Marktgröße, Anteil, Wachstum und Branchenanalyse für Halbleiter-Ätzgeräte, nach Typ (Trockenätzgeräte, Nassätzgeräte), nach Anwendung (Logik und Speicher, MEMS, Leistungsgeräte, andere), regionale Einblicke und Prognose bis 2035

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ÜBERBLICK ÜBER DEN HALBLEITER-ÄTZGERÄTEMARKT

Die globale Marktgröße für Halbleiterätzgeräte wird im Jahr 2026 auf 13,44 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2035 25,16 Milliarden US-Dollar erreichen, was einem jährlichen Wachstum von 7,22 % von 2026 bis 2035 entspricht.

Der Markt für Halbleiterätzgeräte ist von zentraler Bedeutung für die fortschrittliche Waferherstellung und ermöglicht die selektive Materialentfernung für Transistoren, Verbindungen, Speicherstrukturen, MEMS und Leistungshalbleiter. Trockenätzgeräte machen etwa 88 % des Markteinsatzes aus, da die plasmabasierte Verarbeitung anisotrope Profile und Geometrien unter 10 nm unterstützt. Der asiatisch-pazifische Raum hält etwa 66,5 % des globalen Marktes für Halbleiter-Ätzgeräte, unterstützt durch große Fertigungskapazitäten in Taiwan, Südkorea, China und Japan. Fortschrittliche 3D-NAND-Geräte umfassen mittlerweile mehr als 300 Schichten, was die Komplexität der Ätzung mit hohem Seitenverhältnis erhöht. Das Ätzen atomarer Schichten ermöglicht einen Materialabtrag im Angström-Bereich, während fortschrittliche Logikarchitekturen bei 3 nm und 2 nm immer präzisere selektive Ätzprozesse erfordern.

Der US-amerikanische Markt für Halbleiterätzgeräte profitiert von der Ausweitung der inländischen Halbleiterfertigung, fortschrittlicher Logikforschung, der Produktion von KI-Beschleunigern und bundesstaatlichen Produktionsanreizen. Auf die Vereinigten Staaten entfielen im Jahr 2024 etwa 10 % der weltweiten Halbleiterproduktionskapazität, während politische Initiativen darauf abzielen, die inländische Produktion bis 2030 zu stärken. Moderne Fabriken in Arizona, Texas, New York, Ohio und Oregon erhöhen die Anforderungen an Leiterätzung, dielektrische Ätzung, Atomlagenätzung und Plasmasysteme mit hohem Aspektverhältnis. Inländische Zulieferer verfügen über mehr als 50 % des weltweiten Segments der Trockenätzausrüstung, unterstützt durch führendes Fachwissen in den Bereichen Plasmakontrolle, Geräteintelligenz, Kammerproduktivität und Prozessintegration im Nanomaßstab.

WICHTIGSTE ERKENNTNISSE

NEUESTE TRENDS

Der Markt für Halbleiterätzgeräte wird zunehmend von Gate-Allround-Transistoren, Backside-Power-Delivery, Speicher mit hoher Bandbreite, 3D-NAND-Skalierung, Chiplets und der Herstellung von Verbindungshalbleitern geprägt. Die Herstellung von Logik bei 3 nm und 2 nm erfordert ein hochselektives Ätzen von Silizium, Siliziumgermanium, dielektrischen Filmen, Metallen und neuen Materialien. Gate-Allround-Strukturen nutzen Nanoblattkanäle, die eine Selektivität im Nanometerbereich erfordern, während fortschrittliche 3D-NAND-Architekturen mit mehr als 300 Schichten tiefere Kanallöcher mit extremen Seitenverhältnissen erfordern.

Das Ätzen von Atomschichten wird immer wichtiger, da es durch aufeinanderfolgende, selbstlimitierende Reaktionen Material mit einer Präzision im Angström-Bereich entfernen kann. Experimentelle Halbleiterprozesse haben Ätzraten von bis zu 0,095 Angström pro Zyklus bei 350 °C gezeigt, was die Eignung der Technologie für hochempfindliche III-V-Strukturen unterstreicht. KI-gestützte Prozesssteuerung ist ein weiterer wichtiger Trend auf dem Markt für Halbleiterätzgeräte. Dabei werden Kammersensordaten, maschinelles Lernen, virtuelle Messtechnik und vorausschauende Wartung genutzt, um die Wiederholbarkeit zu verbessern.

MARKTDYNAMIK

Treiber

Zunehmende Komplexität fortschrittlicher Logik- und 3D-Speicherarchitekturen.

Der Haupttreiber des Marktwachstums für Halbleiter-Ätzgeräte ist die zunehmende Anzahl und Komplexität der Ätzschritte, die für fortschrittliche Halbleiterbauelemente erforderlich sind. Führende Logikhersteller streben eine 2-nm-Produktion an, bei der Gate-Rundum-Nanoblatttransistoren eine präzise Entfernung der Silizium-Germanium-Opferschichten erfordern, ohne benachbarte Siliziumkanäle zu beschädigen. Bei der Speicherherstellung erfordern 3D-NAND-Geräte mit mehr als 300 Schichten außergewöhnlich tiefe und schmale Kanalstrukturen, was die Abhängigkeit von Plasmaätzen mit hohem Aspektverhältnis erhöht.

Zurückhaltung

Hohe Anlagenkomplexität, Qualifikationsanforderungen und Betriebskosten.

Fortschrittliche Ätzgeräte erfordern hochentwickelte Vakuumkammern, Hochfrequenz-Stromversorgungssysteme, Plasmageneratoren, elektrostatische Haltevorrichtungen, Temperaturkontrollkomponenten, Gaszufuhrsysteme, Endpunkterkennung und umfassende Softwareintegration. Eine einzelne fortschrittliche Plattform zum Ätzen von Atomschichten kann bei Spezialanwendungen etwa das Dreifache der Gerätekosten eines herkömmlichen Trockenätzers erzielen. Die Qualifizierung kann bis zur Produktionsfreigabe Tausende von Waferläufen erfordern, während Kammerkontamination, Partikelerzeugung, Plasmainstabilität und Komponentenverschlechterung die Ausbeute beeinträchtigen können.

Ausbau von KI-Chips, fortschrittlichen Verpackungen, Verbindungshalbleitern und heimischen Fabriken

Gelegenheit

Der Markt für Halbleiterätzgeräte bietet erhebliche Chancen in den Bereichen KI-Beschleuniger, Speicher mit hoher Bandbreite, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, MEMS, fortschrittliche Verpackung und regionale Erweiterung der Halbleiterkapazität. KI-Prozessoren erfordern zunehmend hochentwickelte Logikknoten und fortschrittliche Verpackungsarchitekturen mit mehreren Chips, wodurch zusätzliche Ätzanforderungen für Verbindungen, Durchkontaktierungen, Umverteilungsschichten und die Integration auf Waferebene entstehen.

Die Produktion von Siliziumkarbid-Wafern geht in Richtung 200-mm-Produktion, während bei der Mainstream-Logik- und Speicherfertigung überwiegend 300-mm-Substrate zum Einsatz kommen.

Erreichen von Präzision im atomaren Maßstab bei gleichzeitiger Kontrolle von Defekten und Umweltauswirkungen

Herausforderung

Halbleiterstrukturen mit Abmessungen von fast 2 nm stellen erhebliche Herausforderungen bei der Prozesssteuerung dar, da in einzelnen Atomschichten gemessene Abweichungen die Transistorleistung beeinträchtigen können. Fortschrittliche Ätzsysteme müssen Selektivität, Profilkontrolle, kritische Abmessungen, Seitenwandqualität, Gleichmäßigkeit und niedrige Defektdichte über 300-mm-Wafer hinweg gewährleisten. Ein 300-mm-Wafer hat ungefähr die 2,25-fache Fläche eines 200-mm-Wafers, was die Anforderungen an die Gleichmäßigkeit erhöht.

Speicherstrukturen mit hohem Seitenverhältnis können Geometrien von mehr als 100:1 aufweisen, was zu Problemen im Zusammenhang mit Ionentransport, Ladungsansammlung, Biegung, Verdrehung und unvollständigem Ätzen führt.

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Marktsegmentierung für Halbleiter-Ätzgeräte

Nach Typ

• Trockenätzgeräte: Trockenätzgeräte machen etwa 88 % des Marktes für Halbleiterätzgeräte aus und sind damit die dominierende Technologiekategorie. Reaktives Ionenätzen, induktiv gekoppeltes Plasma, kapazitiv gekoppeltes Plasma, tiefes reaktives Ionenätzen und Atomschichtätzen werden häufig für die fortschrittliche Halbleiterfertigung eingesetzt. Trockensysteme ermöglichen einen gerichteten Materialabtrag und unterstützen kritische Abmessungen unter 10 nm. Fortschrittliche Logik bei 3 nm und 2 nm erfordert die selektive Entfernung komplexer Materialkombinationen, während 3D-NAND-Geräte mit mehr als 300 Schichten eine tiefe Kanalätzung erfordern.

• Nassätzgeräte: Nassätzgeräte machen etwa 12 % des Marktes für Halbleiterätzgeräte aus und bleiben für die isotrope Materialentfernung, Waferreinigung, Oxidentfernung, Metallverarbeitung und ausgewählte MEMS-Fertigungsschritte unerlässlich. Nassbänke können je nach Kontaminationskontrolle und Gleichmäßigkeitsanforderungen mehrere Wafer durch chemische Bäder oder Einzelwafer-Konfigurationen verarbeiten. Zu den üblichen Chemikalien gehören Flusssäure, Phosphorsäure, Kaliumhydroxid und spezielle Mischungen. Die Nassbearbeitung ist nach wie vor besonders nützlich für ausgereifte Halbleiterknoten, MEMS-Strukturen, Leistungsgeräte und die Oberflächenvorbereitung.

Auf Antrag

• Logik und Speicher: Logik- und Speicheranwendungen dominieren den Markt für Halbleiterätzgeräte mit einem Anteil von etwa 79 %. Fortschrittliche Prozessoren bei 3 nm und 2 nm erfordern eine hochselektive Nanoblattfreisetzung, Bildung von Abstandshaltern, Kontaktätzung, Strukturierung von Verbindungen und Entfernung von Dielektrika. Speicherhersteller verwenden Plasmaätzen für DRAM-Kondensatorstrukturen und 3D-NAND-Kanallöcher mit mehr als 300 Schichten. KI-Beschleuniger und Speicher mit hoher Bandbreite erhöhen die Nachfrage nach erweiterter Ätzintensität, da komplexere Gerätearchitekturen zusätzliche Prozessschritte erfordern.

• MEMS: MEMS-Anwendungen machen etwa 8 % des Marktes für Halbleiterätzgeräte aus. Das tiefe reaktive Ionenätzen wird häufig zur Herstellung von Beschleunigungsmessern, Gyroskopen, Mikrofonen, Drucksensoren, mikrofluidischen Geräten, optischen Komponenten und Trägheitssensoren eingesetzt. Für MEMS-Strukturen können Siliziumgräben mit einer Tiefe von Hunderten von Mikrometern erforderlich sein, sodass präzise Seitenwandprofile und hohe Ätzraten unerlässlich sind. Automobilsysteme können in fortschrittlichen Fahrzeugarchitekturen mehr als 100 Halbleiter- und Sensorkomponenten enthalten, was die Nachfrage nach MEMS-basierter Sensorik erhöht.

• Leistungsgeräte: Leistungsgeräte machen etwa 7 % der Marktnachfrage nach Halbleiterätzgeräten aus, angetrieben durch Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Bipolartransistoren mit isoliertem Gate, MOSFETs und integrierte Schaltkreise für das Energiemanagement. Siliziumkarbid-Geräte können bei Temperaturen über 150 °C betrieben werden und widerstehen deutlich höheren elektrischen Feldern als herkömmliche Silizium-Geräte. Die Entwicklung hin zu 200-mm-Siliziumkarbid-Wafern erhöht die Anforderungen an Plasmasysteme, die das Ätzen harter Materialien, Grabenprofile, Oberflächenschäden und Gleichmäßigkeit kontrollieren können.

• Andere: Andere Anwendungen machen etwa 6 % des Marktes für Halbleiterätzgeräte aus und umfassen Photonik, Hochfrequenzgeräte, Optoelektronik, fortschrittliche Verpackung, Sensoren, Verbindungshalbleiter und Forschungsanwendungen. Galliumarsenid, Indiumphosphid, Galliumnitrid, Lithiumniobat und andere Spezialmaterialien erfordern maßgeschneiderte Plasmachemien und eine schadensarme Verarbeitung. Fortschrittliche Verpackungen nutzen zunehmend Durchkontaktierungen aus Silizium, Umverteilungsschichten, Hybridbonding und Wafer-Level-Strukturen, die Ätzschritte erfordern.

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REGIONALE EINBLICKE IN DEN HALBLEITER-ÄTZGERÄTEMARKT

• Nordamerika

Nordamerika hält etwa 19 % des Marktes für Halbleiter-Ätzgeräte, unterstützt vor allem durch das US-amerikanische Halbleiter-Ökosystem. Die Region beherbergt große Ausrüstungslieferanten, führende Chipdesigner, Hersteller integrierter Geräte, Forschungseinrichtungen und fortschrittliche Fertigungsprojekte. Auf die Vereinigten Staaten entfielen im Jahr 2024 etwa 10 % der weltweiten Halbleiterproduktionskapazität, was große politische Aufmerksamkeit für die Inlandsexpansion erregte.

Neue Projekte in Arizona, Texas, New York, Ohio und Oregon steigern langfristig die Nachfrage nach Leiterätzung, dielektrischer Ätzung, Atomlagenätzung und Systemen mit hohem Aspektverhältnis. Die Region verfügt über eine besondere Stärke im Bereich fortschrittlicher Ausrüstungsinnovationen. Lam Research ist ein weltweit führender Anbieter von Trockenätzverfahren, während Applied Materials umfangreiche Technologien zur Waferherstellung anbietet.

• Europa

Auf Europa entfallen etwa 11 % des globalen Marktes für Halbleiterätzgeräte, wobei sich die Nachfrage auf Deutschland, Frankreich, Italien, Irland, Österreich, die Niederlande, Belgien und das Vereinigte Königreich konzentriert. Die Region verfügt über starke Positionen in den Bereichen Automobilhalbleiter, Leistungsgeräte, MEMS, Sensoren, analoge Chips, Hochfrequenzkomponenten und Halbleiterforschung.

Europa produziert etwa 9 % der weltweiten Halbleiterfertigungskapazität, und politische Initiativen zielen darauf ab, die strategische Rolle der Region zu stärken. Die Nachfrage nach Ätzgeräten in Europa wird stark von der Leistungselektronik aus Siliziumkarbid und Galliumnitrid beeinflusst. Elektrofahrzeuge können Hunderte von Leistungshalbleiterkomponenten verwenden, während Siliziumkarbid eine verbesserte Effizienz in Traktionswechselrichtern und Schnellladesystemen ermöglicht.

• Asien-Pazifik

Der asiatisch-pazifische Raum dominiert den Markt für Halbleiterätzgeräte mit einem Anteil von etwa 66,5 %. Taiwan, Südkorea, China und Japan verfügen gemeinsam über einen erheblichen Großteil der weltweit führenden Produktionskapazitäten für Logik, Speicher, Gießerei und ausgereifte Knoten. Taiwan ist von zentraler Bedeutung für die fortschrittliche Gießereiproduktion, Südkorea ist führend in wichtigen Speicherkategorien, China baut weiterhin ausgereifte und ausgewählte fortschrittliche Kapazitäten aus und Japan verfügt über umfangreiche Kapazitäten für Halbleitermaterialien, Ausrüstung, Sensoren und Leistungsgeräte.

Die fortschrittliche Logikfertigung bei 3 nm und 2 nm führt zu einer größeren Nachfrage nach hochselektivem Plasmaätzen, Atomschichtprozessen und der Freisetzung von Nanoschichten. Die südkoreanische Speicherproduktion unterstützt das Ätzen mit hohem Seitenverhältnis für 3D-NAND-Architekturen mit mehr als 300 Schichten und immer anspruchsvolleren DRAM-Strukturen.

• Naher Osten und Afrika

Der Nahe Osten und Afrika hält etwa 3,5 % des Marktes für Halbleiterätzgeräte. Die derzeitige Ausrüstungsnachfrage ist geringer als im asiatisch-pazifischen Raum, in Nordamerika und in Europa, aber die Investitionen in fortschrittliche Technologie, KI-Infrastruktur, Forschungseinrichtungen und die Entwicklung von Halbleiter-Ökosystemen nehmen zu. Israel stellt die etablierteste Halbleiterfertigungs- und Designbasis der Region dar, mit fortschrittlicher Fertigung, Geräteentwicklung, Chipdesign und Forschungsaktivitäten, die die Nachfrage nach Ätzgeräten stützen.

Der Nahe Osten prüft zunehmend die Halbleiterfertigung als Teil wirtschaftlicher Diversifizierungsprogramme. Länder wie die Vereinigten Arabischen Emirate und Saudi-Arabien haben Technologieinvestitionsinitiativen im Zusammenhang mit KI, Rechenzentren, Elektronik und fortschrittlicher Fertigung gestartet.

LISTE DER BESTEN UNTERNEHMEN FÜR HALBLEITER-ÄTZAUSRÜSTUNG

• Lam Research
• Tokyo Electron Limited
• Applied Materials
• Hitachi High-Technologies
• Oxford Instruments
• SPTS Technologies
• Plasma-Therm
• GigaLane
• SAMCO Inc
• NAURA
• AMEC

Liste der Top-2-Unternehmen mit Marktanteil

• Lam Research: Lam Research holds approximately 40% of the broader global semiconductor etch equipment market and maintains especially strong positions in dielectric etch, conductor etch, high-aspect-ratio memory processing, and advanced logic applications.
• Tokyo Electron Limited: Tokyo Electron holds approximately 23% of the broader semiconductor etch equipment market, supported by strong positions in dry etching, conductor processing, advanced memory manufacturing, and close relationships with major Asian semiconductor producers.

INVESTITIONSANALYSE UND CHANCEN

Investitionen auf dem Markt für Halbleiterätzgeräte richten sich zunehmend auf fortschrittliche Knotenlogik, 3D-NAND, Speicher mit hoher Bandbreite, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, KI-gestützte Prozesssteuerung und Atomlagenätzung. Mit einem Marktanteil von etwa 66,5 % ist die Region Asien-Pazifik das größte Ziel für den Einsatz von Ausrüstung, während neue Kapazitäten in den Vereinigten Staaten, Europa, Japan, Indien und im Nahen Osten die geografischen Möglichkeiten erweitern. Fortschrittliche 3D-NAND-Geräte mit mehr als 300 Schichten erfordern tiefere Kanallöcher und eine stärkere Profilkontrolle, was zu höheren Investitionen in das Ätzen mit hohem Aspektverhältnis führt.

Logikgeräte, die sich in Richtung 2 nm bewegen, erfordern eine Materialselektivität auf atomarer Ebene für die Freisetzung von Nanoschichten und die Bildung von Abstandshaltern. Berichten zufolge erzielte eine führende Ätzplattform im Jahr 2025 etwa 42 % der Gate-Allround-Ätzaufträge, was die kommerzielle Bedeutung fortschrittlicher Transistorarchitekturen unterstreicht. Weitere Möglichkeiten bestehen in der 200-mm-Siliziumkarbidproduktion, wo Ausrüstungslieferanten die Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, Ladesystemen, erneuerbaren Energien, Industrieenergie und Rechenzentren bedienen können. KI-gestützte Prozessoptimierung kann die Fehlerdichte reduzieren; Ein Pilot eines fortgeschrittenen Knotens berichtete von einer Reduzierung der Defektdichte um 22 % nach dem Einsatz von Atomlagenätzung.

NEUE PRODUKTENTWICKLUNG

Die Entwicklung neuer Produkte auf dem Markt für Halbleiter-Ätzgeräte konzentriert sich auf die Präzision atomarer Schichten, die Verarbeitung mit hohem Seitenverhältnis, Geräteintelligenz, geringere Umweltbelastung und fortschrittliche Materialien. Führende Systeme unterstützen zunehmend 300-mm-Wafer und Prozessstrukturen unter 5 nm und kontrollieren gleichzeitig die Profilgleichmäßigkeit, Selektivität, Kammeranpassung und Defekterzeugung. Lam Research hat seine Vantex-Plattform für das Ätzen mit hohem Seitenverhältnis weiterentwickelt und zielt auf komplexe 3D-Speicherstrukturen ab. Fortschrittliche Geräte müssen immer tiefere Merkmale ätzen, da die Anzahl der 3D-NAND-Schichten 300 übersteigt.

Das Ätzen von Atomschichten ist ein weiterer Innovationsbereich, der einen kontrollierten Materialabtrag in Bruchteilen eines Angström pro Zyklus ermöglicht. Die experimentelle InGaAs-Verarbeitung zeigte eine Ätzrate von 0,095 Angström pro Zyklus bei 350 °C und behielt nach 200 Zyklen eine atomar glatte Oberfläche bei. Maschinelles Lernen wird zunehmend in Plasmawerkzeuge integriert, um Ätztiefe und Waferprofile anhand von Echtzeit-Sensordaten vorherzusagen. Moderne Systeme nutzen HF-Signale, optische Emission, Druckmessungen, Temperaturdaten und andere Kammerparameter für die prädiktive Prozesssteuerung.

FÜNF AKTUELLE ENTWICKLUNGEN (2023–2025)

• Februar 2023 – Lam Research: Lam Research stellt die selektive Ätzproduktsuite vor, die für die Herstellung fortschrittlicher Gate-Allround-Transistoren entwickelt wurde. Die Technologie erfüllt die Anforderungen an die Freisetzung von Nanoblättern und die Materialselektivität für Logikbauelemente im Sub-5-nm-Bereich und unterstützt die Steuerung auf atomarer Ebene, wenn Hersteller auf 3-nm- und 2-nm-Architekturen umsteigen.
• September 2023 – Applied Materials: Applied Materials hat sein Portfolio an Musterformungstechnologien um das Sculpta-System erweitert, das darauf ausgelegt ist, ausgewählte Lithographieschritte zu reduzieren und die Effizienz der erweiterten Strukturierung zu verbessern. Das System unterstützt die Skalierung von Halbleitern, bei denen Merkmale unter 10 nm immer ausgefeiltere Kombinationen aus Abscheidungs-, Lithographie- und Materialentfernungsprozessen erfordern.
• Juni 2024 – Lam Research: Lam Research stellt die kryogene Ätztechnologie Lam Cryo 3.0 für die fortschrittliche 3D-NAND-Herstellung vor. Der Prozess zielt auf Speicherstrukturen mit ultrahohem Seitenverhältnis ab und soll die Profilkontrolle verbessern, wenn NAND-Architekturen über 300 Schichten hinausgehen, wo herkömmliche Plasmaprozesse zunehmenden Herausforderungen bei Tiefe und Gleichmäßigkeit gegenüberstehen.
• September 2024 – Tokyo Electron: Tokyo Electron treibt die Weiterentwicklung der Trockenätztechnologie für Logik- und Speicheranwendungen der nächsten Generation weiter voran und konzentriert sich dabei auf Prozesskontrolle im atomaren Maßstab und hochselektive Plasmaverarbeitung. Die rund 23 % breitere Marktposition des Unternehmens spiegelt die starke Beteiligung an asiatischen Fabriken wider, die fortschrittliche DRAM-, NAND- und Logikhalbleiter herstellen.
• Februar 2025 – Innovation bei Halbleitergeräten: Hersteller beschleunigten die Entwicklung KI-fähiger Ätzplattformen, wobei maschinelle Lernmodelle zunehmend für die berührungslose Ätztiefenvorhersage und Waferprofilanalyse eingesetzt werden. Neue Ansätze nutzen Kammersensordaten und digitale Bildkolorimetrie, um die Prozesskontrolle in Echtzeit in fortschrittlichen Halbleiterproduktionsumgebungen zu verbessern.

Berichterstattung über den Marktbericht für Halbleiter-Ätzgeräte

Der Marktbericht für Halbleiterätzgeräte deckt Gerätetechnologien, Anwendungssegmente, regionale Leistung, Wettbewerbspositionierung, Investitionsmuster, Produktinnovationen und Entwicklungen von 2023 bis 2025 ab. Der Bericht bewertet Trockenätzgeräte, die etwa 88 % der Marktnachfrage ausmachen, und Nassätzgeräte, auf die etwa 12 % entfallen. Die Anwendungsabdeckung umfasst etwa 79 % Logik und Speicher, 8 % MEMS, 7 % Leistungsgeräte und etwa 6 % andere Anwendungen.

Die regionale Analyse umfasst den asiatisch-pazifischen Raum mit einem Marktanteil von etwa 66,5 %, Nordamerika mit etwa 19 %, Europa mit 11 % und den Nahen Osten und Afrika mit etwa 3,5 %. Die Wettbewerbsbewertung umfasst 11 große Hersteller: Lam Research, Tokyo Electron Limited, Applied Materials, Hitachi High-Technologies, Oxford Instruments, SPTS Technologies, Plasma-Therm, GigaLane, SAMCO Inc, NAURA und AMEC. Der Marktforschungsbericht für Halbleiterätzgeräte untersucht fortschrittliche Logik bei 3 nm und 2 nm, 3D-NAND mit mehr als 300 Schichten, 300-mm-Waferverarbeitung, Ätzen mit hohem Seitenverhältnis, Ätzen von Atomlagen, tiefes reaktives Ionenätzen, KI-basierte Geräteintelligenz, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, MEMS, Photonik und fortschrittliche Verpackung.