Semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) Tamaño del mercado, participación, crecimiento y análisis de la industria, por tipo (semiconductores de potencia de carburo de silicio, semiconductores de potencia de nitruro de galio), por aplicación (electrónica de consumo, conexión a la red de nueva energía, ferrocarril, motor industrial, suministro de energía UPS, vehículos de nueva energía, otros) y pronóstico regional hasta 2034

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DESCRIPCIÓN GENERAL DEL MERCADO DE SEMICONDUCTORES DE ENERGÍA DE NITRURO DE GALIO (GAN) Y CARBURO DE SILICIO (SIC)

El mercado mundial de semiconductores de potencia de nitruro de galio (gan) y carburo de silicio (sic) está valorado en aproximadamente 3,45 mil millones de dólares en 2026 y se prevé que alcance los 47,75 mil millones de dólares en 2035. Crece a una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) de alrededor del 33,91% de 2026 a 2035.

El tamaño del mercado de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) de Estados Unidos se proyecta en USD 0,79433 mil millones en 2025, el tamaño del mercado de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) de Europa se proyecta en USD 0,61667 mil millones en 2025, y el nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio de China (SiC) El tamaño del mercado de semiconductores de potencia se proyecta en USD 0,83527 mil millones en 2025.

Los semiconductores compuestos de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) se consideran altamente eficientes, porque el carburo de silicio y el nitruro de galio se consideran los mejores y más avanzados materiales para la producción de semiconductores de potencia. Estas sustancias tienen varias ventajas sobre los materiales semiconductores normales.

Estos semiconductores tienen varias aplicaciones y se utilizan en diversos sectores, como la electrónica de consumo, los ferrocarriles, el suministro de energía y la conexión a la red de nueva energía. Esta se considera la última tendencia del mercado.

Los semiconductores de potencia se utilizan en la electrónica moderna. El carburo de silicio y el nitruro de galio se consideran muy adecuados para la fabricación de semiconductores. Estos se consideran los factores que impulsan el crecimiento del mercado de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC).

HALLAZGOS CLAVE

IMPACTO DEL COVID-19

La caída del valor de la industria de semiconductores redujo el crecimiento del mercado

La pandemia de COVID-19 creó una situación desastrosa para todos los mercados del mundo. La demanda de productos disminuyó por completo y hubo un cambio drástico en las preferencias de los consumidores. Esto afectó negativamente al mercado.

El mercado de semiconductores fue una de las principales víctimas de los confinamientos, las prohibiciones de viaje y las normas de distanciamiento social. Después del brote de coronavirus, la demanda de semiconductores para PC se redujo entre un cuatro y un ocho por ciento. El sector de semiconductores enfrentó varias dificultades porque la mayoría de las empresas retrasaron la actualización del hardware planificado y también varios proyectos de migración a largo plazo. Todos estos factores redujeron la participación de mercado del sector de semiconductores y afectaron negativamente la participación de mercado de los semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) durante la pandemia.

ÚLTIMAS TENDENCIAS

Uso de transistores y diodos de SiC y GaN en vehículos eléctricos para aumentar el crecimiento del mercado

Los semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) tienen muchas ventajas y características superiores. En la fabricación de vehículos eléctricos se utilizan transistores y electrodos compuestos de nitruro de galio y carburo de silicio. Los vehículos eléctricos se han convertido en la tendencia reciente en el mercado.

Los vehículos que funcionan con diésel, gasolina y otras fuentes de energía no renovables están quedando obsoletos. La conciencia ambiental entre la gente y las iniciativas adoptadas por las autoridades gubernamentales para reducir las emisiones nocivas y la contaminación están aumentando la demanda de vehículos eléctricos. La creciente aplicación de conductores de potencia de SiC y GaN en la fabricación de vehículos eléctricos en todo el mundo está creando lucrativas oportunidades de crecimiento en el mercado. Esta se considera la última tendencia del mercado.

• Según el Departamento de Energía de EE. UU., la capacidad de obleas de SiC de Wolfspeed se estima en 75 000 a 100 000 unidades/año, II-VI alrededor de 70 000 unidades/año y SiCrystal alrededor de 60 000 unidades/año, lo que apunta a una capacidad de obleas concentradas y grandes y recientes expansiones de capacidad.

• Wolfspeed anunció planes que aumentan la capacidad de materiales de SiC en más de 10 veces y varias empresas están construyendo líneas de SiC/GaN de 200 mm (8 pulgadas) o anunciando inversiones de 200 mm para respaldar la producción de dispositivos de energía de alto volumen.

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SEGMENTACIÓN DEL MERCADO DE SEMICONDUCTORES DE ENERGÍA DE NITRURO DE GALIO (GAN) Y CARBURO DE SILICIO (SIC)

Por tipo

El mercado se puede dividir según el tipo en los siguientes segmentos:

Semiconductor de potencia de carburo de silicio y semiconductor de potencia de nitruro de galio. Se prevé que el segmento de semiconductores de potencia de carburo de silicio domine el mercado durante el período de previsión.

Por aplicación

Clasificación según aplicación en el siguiente segmento:

Electrónica de consumo, conexión a redes de nueva energía, ferrocarriles, motores industriales, suministro de energía ups, vehículos de nuevas energías y otros. Se prevé que el segmento de electrónica de consumo domine el mercado durante el período de investigación.

FACTORES IMPULSORES

Integración de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) en la electrónica moderna para impulsar el crecimiento del mercado

Los semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) constituyen una gran parte del sector de la electrónica moderna. La globalización y la rápida urbanización han aumentado el uso de dispositivos electrónicos como computadoras, portátiles, PC y teléfonos inteligentes entre las personas. Los semiconductores forman una parte integral en la fabricación de la mayoría de estos dispositivos electrónicos. Esto ha impulsado el crecimiento y desarrollo del mercado.

Últimamente se están presenciando muchos nuevos desarrollos en el mercado. Los semiconductores de SiC ahora se transforman en capas más delgadas y su concentración de impurezas aumenta. Esto ha aumentado la intensidad del campo eléctrico de ruptura que se utiliza para configurar dispositivos de potencia que funcionan a un voltaje muy alto. Todos estos factores están impulsando la cuota de mercado.

• los programas y subvenciones de semiconductores respaldados por el gobierno han apoyado proyectos de instalaciones multimillonarias; por ejemplo, un acuerdo publicado en las noticias hacía referencia a una subvención estadounidense preliminar de 225 millones de dólares vinculada a una inversión de 1.900 millones de dólares en producción de SiC para Bosch (esto ilustra la escala de los subsidios públicos movilizados para asegurar la capacidad de SiC).

• Las empresas están invirtiendo en centros de producción integrados de SiC (sustrato → epi → dispositivo). El anuncio de STMicroelectronics de un campus de Catania SiC totalmente integrado y los acuerdos de suministro relacionados (y los compromisos para aumentar el abastecimiento interno de sustratos a ~40%) son ejemplos concretos.

Varios beneficios proporcionados por los conductores de energía para impulsar el crecimiento del mercado

Los semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC) tienen ventaja en comparación con otros conductores porque el nitruro de galio y el carburo de silicio se consideran los materiales más adecuados para los conductores. También brindan varios beneficios que impulsarán aún más el crecimiento del mercado.

Estos conductores de energía tienen una operación de voltaje más alto, mayores frecuencias de conmutación, mayor banda prohibida y una amplia gama de temperaturas. El nitruro de galio presente en estos conductores contribuirá a reducir el coste de la energía consumida. Este compuesto es muy eficiente. El calor que se gasta será mucho menor, lo que a su vez disminuirá el costo incurrido. El carburo de silicio permite que el conductor funcione a densidades de potencia más altas. Todos estos factores están aumentando la participación de mercado de los semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC).

FACTORES RESTRICTIVOS

Características desfavorables del carburo de silicio y el nitruro de galio para disminuir el crecimiento del mercado

El nitruro de galio y el carburo de silicio tienen ciertas características que no son adecuadas para la fabricación de semiconductores. El silicio tiene una banda prohibida más baja, por lo que no se puede utilizar para aplicaciones de mayor potencia. El silicio tampoco es muy eficiente para soportar diseños de alto voltaje.

El galio tiene una baja conductividad térmica en comparación con otras sustancias. Usar galio es caro. Mantener la rentabilidad puede convertirse en un desafío importante al utilizar galio. Controlar los defectos durante la fabricación puede ser otra dificultad. Todos estos factores pueden reducir el crecimiento del mercado.

• Según el Departamento de Energía de EE. UU., China produce más del 90 % del galio del mundo, y el galio está en las listas de materiales críticos, lo que significa que la ampliación del GaN para GaN a granel de alto voltaje aumentaría los riesgos en el suministro de materiales.

• Varios proveedores han ajustado públicamente sus objetivos debido a la menor demanda de vehículos eléctricos; por ejemplo, un proveedor retrasó públicamente los objetivos dos años citando tendencias más débiles en la demanda de SiC, lo que demuestra cómo las oscilaciones del mercado final ralentizan el tiempo de rampa de las fábricas.

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PERSPECTIVAS REGIONALES DEL MERCADO DE SEMICONDUCTORES DE ENERGÍA DE NITRURO DE GALIO (GAN) Y CARBURO DE SILICIO (SIC)

América del Norte dominará la cuota de mercado en los próximos años

América del Norte es una región que ha sido testigo de muchos avances en la participación del mercado de semiconductores. Se prevé que esta región domine el mercado durante todo el período de previsión. Muchas razones han contribuido al crecimiento del mercado en esta región, que incluyen mayores inversiones en investigación sobre el uso de nitruro de galio y carburo de silicio en la fabricación de semiconductores.

Además, la creciente demanda de vehículos eléctricos entre la población de esta región está aumentando el alcance del mercado. La tecnología de la información es un sector en desarrollo en América del Norte. Esto ha aumentado el uso de dispositivos electrónicos. Los semiconductores son una parte integral tanto del mercado de vehículos eléctricos como de dispositivos electrónicos.

JUGADORES CLAVE DE LA INDUSTRIA

Los principales actores adoptan estrategias de adquisición para seguir siendo competitivos

Varios actores del mercado están utilizando estrategias de adquisición para construir su cartera de negocios y fortalecer su posición en el mercado. Además, las asociaciones y colaboraciones se encuentran entre las estrategias comunes adoptadas por las empresas. Los actores clave del mercado están realizando inversiones en I+D para llevar al mercado tecnologías y soluciones avanzadas.

• CREE (Wolfspeed): Wolfspeed ha anunciado una expansión de la capacidad de materiales de >10 veces y ha impulsado inversiones en obleas de SiC/epi, incluidos planes para una capacidad de 200 mm; El DOE de EE. UU. identifica a Wolfspeed con una capacidad de sustrato estimada de 75 000 a 100 000 unidades/año.

• STMicroelectronics: construye un campus integrado de SiC en Catania para cubrir capacidades de sustrato → epi → dispositivo → módulo (descrito públicamente como una capacidad de SiC totalmente integrada para atender a clientes automotrices/industriales), y ha anunciado planes para aumentar el abastecimiento interno de sustrato a aproximadamente el 40 %.

Lista de las principales empresas de semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC)

• CREE (Wolfspeed)
• ON Semiconductor
• Roma Semiconductor Group
• Mitsubishi Electric
• Tyco Tianrun Semiconductor Technology (Beijing) Co Ltd
• Fuji Electric
• STMicroelectronics
• Littelfuse
• Shenzhen Basic Semiconductor Co Ltd

COBERTURA DEL INFORME

El informe proporciona una visión de la industria tanto desde el lado de la demanda como de la oferta. Además, también brinda información sobre el impacto de COVID-19 en el mercado, los factores impulsores y restrictivos junto con los conocimientos regionales. También se han analizado las fuerzas dinámicas del mercado durante el período de pronóstico para comprender mejor la situación del mercado. También se han presentado a los lectores los principales actores industriales junto con la región que domina el mercado.