio tem baixa condutividade térmica em comparação com outras substâncias. Usar gálio é caro. Manter a relação custo-benefício pode se tornar um grande desafio ao usar o gálio. Controlar defeitos durante a fabricação pode ser outra dificuldade. Todos esses fatores podem derrubar o crescimento do mercado.

  • De acordo com o Departamento de Energia dos EUA – a China produz mais de 90% do gálio mundial, e o gálio está nas listas de materiais críticos, o que significa que a escala de GaN para GaN a granel de alta tensão aumentaria os riscos de fornecimento de materiais.

 

  • Vários fornecedores ajustaram publicamente as metas devido à menor procura de VE; por exemplo, um fornecedor atrasou publicamente as metas em 2 anos, citando tendências mais suaves de demanda de SiC – demonstrando como as oscilações do mercado final retardam o tempo de rampa de lançamento da fábrica.

 

NITRETO DE GÁLIO (GAN) E CARBONETO DE SILÍCIO (SIC) PERSPECTIVAS REGIONAIS DO MERCADO DE SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA

América do Norte dominará participação de mercado nos próximos anos

A América do Norte é uma região que testemunhou muitos desenvolvimentos na participação de mercado de semicondutores. Prevê-se que esta região domine o mercado durante todo o período de previsão. Muitos motivos contribuíram para o crescimento do mercado nesta região que incluem maiores investimentos em pesquisas sobre o uso de nitreto de gálio e carboneto de silício na fabricação de semicondutores.

Além disso, a crescente demanda por veículos elétricos entre as pessoas desta região está aumentando o escopo do mercado. A tecnologia da informação é um setor em desenvolvimento na América do Norte. Isso aumentou o uso de dispositivos eletrônicos. Os semicondutores são parte integrante do mercado de veículos elétricos e de dispositivos eletrônicos.

PRINCIPAIS ATORES DA INDÚSTRIA

Os principais players adotam estratégias de aquisição para se manterem competitivos

Vários players do mercado estão utilizando estratégias de aquisição para construir seu portfólio de negócios e fortalecer sua posição no mercado. Além disso, parcerias e colaborações estão entre as estratégias comuns adotadas pelas empresas. Os principais players do mercado estão fazendo investimentos em P&D para trazer tecnologias e soluções avançadas ao mercado.

  • CREE (Wolfspeed) — A Wolfspeed anunciou expansão da capacidade de materiais de >10× e impulsionou investimentos em wafer/epi de SiC, incluindo planos para capacidade de 200 mm; o DOE dos EUA identifica a Wolfspeed com uma capacidade de substrato estimada de 75.000 a 100.000 unidades/ano.

 

  • STMicroelectronics — construindo um campus Catania SiC integrado para cobrir recursos de substrato → epi → dispositivo → módulo (publicamente descrito como uma capacidade de SiC totalmente integrada para atender clientes automotivos/industriais) e anunciou planos para aumentar o fornecimento interno de substrato para cerca de 40%.

Lista das principais empresas de semicondutores de potência de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC)

  • CREE (Wolfspeed)
  • ON Semiconductor
  • Roma Semiconductor Group
  • Mitsubishi Electric
  • Tyco Tianrun Semiconductor Technology (Beijing) Co Ltd
  • Fuji Electric
  • STMicroelectronics
  • Littelfuse
  • Shenzhen Basic Semiconductor Co Ltd

COBERTURA DO RELATÓRIO

O relatório fornece uma visão do setor tanto do lado da demanda quanto do lado da oferta. Além disso, também fornece informações sobre o impacto do COVID-19 no mercado, os fatores impulsionadores e restritivos, juntamente com os insights regionais. As forças dinâmicas do mercado durante o período de previsão também foram discutidas para uma melhor compreensão das situações do mercado. Os principais players industriais junto com a região que domina o mercado também foram dados para os leitores conhecerem.

Mercado de semicondutores de potência de nitreto de gálio (GaN) e carboneto de silício (SiC) Escopo e segmentação do relatório

Atributos Detalhes

Valor do Tamanho do Mercado em

US$ 3.45 Billion em 2026

Valor do Tamanho do Mercado por

US$ 47.75 Billion por 2035

Taxa de Crescimento

CAGR de 33.91% de 2026 to 2035

Período de Previsão

2026 - 2035

Ano Base

2025

Dados Históricos Disponíveis

Sim

Escopo Regional

Global

Segmentos cobertos

Por tipo

  • Semicondutor de potência de carboneto de silício
  • Semicondutor de potência de nitreto de gálio

Por aplicativo

  • Eletrônicos de consumo
  • Nova conexão à rede energética
  • Trilho
  • Motor Industrial
  • Fonte de alimentação de ups
  • Veículos de Nova Energia
  • Outro

Perguntas Frequentes