Taille, part, croissance et analyse de l’industrie du marché des semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC), par type (semi-conducteur de puissance en carbure de silicium, semi-conducteur de puissance en nitrure de gallium), par application (électronique grand public, connexion au réseau d’énergie nouvelle, rail, moteur industriel, alimentation UPS, véhicules à énergie nouvelle, autres) et prévisions régionales jusqu’en 2034

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APERÇU DU MARCHÉ DES SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE AU NITRURE DE GALLIUM (GAN) ET AU CARBURE DE SILICIUM (SIC)

Le marché mondial des semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (gan) et en carbure de silicium (sic) est évalué à environ 3,45 milliards de dollars en 2026 et devrait atteindre 47,75 milliards de dollars d'ici 2035. Il croît à un taux de croissance annuel composé (TCAC) d'environ 33,91 % de 2026 à 2035.

La taille du marché américain des semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC) est projetée à 0,79433 milliard de dollars en 2025, la taille du marché européen des semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC) est projetée à 0,61667 milliard de dollars en 2025, et celle de la Chine en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC). La taille du marché des semi-conducteurs de puissance (SiC) est projetée à 0,83527 milliard USD en 2025.

Les semi-conducteurs constitués de nitrure de gallium (GaN) et de carbure de silicium (SiC) sont considérés comme très efficaces, car le carbure de silicium et le nitrure de gallium sont considérés comme les meilleurs matériaux de pointe pour la production de semi-conducteurs de puissance. Ces substances présentent plusieurs avantages par rapport aux matériaux semi-conducteurs normaux.

Ces semi-conducteurs ont plusieurs applications et sont utilisés dans divers secteurs tels que l'électronique grand public, les chemins de fer, l'alimentation électrique UPS et la nouvelle connexion au réseau énergétique. Ceci est considéré comme la dernière tendance du marché.

Les semi-conducteurs de puissance sont utilisés dans l'électronique moderne. Le carbure de silicium et le nitrure de gallium sont considérés comme très adaptés à la fabrication de semi-conducteurs. Ceux-ci sont considérés comme les facteurs à l'origine de la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC).

PRINCIPALES CONSTATATIONS

IMPACTS DE LA COVID-19

La baisse de la valeur de l'industrie des semi-conducteurs a réduit la croissance du marché

La pandémie de COVID-19 a créé une situation désastreuse sur tous les marchés du monde. La demande de produits a complètement diminué et les préférences des consommateurs ont radicalement changé. Cela a eu un impact négatif sur le marché.

Le marché des semi-conducteurs a été l'une des principales victimes des confinements, des interdictions de voyager et des normes de distanciation sociale. Après l'épidémie de coronavirus, la demande de semi-conducteurs pour PC a diminué de près de quatre à huit pour cent. Le secteur des semi-conducteurs a été confronté à plusieurs difficultés car la plupart des entreprises ont retardé la mise à niveau du matériel prévu, ainsi que plusieurs projets de migration à long terme. Tous ces facteurs ont fait baisser la part de marché du secteur des semi-conducteurs et ont affecté négativement la part de marché des semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC) pendant la pandémie.

DERNIÈRES TENDANCES

Utilisation de transistors et de diodes SiC et GaN dans les véhicules électriques pour augmenter la croissance du marché

Les semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC) présentent de nombreux avantages et fonctionnalités supérieures. Les transistors et les électrodes constitués de nitrure de gallium et de carbure de silicium sont utilisés dans la fabrication de véhicules électriques. Les véhicules électriques sont devenus la tendance récente du marché.

Les véhicules fonctionnant au diesel, à l'essence et à d'autres sources d'énergie non renouvelables sont désormais obsolètes. La sensibilisation environnementale de la population et les initiatives prises par les autorités gouvernementales pour réduire les émissions nocives et la pollution augmentent la demande de véhicules électriques. L'application croissante des conducteurs de puissance SiC et GaN dans la fabrication de véhicules électriques à travers le monde crée des opportunités de croissance lucratives sur le marché. Ceci est considéré comme la dernière tendance du marché.

• selon le Département américain de l'énergie, la capacité de plaquettes SiC de Wolfspeed est estimée entre 75 000 et 100 000 unités/an, II-VI à environ 70 000 unités/an et SiCrystal à environ 60 000 unités/an, ce qui indique une capacité de plaquettes concentrée et d'importantes expansions récentes de capacité.

• Wolfspeed a annoncé des projets visant à multiplier par plus de 10 la capacité de matériaux SiC et plusieurs entreprises construisent des lignes SiC/GaN de 200 mm (8 pouces) ou annoncent des investissements de 200 mm pour soutenir la production de dispositifs électriques à haut volume.

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SEGMENTATION DU MARCHÉ DES SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE DU NITRURE DE GALLIUM (GAN) ET DU CARBURE DE SILICIUM (SIC)

Par type

Le marché peut être divisé en fonction du type dans les segments suivants :

Semi-conducteur de puissance en carbure de silicium et semi-conducteur de puissance en nitrure de gallium. Le segment des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium devrait dominer le marché au cours de la période de prévision.

Par candidature

Classification basée sur l'application dans le segment suivant :

Electronique grand public, nouvelle connexion au réseau énergétique, rail, moteur industriel, alimentation UPS, véhicules à énergie nouvelle et autres. Le segment de l'électronique grand public devrait dominer le marché au cours de la période de recherche.

FACTEURS MOTEURS

Intégration des semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC) dans l'électronique moderne pour stimuler la croissance du marché

Les semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC) constituent une grande partie du secteur électronique moderne. La mondialisation et l'urbanisation rapide ont accru l'utilisation d'appareils électroniques tels que les ordinateurs, les ordinateurs portables, les PC et les smartphones. Les semi-conducteurs font partie intégrante de la fabrication de la plupart de ces appareils électroniques. Cela a propulsé la croissance et le développement du marché.

De nombreux nouveaux développements ont été observés récemment sur le marché. Les semi-conducteurs SiC sont désormais élaborés en couches plus minces et leur concentration en impuretés est augmentée. Cela a augmenté l'intensité du champ électrique de claquage utilisé pour configurer les dispositifs électriques fonctionnant à très haute tension. Tous ces facteurs déterminent la part de marché.

• Les programmes et subventions de semi-conducteurs soutenus par le gouvernement ont soutenu des projets d'installations de plusieurs milliards de dollars – par exemple, un accord rapporté par la presse faisait référence à une subvention américaine préliminaire de 225 millions de dollars liée à un investissement de production de SiC de 1,9 milliard de dollars pour Bosch (cela illustre l'ampleur des subventions publiques mobilisées pour garantir la capacité de SiC).

• les entreprises investissent dans des sites de production intégrés de SiC (substrat → epi → dispositif). L'annonce par STMicroelectronics d'un campus SiC de Catane entièrement intégré et des accords de fourniture associés (et des engagements visant à augmenter l'approvisionnement interne en substrats à environ 40 %) sont des exemples concrets.

Plusieurs avantages offerts par les conducteurs de puissance pour propulser la croissance du marché

Les semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC) ont un avantage par rapport aux autres conducteurs, car le nitrure de gallium et le carbure de silicium sont considérés comme les matériaux les plus appropriés pour les conducteurs. Ils offrent également plusieurs avantages, qui propulseront davantage la croissance du marché.

Ces conducteurs de puissance ont un fonctionnement à tension plus élevée, des fréquences de commutation plus élevées, une bande interdite plus élevée et une large plage de températures. Le nitrure de gallium présent dans ces conducteurs contribuera à réduire le coût de l'énergie consommée. Ce composé est très efficace. La chaleur dépensée sera très moindre, ce qui diminuera les coûts encourus. Le carbure de silicium permet au conducteur de fonctionner à des densités de puissance plus élevées. Tous ces facteurs augmentent la part de marché des semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC).

FACTEURS DE RETENUE

Caractéristiques défavorables du carbure de silicium et du nitrure de gallium pour diminuer la croissance du marché

Le nitrure de gallium et le carbure de silicium présentent certaines caractéristiques qui ne conviennent pas à la fabrication de semi-conducteurs. Le silicium a une bande interdite plus faible, ce qui fait qu'il ne peut pas être utilisé pour des applications à plus forte puissance. Le silicium n'est pas non plus très efficace pour prendre en charge les conceptions haute tension.

Le gallium a une faible conductivité thermique par rapport à d'autres substances. L'utilisation du gallium coûte cher. Maintenir la rentabilité peut devenir un défi majeur lors de l'utilisation du gallium. Le contrôle des défauts lors de la fabrication peut constituer une autre difficulté. Tous ces facteurs peuvent freiner la croissance du marché.

• Selon le ministère américain de l'Énergie, la Chine produit plus de 90 % du gallium mondial, et le gallium figure sur les listes de matériaux critiques, ce qui signifie que la mise à l'échelle du GaN pour le GaN en vrac à haute tension augmenterait les risques d'approvisionnement en matériaux.

• Plusieurs fournisseurs ont publiquement ajusté leurs objectifs en raison de la baisse de la demande de véhicules électriques ; Par exemple, un fournisseur a publiquement retardé ses objectifs de 2 ans en invoquant des tendances plus faibles de la demande de SiC, démontrant ainsi comment les fluctuations du marché final ralentissent le calendrier de montée en puissance des usines.

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APERÇU RÉGIONAL DU MARCHÉ DES SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE DU NITRURE DE GALLIUM (GAN) ET DU CARBURE DE SILICIUM (SIC)

L'Amérique du Nord dominera la part de marché dans les années à venir

L'Amérique du Nord est une région qui a connu de nombreux développements dans la part de marché des semi-conducteurs. Cette région devrait dominer le marché tout au long de la période de prévision. De nombreuses raisons ont contribué à la croissance du marché dans cette région, notamment des investissements plus élevés dans la recherche sur l'utilisation du nitrure de gallium et du carbure de silicium dans la fabrication de semi-conducteurs.

En outre, la demande croissante de véhicules électriques parmi les habitants de cette région élargit la portée du marché. Les technologies de l'information sont un secteur en développement en Amérique du Nord. Cela a accru l'utilisation d'appareils électroniques. Les semi-conducteurs font partie intégrante du marché des véhicules électriques et des appareils électroniques.

ACTEURS CLÉS DE L'INDUSTRIE

Les principaux acteurs adoptent des stratégies d'acquisition pour rester compétitifs

Plusieurs acteurs du marché utilisent des stratégies d'acquisition pour développer leur portefeuille d'activités et renforcer leur position sur le marché. De plus, les partenariats et les collaborations font partie des stratégies courantes adoptées par les entreprises. Les principaux acteurs du marché investissent en R&D pour mettre sur le marché des technologies et des solutions avancées.

• CREE (Wolfspeed) — Wolfspeed a annoncé une expansion de sa capacité de matériaux > 10 fois et a stimulé les investissements dans les plaquettes/épis SiC, notamment des plans pour une capacité de 200 mm ; le DOE américain identifie Wolfspeed avec une capacité de substrat estimée entre 75 000 et 100 000 unités/an.

• STMicroelectronics — construit un campus SiC intégré à Catane pour couvrir les capacités substrat → épi → dispositif → module (décrite publiquement comme une capacité SiC entièrement intégrée pour servir les clients automobiles/industriels), et a annoncé son intention d'augmenter l'approvisionnement interne en substrats à environ 40 %.

Liste des principales sociétés de semi-conducteurs de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC)

• CREE (Wolfspeed)
• ON Semiconductor
• Roma Semiconductor Group
• Mitsubishi Electric
• Tyco Tianrun Semiconductor Technology (Beijing) Co Ltd
• Fuji Electric
• STMicroelectronics
• Littelfuse
• Shenzhen Basic Semiconductor Co Ltd

COUVERTURE DU RAPPORT

Le rapport donne un aperçu de l'industrie du point de vue de la demande et de l'offre. En outre, il donne également des informations sur l'impact du COVID-19 sur le marché, les facteurs déterminants et restrictifs ainsi que les informations régionales. Les forces dynamiques du marché au cours de la période de prévision ont également été discutées pour une meilleure compréhension des situations du marché. Les principaux acteurs industriels ainsi que la région qui domine le marché ont également été présentés aux lecteurs.