Taille, part, croissance et analyse de l’industrie du marché des IGBT et des MOSFET à super jonction, par type (haute tension, basse tension), par application (appareils électroménagers, transport ferroviaire, nouvelles énergies, militaires et aérospatiaux, équipements médicaux et autres), perspectives régionales et prévisions de 2026 à 2035

Dernière mise à jour :02 February 2026
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APERÇU DU MARCHÉ DES IGBT ET DES MOSFET SUPER JONCTION

La taille du marché mondial des igbt et des super jonctions mosfet devrait valoir 9,35 milliards de dollars en 2026 et devrait atteindre 22,68 milliards de dollars d'ici 2035, avec un TCAC de 10,36 % au cours des prévisions de 2026 à 2035.

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La taille du marché des IGBT et des MOSFET à super jonction aux États-Unis est projetée à 2,87 milliards de dollars en 2025, la taille du marché des IGBT et des MOSFET à super jonction en Europe est projetée à 2,02 milliards de dollars en 2025, et la taille du marché des IGBT et des MOSFET à super jonction en Chine est projetée à 2,47 milliards de dollars en 2025.

L'adoption croissante des véhicules électriques est un moteur majeur de la demande d'IGBT et de MOSFET à super jonction, car ces composants semi-conducteurs jouent un rôle crucial dans le contrôle des systèmes d'onduleurs et dans la gestion des processus de charge des batteries dans les groupes motopropulseurs des véhicules électriques. L'expansion rapide du marché des véhicules électriques, alimentée par les préoccupations liées au changement climatique et à la pollution de l'air, génère une demande substantielle pour ces semi-conducteurs de puissance essentiels. De plus, le marché est influencé par l'accent mis sur l'efficacité énergétique dans les solutions électroniques, les IGBT et les MOSFET à super jonction démontrant une efficacité supérieure par rapport aux transistors de puissance traditionnels.

PRINCIPALES CONSTATATIONS

  • Taille et croissance du marché :Évalué à 9,35 milliards USD en 2026, il devrait atteindre 22,68 milliards USD d'ici 2035, avec un TCAC de 10,36 %.
  • Moteur clé du marché :Les applications liées aux véhicules électriques représentaient environ 26,5 % de la demande globale d'IGBT et de SJ-MOSFET.
  • Restrictions majeures du marché :Les coûts de fabrication élevés ont limité l'adoption jusqu'à 100 % dans les industries à petit budget et à petite échelle.
  • Tendances émergentes :Les MOSFET Super Junction ont conquis près de 50 % du marché dans le segment des MOSFET haute tension.
  • Leadership régional :L'Asie-Pacifique occupait la première place avec une part de marché de 41,7 % en 2023.
  • Paysage concurrentiel :Les principaux acteurs détenaient collectivement environ 60 % du marché mondial des IGBT et des SJ-MOSFET.
  • Segmentation du marché :Les appareils à haute tension représentaient 42 %, tandis que les appareils à basse tension détenaient 58 % de la segmentation totale.
  • Développement récent :Les MOSFET à super jonction haute tension représentaient près de 50 % des modules de puissance nouvellement lancés en 2024.

IMPACTS DE LA COVID-19

La demande a diminué en raison de la baisse de la production dans le secteur automobile

La pandémie de COVID-19 a été sans précédent et stupéfiante, le marché connaissant une demande inférieure aux prévisions dans toutes les régions par rapport aux niveaux d'avant la pandémie. La croissance soudaine du marché reflétée par la hausse du TCAC est attribuable au retour de la croissance du marché et de la demande aux niveaux d'avant la pandémie.

Le paysage du marché des IGBT et des MOSFET à super jonction a été le plus touché par la pandémie de COVID-19, confronté à des défis importants. Les perturbations de la chaîne d'approvisionnement, déclenchées par des confinements et des restrictions généralisés, ont porté un coup dur à la production et au transport, entraînant des pénuries et des hausses de prix notables. Parallèlement, certains secteurs, notamment l'automobile et l'industrie, ont été confrontés à des arrêts et à des niveaux de production réduits, ce qui s'est traduit par une baisse palpable de la demande d'IGBT et de MOSFET, essentiels à ces applications. L'interaction complexe de ces facteurs a souligné l'impact profond de la pandémie sur la dynamique du marché.

DERNIÈRES TENDANCES

Intégration de circuits de commande et de commandes de grille pour favoriser le développement d'une électronique de puissance compacte et haute performance

La dernière tendance sur le marché des IGBT et des MOSFET à super jonction se concentre sur l'intégration de circuits de commande, de commandes de grille et de composants supplémentaires directement dans les modules, ce qui donne lieu à des modules de puissance ultra-compacts. Cette innovation a considérablement réduit la taille et le poids de ces modules, favorisant le développement d'une électronique de puissance compacte et performante. Il convient particulièrement de noter l'application de ces avancées dans la création de solutions pour les drones, les appareils portables et les solutions de chargement portables. Cependant, la densification des composants nécessite des techniques avancées de gestion thermique, le refroidissement par microcanaux apparaissant comme une méthode essentielle pour garantir le fonctionnement efficace de ces modules densément emballés. Cette tendance souligne l'engagement de l'industrie à repousser les limites de la miniaturisation tout en relevant les défis associés à la dissipation thermique dans les systèmes électroniques compacts.

  • Selon l'Agence internationale de l'énergie (AIE), plus de 13 millions de véhicules électriques (VE) ont été vendus dans le monde en 2023, et environ 85 % de ces véhicules électriques ont intégré des modules IGBT ou des MOSFET Super Junction dans leurs systèmes d'onduleur ou de chargeur pour une conversion d'énergie efficace.

 

  • Sur la base de données alignées sur les normes de l'industrie, plus de 68 % des nouveaux systèmes de contrôle de puissance industriels ont adopté des MOSFET à super jonction de 650 V à 1 200 V entre 2022 et 2024, en particulier pour les applications dans les onduleurs solaires, le chauffage par induction et les systèmes UPS en raison de leurs pertes de commutation inférieures de 30 %.

 

 

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SEGMENTATION DU MARCHÉ DES IGBT ET DES MOSFET SUPER JONCTION

Par type

En fonction du type, le marché mondial peut être classé en haute tension et basse tension.

  • Segment haute tension : dans le segment haute tension, les IGBT et les MOSFET à super jonction répondent aux applications nécessitant de solides capacités de gestion de l'énergie. Ce segment est crucial pour les industries et les systèmes exigeant des seuils de tension élevés, tels que la transmission d'énergie, les véhicules électriques et les machines industrielles hautes performances.

 

  • Segment basse tension : le segment basse tension englobe les applications où les besoins en énergie fonctionnent dans des plages de tension inférieures. Les IGBT et les MOSFET à super jonction de cette catégorie trouvent leur utilité dans l'électronique grand public, les applications industrielles à plus petite échelle et les appareils électroniques portables.

Par candidature

En fonction des applications, le marché mondial peut être classé en appareils électroménagers, transport ferroviaire, énergies nouvelles, militaires et aérospatiaux, équipements médicaux, etc.

  • Appareils électroménagers : l'application de la technologie IGBT et MOSFET à super jonction dans les appareils électroménagers implique d'améliorer l'efficacité d'appareils tels que les réfrigérateurs, les climatiseurs et les machines à laver.

 

  • Transport ferroviaire : Dans le secteur du transport ferroviaire, les IGBT et les MOSFET jouent un rôle essentiel dans les onduleurs de traction et les systèmes d'alimentation auxiliaires. Leur densité de puissance élevée et leur efficacité contribuent à l'électrification des trains, les rendant ainsi plus économes en énergie.

 

  • Nouvelles énergies : les IGBT et les MOSFET à super jonction jouent un rôle déterminant dans le domaine des nouvelles énergies, en particulier dans les systèmes d'énergie renouvelable tels que les onduleurs solaires et les éoliennes.

 

  • Militaire et aérospatial : le segment militaire et aérospatial utilise des IGBT et des MOSFET pour diverses applications, notamment les alimentations électriques, les systèmes radar et les équipements de guerre électronique. Leur fiabilité et leurs caractéristiques de haute performance les rendent essentiels pour garantir la fonctionnalité et l'efficacité des technologies militaires et aérospatiales avancées.

 

  • Équipement médical : les IGBT et les MOSFET à super jonction trouvent des applications dans les équipements médicaux, contribuant à l'efficacité et à la précision des appareils tels que les systèmes d'imagerie, les équipements chirurgicaux et les alimentations électriques pour instruments médicaux.

FACTEURS MOTEURS

Augmentation de l'adoption des véhicules électriques (VE) pour accélérer l'expansion du marché

L'adoption croissante des véhicules électriques (VE) découle des préoccupations croissantes concernant le changement climatique et la pollution de l'air. Dans le VEgroupe motopropulseur, le rôle central joué par les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) ne peut être surestimé. Ces composants semi-conducteurs contrôlent les systèmes d'onduleurs et gèrent efficacement les processus de charge des batteries. L'expansion rapide du marché des véhicules électriques suscite une demande substantielle pour ces énergies essentielles.semi-conducteurs.

Focus sur l'efficacité énergétique pour stimuler la croissance du marché

L'augmentation du coût de l'énergie oriente le marché vers des solutions électroniques plus économes en énergie. Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et les MOSFET à super jonction se distinguent par leur efficacité supérieure par rapport aux transistors de puissance traditionnels. Cette efficacité accrue se traduit non seulement par une consommation d'énergie inférieure, mais contribue également à une empreinte carbone réduite. Les applications telles que les onduleurs solaires, les éoliennes et les entraînements de moteurs industriels bénéficient considérablement des caractéristiques d'efficacité énergétique de ces composants semi-conducteurs.

  • Selon l'Agence internationale des énergies renouvelables (IRENA), la capacité solaire photovoltaïque installée mondiale a atteint 1 419 GW en 2023. Les IGBT haute tension sont utilisés dans plus de 90 % des onduleurs solaires à grande échelle pour une commutation efficace de haute puissance et une gestion de l'énergie.

 

  • Selon les données du Département américain de l'énergie (DOE), les systèmes moteurs industriels représentent 47 % de la consommation mondiale d'électricité. L'intégration des technologies IGBT et Super Junction MOSFET a permis d'améliorer les économies d'énergie jusqu'à 25 %, en particulier dans les applications de commande de moteur haute fréquence.

FACTEURS DE RETENUE

Défis techniques pour entraver l'amélioration du marché

Un facteur limitant important pour le marché des IGBT et des MOSFET à super jonction est l'ensemble des défis techniques impliqués dans leur conception. Trouver un équilibre délicat entre efficacité, vitesse de commutation et résistance à l'état passant constitue un défi de taille. Les concepteurs sont confrontés à la tâche complexe d'optimiser ces composants semi-conducteurs, en faisant des compromis pour obtenir les performances les plus efficaces. La nature complexe de ces défis techniques peut avoir un impact sur le développement et le déploiement de ces semi-conducteurs, limitant potentiellement la croissance du marché des IGBT et des MOSFET à super jonction.

  • Selon les directives de sécurité de l'industrie, plus de 40 % des modules IGBT haute puissance nécessitent des systèmes dédiés de dissipateur thermique et de refroidissement liquide, ce qui ajoute 15 à 20 % de coût supplémentaire à l'intégration totale du module dans les entraînements et convertisseurs électriques.

 

  • Les rapports de politique gouvernementale indiquent que plus de 75 % de la production mondiale de tranches de MOSFET et d'IGBT est concentrée en Asie de l'Est, ce qui entraîne des goulots d'étranglement d'approvisionnement et des retards allant jusqu'à 12 semaines pendant les périodes de pointe de la demande ou de perturbations géopolitiques.

 

APERÇU RÉGIONAL DU MARCHÉ DES IGBT ET DES MOSFET SUPER JONCTION

L'Asie-Pacifique dominera le marché mondial grâce aux secteurs industriels et électriques en plein essor de la région

Le marché est principalement divisé en Europe, Amérique du Nord, Asie-Pacifique, Amérique latine, Moyen-Orient et Afrique.

L'Asie-Pacifique détient la plus grande part de marché des IGBT et des MOSFET à super jonction. Les secteurs industriels et électriques en plein essor, les initiatives gouvernementales promouvant le progrès technologique et une solide base d'électronique grand public contribuent tous à sa domination. Cette région centrale continue de donner le ton en matière d'innovation et de consommation de semi-conducteurs de puissance, laissant tous les autres concurrents dans son sillage.

ACTEURS CLÉS DE L'INDUSTRIE

Les principaux acteurs se concentrent sur les partenariats pour obtenir un avantage concurrentiel

Les principaux acteurs du marché déploient des efforts de collaboration en s'associant avec d'autres entreprises pour garder une longueur d'avance sur la concurrence. De nombreuses entreprises investissent également dans le lancement de nouveaux produits pour élargir leur portefeuille de produits. Les fusions et acquisitions font également partie des stratégies clés utilisées par les acteurs pour élargir leur portefeuille de produits.

  • Alpha & Omega Semiconductor : Alpha & Omega Semiconductor a expédié plus de 1,2 milliard de dispositifs MOSFET Super Junction dans le monde en 2024, avec une adoption majeure dans l'électronique grand public et les alimentations pour serveurs. Leur série 600 V a démontré un RDS(on) jusqu'à 40 % inférieur à celui des générations précédentes.

 

  • ON Semiconductor : ON Semiconductor exploite plus de 20 centres de conception mondiaux et fournit des modules IGBT utilisés dans plus de 400 gammes de produits industriels et automobiles. Leurs IGBT à tranchée à arrêt de champ prennent en charge des tensions nominales allant jusqu'à 1 700 V, avec une efficacité thermique de 95 % dans les applications d'onduleurs de traction.

Liste des principales sociétés Igbt et Super Junction Mosfet

  • Alpha & Omega Semiconductor
  • ON Semiconductor,
  • Fairchild Semiconductor
  • Infineon
  • ABB
  • Mitsubishi
  • ROHM
  • Toshiba
  • Vishay
  • Semikron
  • STMicroelectronics
  • Fuji
  • Sanyo Electric
  • MACMICST
  • Dynex Semiconductor
  • Weihai Singa
  • Starpower Semiconductor
  • NXP Semiconductors
  • Silvermicro
  • Hongfa

DÉVELOPPEMENT INDUSTRIEL

Octobre 2023 :Infineon Technologies dévoile le premier transistor bipolaire à grille isolée par tranchée améliorée de 1 200 V (IGBT E-Trench) du secteur, doté de la plus faible résistance à l'état passant pour sa classe de tension. Cette avancée promet une efficacité accrue et une réduction des pertes de puissance dans les applications industrielles.

COUVERTURE DU RAPPORT

L'étude comprend une analyse SWOT complète et donne un aperçu des développements futurs du marché. Il examine divers facteurs qui contribuent à la croissance du marché, explorant un large éventail de catégories de marché et d'applications potentielles susceptibles d'avoir un impact sur sa trajectoire dans les années à venir. L'analyse prend en compte à la fois les tendances actuelles et les tournants historiques, fournissant une compréhension globale des composantes du marché et identifiant les domaines potentiels de croissance.

Le rapport de recherche se penche sur la segmentation du marché, en utilisant des méthodes de recherche qualitatives et quantitatives pour fournir une analyse approfondie. Il évalue également l'impact des perspectives financières et stratégiques sur le marché. En outre, le rapport présente des évaluations nationales et régionales, tenant compte des forces dominantes de l'offre et de la demande qui influencent la croissance du marché. Le paysage concurrentiel est méticuleusement détaillé, y compris les parts de marché des concurrents importants. Le rapport intègre de nouvelles méthodologies de recherche et des stratégies de joueurs adaptées au calendrier prévu. Dans l'ensemble, il offre des informations précieuses et complètes sur la dynamique du marché d'une manière formelle et facilement compréhensible.

Marché des IGBT et des MOSFET à super jonction Portée et segmentation du rapport

Attributs Détails

Valeur de la taille du marché en

US$ 9.35 Billion en 2026

Valeur de la taille du marché d’ici

US$ 22.68 Billion d’ici 2035

Taux de croissance

TCAC de 10.36% de 2026 to 2035

Période de prévision

2026-2035

Année de base

2025

Données historiques disponibles

Oui

Portée régionale

Mondiale

Segments couverts

Par type

  • Haute tension
  • Basse tension

Par candidature

  • Appareils électroménagers
  • Transport ferroviaire
  • Nouvelle énergie
  • Militaire et aérospatial
  • Équipement médical
  • Autre

FAQs

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