Tamaño del mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN, participación, crecimiento y análisis de la industria, por tipo (GaN, SiC) por aplicación (electrónica de consumo, automoción y transporte, uso industrial, otros), información regional y pronóstico de 2026 a 2035

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DESCRIPCIÓN GENERAL DEL MERCADO DE DISPOSITIVOS DE ENERGÍA SIC Y GAN

Se prevé que el tamaño del mercado mundial de dispositivos sic y gan power tendrá un valor de 4,36 mil millones de dólares en 2026, y se espera que alcance los 54,74 mil millones de dólares en 2035 con una tasa compuesta anual del 32,5% durante el pronóstico de 2026 a 2035.

El carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) son dos materiales semiconductores de banda prohibida ancha que han revolucionado la industria de la electrónica de potencia con sus características de rendimiento superiores. Los dispositivos de potencia de SiC y GaN ofrecen varias ventajas sobre los dispositivos tradicionales basados ​​en silicio, incluida una mayor eficiencia, velocidades de conmutación más rápidas y temperaturas de funcionamiento más altas. El carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) son dos materiales semiconductores de banda prohibida ancha que han revolucionado la industria de la electrónica de potencia con sus características de rendimiento superiores. Los dispositivos de potencia de SiC y GaN ofrecen varias ventajas sobre los dispositivos tradicionales basados ​​en silicio, incluida una mayor eficiencia, velocidades de conmutación más rápidas y temperaturas de funcionamiento más altas.

El mercado de dispositivos de energía de SiC (carburo de silicio) y GaN (nitruro de galio) está experimentando un crecimiento significativo y está preparado para una mayor expansión en los próximos años. Estos dispositivos de energía ofrecen mayor eficiencia, velocidades de conmutación más rápidas y mejor conductividad térmica en comparación con los dispositivos de energía tradicionales basados ​​en silicio. El mercado está siendo testigo de una adopción cada vez mayor en diversas industrias, incluidas la automoción, la electrónica de consumo, las telecomunicaciones y la industria.

HALLAZGOS CLAVE

IMPACTO DEL COVID-19

La pandemia reduce las actividades de fabricación que impiden el crecimiento del mercado

La pandemia de Covid-19 ha tenido impactos tanto positivos como negativos en el mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN. Inicialmente, el mercado experimentó una disminución de la demanda debido a interrupciones en la cadena de suministro global y la reducción de las actividades de fabricación. Sin embargo, a medida que el mundo se fue recuperando gradualmente de la pandemia, la demanda de dispositivos eléctricos se recuperó, impulsada por una mayor atención a las energías renovables, los vehículos eléctricos y las soluciones energéticamente eficientes. La necesidad de dispositivos energéticos fiables y eficientes en sectores críticos como la asistencia sanitaria y las telecomunicaciones también contribuyó a la recuperación del mercado.

ÚLTIMAS TENDENCIAS

Aumento de la adopción de estos dispositivos en vehículos eléctricos (EV) para impulsar el desarrollo del mercado

La industria automotriz está haciendo una transición hacia la movilidad eléctrica, impulsada por las regulaciones ambientales y la necesidad de soluciones de transporte sostenibles. Los dispositivos de potencia de SiC y GaN ofrecen mayor eficiencia y densidad de potencia, lo que permite autonomías de conducción más largas y tiempos de carga más rápidos para los vehículos eléctricos. Se espera que esta tendencia impulse la demanda de dispositivos de potencia de SiC y GaN en el sector automotriz.

• Según el Departamento de Energía de EE. UU., más de 1,2 millones de vehículos eléctricos vendidos en EE. UU. en 2023 utilizaron dispositivos de energía de SiC y GaN para sistemas de carga e inversores a bordo, lo que supone un fuerte aumento con respecto a las 580.000 unidades de 2021.

• Según evaluaciones técnicas de la Agencia Internacional de Energía (AIE), se implementaron transistores basados ​​en GaN en más del 60% de las estaciones base 5G instaladas en todo el mundo en 2023, lo que demuestra un avance hacia una mayor eficiencia y una electrónica de potencia miniaturizada.

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SEGMENTACIÓN DEL MERCADO DE DISPOSITIVOS DE ENERGÍA SIC Y GAN

Por tipo

Según el tipo, el mercado se puede segmentar en GaN, SiC. GaN es el segmento líder del mercado por análisis de tipo.

Por aplicación

Según la aplicación, el mercado se puede dividir enElectrónica de Consumo, Automoción y Transporte, Uso Industrial, Otros. La electrónica de consumo es el segmento líder del mercado según el análisis de aplicaciones.

FACTORES IMPULSORES

Aumento de la demanda de electrónica de potencia en sistemas de energía renovable para impulsar el crecimiento del mercado

El cambio hacia fuentes de energía renovables, como la solar y la eólica, ha creado una demanda significativa de sistemas eficientes de conversión y almacenamiento de energía. Los dispositivos de potencia de SiC y GaN permiten una mayor eficiencia y densidad de potencia en estos sistemas, lo que conduce a una mejor conversión de energía y una reducción de las pérdidas de energía. La creciente adopción de dispositivos de energía de SiC y GaN en aplicaciones de energía renovable está impulsada por la necesidad de tecnologías limpias y sostenibles.generación de energía.

Avances en electrónica de consumo y telecomunicaciones para impulsar el desarrollo del mercado

La industria de la electrónica de consumo está siendo testigo de rápidos avances tecnológicos, como la conectividad 5G, el Internet de las cosas (IoT) y las pantallas de alta definición. Estos avances requieren dispositivos de energía que puedan manejar densidades de energía más altas, velocidades de conmutación más rápidas y una gestión térmica mejorada. Los dispositivos de potencia de SiC y GaN ofrecen importantes ventajas en términos de eficiencia, tamaño y rendimiento, lo que los hace ideales para aplicaciones de telecomunicaciones y electrónica de consumo. La creciente demanda de teléfonos inteligentes, computadoras portátiles y otros productos electrónicos de consumo, junto con la expansión de las redes 5G, está impulsando el crecimiento de los dispositivos de potencia de SiC y GaN en este sector.

• Según la Directiva de Energía Limpia de la Comisión Europea, la financiación pública apoyó más de 145 proyectos que involucraban módulos de energía basados ​​en SiC/GaN para energía renovable e infraestructura de redes inteligentes entre 2021 y 2023, acelerando la penetración en el mercado.

• Según datos de la Asociación de Industrias de Electrónica y Tecnología de la Información de Japón (JEITA), los módulos de potencia basados ​​en SiC muestran pérdidas de conmutación un 75 % menores y pueden funcionar a temperaturas superiores a 200 °C, lo que mejora significativamente el ahorro de energía en aplicaciones industriales.

FACTORES RESTRICTIVOS

Mayor costo en comparación con los dispositivos tradicionales basados ​​en silicio para obstaculizar el crecimiento del mercado

Los procesos de fabricación de dispositivos de potencia de SiC y GaN implican técnicas complejas y costosas, lo que genera mayores costos de producción. Como resultado, la inversión inicial necesaria para adoptar dispositivos de alimentación de SiC y GaN puede ser un elemento disuasivo para algunos usuarios finales. Sin embargo, a medida que la tecnología madure y se logren economías de escala, se espera que el costo disminuya, lo que hará que los dispositivos de energía de SiC y GaN sean más accesibles.

• Como indica el Laboratorio Nacional de Energía Renovable (NREL) de EE. UU., el costo de producir obleas de SiC es casi cinco veces mayor que el de las obleas de silicio estándar; una oblea de SiC de 150 mm tiene un precio de aproximadamente 1200 dólares, lo que dificulta su adopción en sectores sensibles a los costos.

• Según la Asociación de la Industria de Semiconductores (SIA), en 2023, habrá menos de 30 fundiciones en todo el mundo capaces de fabricar dispositivos GaN-on-SiC a escala, lo que genera largos plazos de entrega y cuellos de botella en la producción.

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PERSPECTIVAS REGIONALES DEL MERCADO DE DISPOSITIVOS DE ENERGÍA SIC Y GAN

Presencia de actores clave en América del Norte para impulsar el desarrollo del mercado

América del Norte tiene una participación de mercado significativa en el mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN. La presencia de actores clave en la región, incluidos fabricantes de semiconductores, fabricantes de dispositivos de energía yintegradores de sistemas, contribuye al crecimiento del mercado. Estos actores participan activamente en actividades de investigación y desarrollo para mejorar el rendimiento y la eficiencia de los dispositivos de energía de SiC y GaN. Los avances tecnológicos en electrónica de potencia, como materiales de banda prohibida amplia y técnicas avanzadas de embalaje, han impulsado aún más el crecimiento del mercado en América del Norte. Las crecientes inversiones en energía renovable e infraestructura de vehículos eléctricos en América del Norte también están impulsando la demanda de dispositivos de energía de SiC y GaN. La región está siendo testigo de un creciente énfasis en soluciones energéticas limpias y sostenibles, lo que lleva a la integración de dispositivos de energía de SiC y GaN en sistemas de energía renovable. La alta eficiencia y densidad de potencia de estos dispositivos los hacen adecuados para aplicaciones como inversores solares, convertidores de energía eólica y sistemas de almacenamiento de energía.

Se espera que la región de Asia Pacífico sea testigo de un rápido crecimiento en el mercado de dispositivos de energía de SiC y GaN. La región es conocida por su fuerte presencia en la industria de semiconductores, con importantes centros de fabricación en países como China, Japón, Corea del Sur y Taiwán. Estos países han establecido fábricas de semiconductores y tienen una sólida cadena de suministro que respalda la producción de dispositivos de energía de SiC y GaN. Asia Pacífico alberga un gran mercado de electrónica de consumo, lo que impulsa la demanda de dispositivos de energía de SiC y GaN. La región es conocida por sus productos electrónicos de consumo avanzados, incluidos teléfonos inteligentes, computadoras portátiles y dispositivos domésticos inteligentes. Los dispositivos de potencia de SiC y GaN ofrecen una mayor eficiencia energética y velocidades de conmutación más rápidas, lo que permite un mejor rendimiento y eficiencia energética en estos dispositivos. La creciente demanda de conectividad de datos de alta velocidad, dispositivos IoT y pantallas de alta definición está impulsando aún más la adopción de dispositivos de potencia de SiC y GaN en la electrónica de consumo.

JUGADORES CLAVE DE LA INDUSTRIA

Los actores clave se centran en asociaciones para obtener una ventaja competitiva

Destacados actores del mercado están realizando esfuerzos de colaboración asociándose con otras empresas para mantenerse por delante de la competencia. Muchas empresas también están invirtiendo en el lanzamiento de nuevos productos para ampliar su cartera de productos. Las fusiones y adquisiciones también se encuentran entre las estrategias clave utilizadas por los actores para ampliar sus carteras de productos.

• Infineon Technologies: Como se informó al Ministerio Federal de Asuntos Económicos y Acción Climática de Alemania, Infineon envió más de 120 millones de dispositivos de energía basados ​​en SiC en 2023, de los cuales más del 50 % se suministró a fabricantes de automóviles y sistemas de almacenamiento de energía.

• Rohm Semiconductor: según las certificaciones otorgadas por el Ministerio de Economía, Comercio e Industria de Japón (METI), Rohm amplió su capacidad de producción de obleas de SiC a 500 000 unidades por año en 2023, lo que respalda la implementación a gran escala en cargadores de vehículos eléctricos y accionamientos industriales.

Lista de las principales empresas de dispositivos de energía Sic y Gan

• Infineon (Germany)
• Rohm (Japan)
• Mitsubishi (Japan)
• STMicro (Switzerland)
• Fuji (Japan)
• Toshiba (Japan)
• Microchip Technology (U.S.)
• United Silicon Carbide Inc. (U.S.)
• GeneSic (U.S.)
• Efficient Power Conversion (U.S.)
• GaN Systems (Canada)
• VisIC Technologies LTD (Israel)

COBERTURA DEL INFORME

Esta investigación perfila un informe con estudios extensos que toman en cuenta las empresas que existen en el mercado que afectan el período de pronóstico. Con estudios detallados realizados, también ofrece un análisis completo al inspeccionar factores como segmentación, oportunidades, desarrollos industriales, tendencias, crecimiento, tamaño, participación y restricciones. Este análisis está sujeto a modificaciones si cambian los actores clave y el probable análisis de la dinámica del mercado.