Tamanho do mercado de dispositivos de energia SiC e GaN, participação, crescimento e análise da indústria, por tipo (GaN, SiC) por aplicação (eletrônicos de consumo, automotivo e transporte, uso industrial, outros), insights regionais e previsão de 2026 a 2035

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VISÃO GERAL DO MERCADO DE DISPOSITIVOS DE ENERGIA SIC E GAN

O tamanho global do mercado de dispositivos de energia sic e gan está previsto em US$ 4,36 bilhões em 2026, devendo atingir US$ 54,74 bilhões até 2035, com um CAGR de 32,5% durante a previsão de 2026 a 2035.

O Carbeto de Silício (SiC) e o Nitreto de Gálio (GaN) são dois materiais semicondutores de banda larga que revolucionaram a indústria de eletrônica de potência com suas características de desempenho superiores. Os dispositivos de energia SiC e GaN oferecem diversas vantagens em relação aos dispositivos tradicionais baseados em silício, incluindo maior eficiência, velocidades de comutação mais rápidas e temperaturas operacionais mais altas. O Carbeto de Silício (SiC) e o Nitreto de Gálio (GaN) são dois materiais semicondutores de banda larga que revolucionaram a indústria de eletrônica de potência com suas características de desempenho superiores. Os dispositivos de energia SiC e GaN oferecem diversas vantagens em relação aos dispositivos tradicionais baseados em silício, incluindo maior eficiência, velocidades de comutação mais rápidas e temperaturas operacionais mais altas.

O mercado de dispositivos de energia SiC (carboneto de silício) e GaN (nitreto de gálio) está experimentando um crescimento significativo e está preparado para uma maior expansão nos próximos anos. Esses dispositivos de energia oferecem maior eficiência, velocidades de comutação mais rápidas e melhor condutividade térmica em comparação com dispositivos de energia tradicionais baseados em silício. O mercado está testemunhando uma adoção crescente em vários setores, incluindo os setores automotivo, de eletrônicos de consumo, de telecomunicações e industrial.

PRINCIPAIS CONCLUSÕES

IMPACTO DA COVID-19

Pandemia reduz atividades de fabricação impedindo o crescimento do mercado

A pandemia Covid-19 teve impactos positivos e negativos no mercado de dispositivos de energia SiC e GaN. Inicialmente, o mercado registou um declínio na procura devido a perturbações na cadeia de abastecimento global e à redução das atividades de produção. No entanto, à medida que o mundo recuperava gradualmente da pandemia, a procura de dispositivos de energia recuperou, impulsionada pelo foco crescente nas energias renováveis, nos veículos eléctricos e em soluções energeticamente eficientes. A necessidade de dispositivos de energia fiáveis ​​e eficientes em sectores críticos como os cuidados de saúde e as telecomunicações também contribuiu para a recuperação do mercado.

ÚLTIMAS TENDÊNCIAS

Aumentar a adoção desses dispositivos em veículos elétricos (EVs) para impulsionar o desenvolvimento do mercado

A indústria automóvel está a transitar para a mobilidade eléctrica, impulsionada por regulamentações ambientais e pela necessidade de soluções de transporte sustentáveis. Os dispositivos de energia SiC e GaN oferecem maior eficiência e densidade de energia, permitindo autonomias de condução mais longas e tempos de carregamento mais rápidos para VEs. Espera-se que esta tendência impulsione a demanda por dispositivos de energia SiC e GaN no setor automotivo.

• De acordo com o Departamento de Energia dos EUA, mais de 1,2 milhão de veículos elétricos vendidos nos EUA em 2023 usaram dispositivos de energia SiC e GaN para sistemas de carregamento e inversores a bordo, marcando um aumento acentuado de 580.000 unidades em 2021.

• Com base em avaliações técnicas da Agência Internacional de Energia (AIE), os transistores baseados em GaN foram implantados em mais de 60% das estações base 5G instaladas globalmente em 2023, demonstrando um movimento em direção a maior eficiência e eletrônica de potência miniaturizada.

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SEGMENTAÇÃO DE MERCADO DE DISPOSITIVOS DE ENERGIA SIC E GAN

Por tipo

De acordo com o tipo, o mercado pode ser segmentado em GaN, SiC. GaN sendo o segmento líder de mercado por tipo de análise.

Por aplicativo

Com base na aplicação, o mercado pode ser dividido emEletrônicos de consumo, Automotivo e Transporte, Uso Industrial, Outros. Consumer Electronics sendo o segmento líder do mercado por análise de aplicação.

FATORES DE CONDUÇÃO

Aumento da demanda por eletrônica de potência em sistemas de energia renovável para impulsionar o crescimento do mercado

A mudança para fontes de energia renováveis, como a solar e a eólica, criou uma procura significativa por sistemas eficientes de conversão e armazenamento de energia. Os dispositivos de energia SiC e GaN permitem maior eficiência e densidade de energia nesses sistemas, levando a uma melhor conversão de energia e redução de perdas de energia. A crescente adoção de dispositivos de energia SiC e GaN em aplicações de energia renovável é impulsionada pela necessidade de energia limpa e sustentável.geração de energia.

Avanços em eletrônicos de consumo e telecomunicações para impulsionar o desenvolvimento do mercado

A indústria de eletrônicos de consumo está testemunhando rápidos avanços tecnológicos, como conectividade 5G, Internet das Coisas (IoT) e monitores de alta definição. Esses avanços exigem dispositivos de energia que possam lidar com densidades de energia mais altas, velocidades de comutação mais rápidas e gerenciamento térmico aprimorado. Os dispositivos de energia SiC e GaN oferecem vantagens significativas em termos de eficiência, tamanho e desempenho, tornando-os ideais para aplicações de eletrônicos de consumo e telecomunicações. A crescente procura de smartphones, computadores portáteis e outros produtos eletrónicos de consumo, juntamente com a expansão das redes 5G, está a impulsionar o crescimento dos dispositivos de energia SiC e GaN neste setor.

• De acordo com a Diretiva Energia Limpa da Comissão Europeia, o financiamento público apoiou mais de 145 projetos envolvendo módulos de energia baseados em SiC/GaN para energia renovável e infraestrutura de rede inteligente entre 2021 e 2023, acelerando a penetração no mercado.

• De acordo com dados da Associação Japonesa das Indústrias Eletrônicas e de Tecnologia da Informação (JEITA), os módulos de potência baseados em SiC apresentam perdas de comutação 75% mais baixas e podem operar em temperaturas superiores a 200°C, melhorando significativamente a economia de energia em aplicações industriais.

FATORES DE RESTRIÇÃO

Custo mais elevado em comparação com dispositivos tradicionais baseados em silício para dificultar o crescimento do mercado

Os processos de fabricação de dispositivos de energia SiC e GaN envolvem técnicas complexas e caras, resultando em custos de produção mais elevados. Como resultado, o investimento inicial necessário para a adoção de dispositivos de energia SiC e GaN pode ser um impedimento para alguns utilizadores finais. No entanto, à medida que a tecnologia amadurece e são alcançadas economias de escala, espera-se que o custo diminua, tornando os dispositivos de energia SiC e GaN mais acessíveis.

• Conforme indicado pelo Laboratório Nacional de Energia Renovável dos EUA (NREL), o custo de produção de wafers de SiC é quase 5 vezes maior do que os wafers de silício padrão, com um wafer de SiC de 150 mm custando aproximadamente US$ 1.200, dificultando a adoção em setores sensíveis ao custo.

• De acordo com a Semiconductor Industry Association (SIA), em 2023, havia menos de 30 fundições globais capazes de fabricar dispositivos GaN-on-SiC em escala, o que leva a longos prazos de entrega e gargalos de produção.

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INSIGHTS REGIONAIS DO MERCADO DE DISPOSITIVOS DE ENERGIA SIC E GAN

Presença de atores-chave na América do Norte para reforçar o desenvolvimento do mercado

A América do Norte detém uma participação significativa no mercado de dispositivos de energia SiC e GaN. A presença de atores-chave na região, incluindo fabricantes de semicondutores, fabricantes de dispositivos de energia eintegradores de sistemas, contribui para o crescimento do mercado. Esses participantes estão ativamente envolvidos em atividades de pesquisa e desenvolvimento para melhorar o desempenho e a eficiência dos dispositivos de energia SiC e GaN. Os avanços tecnológicos em eletrônica de potência, como materiais de banda larga e técnicas avançadas de embalagem, alimentaram ainda mais o crescimento do mercado na América do Norte. Os crescentes investimentos em energias renováveis ​​e infra-estruturas de veículos eléctricos na América do Norte também estão a impulsionar a procura de dispositivos de energia SiC e GaN. A região está a testemunhar uma ênfase crescente em soluções energéticas limpas e sustentáveis, levando à integração de dispositivos de energia SiC e GaN em sistemas de energia renovável. A alta eficiência e densidade de potência desses dispositivos os tornam adequados para aplicações como inversores solares, conversores de energia eólica e sistemas de armazenamento de energia.

Espera-se que a região Ásia-Pacífico testemunhe um rápido crescimento no mercado de dispositivos de energia SiC e GaN. A região é conhecida pela sua forte presença na indústria de semicondutores, com grandes centros de produção em países como China, Japão, Coreia do Sul e Taiwan. Esses países estabeleceram fábricas de semicondutores e possuem uma cadeia de fornecimento robusta que apoia a produção de dispositivos de energia SiC e GaN. A Ásia-Pacífico abriga um grande mercado de eletrônicos de consumo, impulsionando a demanda por dispositivos de energia SiC e GaN. A região é conhecida por seus produtos eletrônicos de consumo avançados, incluindo smartphones, laptops e dispositivos domésticos inteligentes. Os dispositivos de energia SiC e GaN oferecem maior eficiência energética e velocidades de comutação mais rápidas, permitindo melhor desempenho e eficiência energética nesses dispositivos. A crescente demanda por conectividade de dados de alta velocidade, dispositivos IoT e monitores de alta definição está impulsionando ainda mais a adoção de dispositivos de energia SiC e GaN em produtos eletrônicos de consumo.

PRINCIPAIS ATORES DA INDÚSTRIA

Principais participantes concentram-se em parcerias para obter vantagem competitiva

Intervenientes proeminentes do mercado estão a fazer esforços colaborativos através de parcerias com outras empresas para se manterem à frente da concorrência. Muitas empresas também estão investindo no lançamento de novos produtos para expandir seu portfólio de produtos. Fusões e aquisições também estão entre as principais estratégias utilizadas pelos players para expandir seus portfólios de produtos.

• Infineon Technologies: Conforme relatado ao Ministério Federal Alemão de Assuntos Econômicos e Ação Climática, a Infineon enviou mais de 120 milhões de dispositivos de energia baseados em SiC em 2023, com mais de 50% fornecidos para fabricantes automotivos e de sistemas de armazenamento de energia.

• Rohm Semiconductor: De acordo com as certificações concedidas pelo Ministério da Economia, Comércio e Indústria do Japão (METI), a Rohm expandiu sua capacidade de produção de wafer de SiC para 500.000 unidades por ano em 2023, apoiando a implantação em larga escala em carregadores de veículos elétricos e unidades industriais.

Lista das principais empresas de dispositivos de energia Sic e Gan

• Infineon (Germany)
• Rohm (Japan)
• Mitsubishi (Japan)
• STMicro (Switzerland)
• Fuji (Japan)
• Toshiba (Japan)
• Microchip Technology (U.S.)
• United Silicon Carbide Inc. (U.S.)
• GeneSic (U.S.)
• Efficient Power Conversion (U.S.)
• GaN Systems (Canada)
• VisIC Technologies LTD (Israel)

COBERTURA DO RELATÓRIO

Esta pesquisa traça um relatório com extensos estudos que levam em consideração as empresas existentes no mercado que afetam o período de previsão. Com estudos detalhados realizados, também oferece uma análise abrangente inspecionando fatores como segmentação, oportunidades, desenvolvimentos industriais, tendências, crescimento, tamanho, participação e restrições. Esta análise está sujeita a alterações caso os principais players e a provável análise da dinâmica do mercado mudem.