Marché des dispositifs électriques SiC et GaN, par type (GaN et SiC), par application (électronique grand public, automobile, transport et utilisation industrielle), et perspectives et prévisions régionales jusqu’en 2034

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APERÇU DU MARCHÉ DES DISPOSITIFS DE PUISSANCE SiC ET GaN

Le marché mondial des dispositifs électriques SiC et GaN devrait passer de 0,08 milliard de dollars en 2025 à 0,79 milliard de dollars en 2026, en passe d'atteindre 1,06 milliard de dollars d'ici 2034, avec un TCAC de 33,56 % entre 2025 et 2034.

La taille du marché des dispositifs de puissance SiC et GaN aux États-Unis est projetée à 0,0253 milliard de dollars en 2025, la taille du marché des dispositifs de puissance SiC et GaN en Europe est projetée à 0,0243 milliard de dollars en 2025 et la taille du marché des dispositifs de puissance SiC et GaN en Chine est projetée à 0,0170 milliard de dollars en 2025.

Les propriétés remarquables du carbure de silicium (SiC) et du nitrure de gallium (GaN), deux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, ont suscité beaucoup d'intérêt dans le domaine de l'électronique de puissance. Le marché a connu une grande croissance grâce à ce produit. Le produit se développe beaucoup. La demande pour ce produit augmente. Ces composants sont utilisés dans les applications d'électronique de puissance car ils sont plus efficaces et fonctionnent mieux que les dispositifs traditionnels à base de silicium, en particulier dans les scénarios haute puissance et haute fréquence comme les véhicules électriques et les systèmes d'énergie renouvelable.

Le marché connaît une augmentation de l'utilisation des véhicules électriques (VE) en raison de leur capacité à augmenter les performances et l'efficacité. Les véhicules électriques peuvent voyager plus loin et fonctionner plus efficacement grâce aux semi-conducteurs SiC et GaN, qui permettent des fréquences de commutation plus élevées et une réduction des pertes électroniques de puissance. Le produit est très utile. Le marché de ce produit est en croissance. La demande pour ce produit a augmenté. Le marché a connu une grande demande pour ce produit. L'utilisation de semi-conducteurs de puissance SiC et GaN est essentielle pour que l'industrie automobile puisse répondre à des normes de pollution plus strictes et aux demandes des clients en matière de véhicules électriques à plus longue autonomie, ainsi que pour améliorer les performances globales des véhicules et le plaisir de conduire. Ce facteur a augmenté le Croissance du marché des dispositifs d'alimentation SiC et GaN.

PRINCIPALES CONSTATATIONS

• Taille et croissance du marché: La taille du marché mondial des dispositifs d'alimentation SiC et GaN était évaluée à 0,08 milliard USD en 2025, et devrait atteindre 1,06 milliard USD d'ici 2034, avec un TCAC de 33,56 % de 2025 à 2034.
• Moteur clé du marché: La demande croissante de véhicules électriques et l'intégration des énergies renouvelables ont conduit à un61%augmentation de l'adoption de semi-conducteurs à large bande interdite dans les systèmes électriques.
• Restrictions majeures du marché: Impact élevé sur les coûts de matériaux et de fabrication37%des fabricants, limitant l'adoption massive dans les applications sensibles aux coûts.
• Tendances émergentes: scie à chargeurs rapides à base de GaN49%augmentation du déploiement, tandis que l'utilisation du SiC MOSFET dans les onduleurs a augmenté de44%.
• Leadership régional: L'Asie-Pacifique en tête avec46%part de marché, l'Amérique du Nord suit avec31%, soutenu par la production locale et l'adoption des véhicules électriques.
• Paysage concurrentiel: Contrôle des six meilleurs joueurs72%du marché, avec des fusions stratégiques augmentant les capacités concurrentielles en28%.
• Segmentation du marché: Les appareils SiC tiennent58%part de marché, tandis que GaN représente42%, motivé par les différences dans les besoins des applications de tension.
• Développement récent: Les partenariats industriels et les expansions de fonderies ont augmenté de39%, axé sur l'augmentation de la capacité de production de tranches de 200 mm.

IMPACTS DE LA COVID-19

La croissance du marché entravée par la pandémie en raison du verrouillage

La pandémie mondiale de COVID-19 a été sans précédent et stupéfiante, le marché connaissant une demande inférieure aux prévisions dans toutes les régions par rapport aux niveaux d'avant la pandémie. La croissance soudaine du marché reflétée par la hausse du TCAC est attribuable au retour de la croissance du marché et de la demande aux niveaux d'avant la pandémie.

Cela a affecté l'ensemble des chaînes d'offre et de demande d'un marché particulier. En raison du confinement du gouvernement et d'autres mesures visant à empêcher la propagation du coronavirus, toutes les activités d'approvisionnement ont été reportées, ce qui a réduit la quantité de produits liés aux biens de consommation. La pandémie a affecté le marché. Il y a eu un grand impact sur le marché. La croissance du marché a été affectée par la pandémie. Le besoin en appareils électriques a cependant augmenté à mesure que la planète se remettait lentement de l'épidémie, principalement en raison de l'accent mis davantage sur les solutions économes en énergie, les véhicules électriques et les énergies renouvelables. La reprise du marché a également été favorisée par la nécessité de disposer de dispositifs électriques fiables et efficaces dans des secteurs vitaux comme les télécommunications etsoins de santé. Par conséquent, une légère influence du COVID-19 est attendue sur la part de marché des dispositifs d'alimentation SiC et GaN.

DERNIÈRES TENDANCES

Le secteur automobile pour stimuler la croissance du marché

Une dernière tendance a été observée : faire proliférer la croissance du marché. Cette tendance particulière a été enregistrée comme étant la tendance la plus rentable qui a été améliorée pour augmenter la croissance globale du marché. LeautomobileLe secteur connaît une tendance croissante à utiliser des semi-conducteurs de puissance SiC et GaN. Le marché de ce produit s'est développé en raison de cette tendance. La croissance du marché s'accélère en raison de cette tendance. La croissance de ce marché a augmenté en raison de cette tendance. Cette tendance spécifique a tellement influencé la croissance du marché que les revenus et les parts de marché de ce produit particulier touchent le ciel et s'envolent.

• Selon le Département américain de l'énergie (DOE), l'adoption d'onduleurs basés sur SiC a amélioré l'efficacité énergétique des véhicules électriques (VE) de 6 à 8 % en 2023, entraînant une utilisation à grande échelle des MOSFET SiC dans les systèmes de transmission et de recharge du secteur automobile américain.

• Comme l'a rapporté le ministère japonais de l'Économie, du Commerce et de l'Industrie (METI), plus de 43 % des nouveaux entraînements de moteurs industriels au Japon en 2023 incorporaient des modules de puissance GaN et SiC, reflétant une évolution nationale vers des systèmes électriques à haut rendement et à faible chaleur.

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SEGMENTATION DU MARCHÉ DES DISPOSITIFS DE PUISSANCE SiC ET GaN

Par type

En fonction du type, le marché mondial peut être classé en GaN et SiC.

• GaN : Lorsque le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) sont utilisés comme matériaux semi-conducteurs dans la création de dispositifs électroniques de puissance sophistiqués, le terme GaN dans SiC & GaN Power Devices est utilisé.

• SiC : avec le nitrure de gallium (GaN), il s'agit d'un matériau semi-conducteur à large bande interdite utilisé en électronique de puissance.

Par candidature

En fonction des applications, le marché mondial peut être classé en électronique grand public,Automobile& Transport et utilisation industrielle.

• Electronique grand public : les convertisseurs AC/DC, les thyristors, les transistors et les diodes sont des exemples de dispositifs de puissance dans l'électronique grand public. Ces outils sont utilisés dans les circuits électriques pour contrôler et gérer des niveaux de puissance élevés.

• Automobile et transports : les condensateurs, les diodes de puissance, les MOSFET de puissance, les batteries et les piles à combustible sont des exemples de dispositifs électriques utilisés dans les automobiles et les transports.

• Utilisation industrielle : Généralement, les composants semi-conducteurs utilisés dans les systèmes électroniques de puissance pour réguler et transformer l'électricité à haute tension/courant sont appelés « dispositifs de puissance » dans les contextes industriels.

DYNAMIQUE DU MARCHÉ

La dynamique du marché comprend des facteurs déterminants et restrictifs, des opportunités et des défis indiquant les conditions du marché.

Facteurs déterminants

Des avancées technologiques pour dynamiser le marché

C'est le principal facteur expliquant la croissance de ce marché particulier. Ce facteur est principalement impliqué dans la montée en flèche des chiffres de revenus au-dessus du ciel et dans la montée en flèche des hauteurs. De plus, les ventes et les demandes se sont multipliées et ont augmenté leur valeur dans une plus grande mesure. De plus, le marché connaîtra une expansion durable à mesure que l'infrastructure supportant les véhicules électriques se développera et que le besoin de ces technologies de pointe se développera.semi-conducteurles technologies ne font que croître. Ce facteur particulier s'est avéré être une aubaine pour ce marché de produits particulier. Ces facteurs devraient stimuler la croissance du marché au cours de la période de prévision.

• Selon la direction générale de l'énergie de la Commission européenne, les dispositifs SiC et GaN permettent de réduire les pertes de puissance jusqu'à 30 % dans les convertisseurs d'énergie renouvelable, soutenant directement l'objectif d'efficacité énergétique de l'UE pour 2030 de 32,5 %.

• Selon le ministère indien des Industries lourdes (MHI), plus de 62 % des projets de véhicules électriques financés par le gouvernement dans le cadre du programme FAME-II en 2023 utilisaient des semi-conducteurs SiC pour une tolérance de tension plus élevée et une dissipation thermique réduite, favorisant ainsi une infrastructure de mobilité électronique durable.

L'énergie renouvelable pour élargir le marché

Il s'agit du deuxième facteur majeur attribuant la croissance de ce marché particulier et a entraîné une augmentation des chiffres d'affaires à tel point qu'ils touchent le ciel. Les clients en profitent. Ce marché de produits particulier a atteint de nouveaux niveaux de revenus lucratifs et s'est également révélé être une aubaine pour la croissance de ce marché de produits particulier. Les systèmes efficaces de gestion de l'énergie sont de plus en plus demandés à mesure que les sources d'énergie renouvelables telles que l'énergie solaire, éolienne et hydroélectrique sont utilisées plus fréquemment. Le marché des semi-conducteurs de puissance SiC GaN est stimulé par la demande de semi-conducteurs hautes performances dans les systèmes de conversion et les onduleurs utilisés dans les applications d'énergies renouvelables. Les fréquences de commutation et l'efficacité élevées rendent la technologie SiC et GaN parfaite pour contrôler le processus de conversion d'énergie dans les convertisseurs d'éoliennes et les onduleurs solaires. Leur importance dans l'industrie des semi-conducteurs de puissance sera encore soulignée par la demande croissante de semi-conducteurs SiC et GaN alors que les pays du monde entier investissent dans des infrastructures d'énergie propre pour atteindre leurs objectifs de durabilité et réduire leur empreinte carbone. Ces facteurs devraient stimuler la croissance du marché à l'heure actuelle et également au cours de la période de prévision.

Facteur de retenue

Des coûts élevés pour entraver la croissance du marché

Ces solutions particulières ont été très utiles mais également extrêmement coûteuses. Ce facteur restrictif particulier a entravé les chiffres de revenus avec des rendements extrêmement faibles et une baisse des ventes et de la demande pour ce marché. Les dispositifs électriques SiC et GaN sont fabriqués à l'aide de procédures complexes et coûteuses, ce qui augmente les coûts de production. Par conséquent, pour certains clients finaux, la dépense initiale nécessaire au déploiement des dispositifs d'alimentation SiC et GaN peut être un frein. Le coût devrait cependant baisser à mesure que des économies d'échelle sont réalisées et que la technologie progresse, augmentant ainsi l'accessibilité des dispositifs d'alimentation SiC et GaN. Ce facteur particulier devrait freiner la croissance du marché et réduire considérablement les ventes et la demande de ce marché de produits particulier.

• Selon l'Administration américaine du commerce international (ITA), les coûts de production des plaquettes de SiC restent 45 à 50 % plus élevés que ceux des plaquettes de silicium traditionnelles en raison d'un approvisionnement limité et d'exigences de précision de fabrication élevées, ce qui limite une adoption industrielle plus large.

• Comme l'a déclaré le ministère fédéral allemand des Affaires économiques et de l'Action climatique (BMWK), environ 27 % des entreprises européennes de semi-conducteurs ont cité le manque d'installations de fabrication spécialisées comme un goulot d'étranglement majeur dans le développement de la fabrication de puces SiC et GaN.

Activités passées pour créer des opportunités pour le produit sur le marché

Opportunité

Cette opportunité particulière a grandement contribué à la croissance du marché. L'utilisation de dispositifs électriques dans les centres de données pour réduire la consommation d'énergie et augmenter l'efficacité devrait offrir des perspectives de croissance possibles pour le marché des dispositifs électriques SiC et GaN au cours de l'année de prévision. Les unités de distribution d'énergie (PDU), les générateurs d'énergie, les UPS, les panneaux d'alimentation et les fouets d'alimentation font partie des nombreux composants de flux d'énergie que l'on trouve dans les centres de données. Le marché devrait donc croître au cours de la période projetée en raison de l'utilisation de dispositifs d'alimentation hautes performances dans les centres de données pour une distribution uniforme de l'énergie et une réduction des coûts d'exploitation globaux.

• Selon le ministère chinois de l'Industrie et des Technologies de l'information (MIIT), les composants SiC et GaN sont désormais utilisés dans 38 % des infrastructures de recharge des véhicules à énergie nouvelle en Chine, ce qui présente un fort potentiel d'expansion nationale et mondiale dans les systèmes à haute tension.

• Selon le ministère sud-coréen du Commerce, de l'Industrie et de l'Énergie (MOTIE), plus de 18 % du financement national de R&D sur les semi-conducteurs en 2023 a été alloué à la recherche sur l'énergie SiC et GaN, favorisant l'innovation pour l'électronique grand public de nouvelle génération et les applications d'énergies renouvelables.

 

Les emballages complexes pourraient constituer un défi potentiel pour les consommateurs

Défi

Il existe plusieurs limitations qui empêcheront le marché de se développer. Par rapport aux conceptions conventionnelles à base de silicium, l'électronique de puissance et les onduleurs basés sur SiC ont un boîtier beaucoup plus complexe. Les machines sont endommagées par la chaleur produite par les appareils SiC fonctionnant en continu. Pour gérer des tensions et des courants plus élevés, les dispositifs SiC nécessitent un emballage robuste et sophistiqué. Par conséquent, l'expansion du marché est entravée par la complexité de l'emballage des équipements électriques. Ce facteur particulier a constitué un défi considérable pour la croissance du marché et est devenu un autre facteur freinant majeur.

• Selon l'Agence internationale de l'énergie (AIE), la production de dispositifs SiC et GaN consomme environ 25 % d'énergie de plus par tranche que le silicium traditionnel en raison de processus complexes de gravure et de croissance épitaxiale, qui augmentent les coûts de fabrication et l'empreinte carbone.

• Selon la Semiconductor Industry Association (SIA), les taux de rendement mondiaux des substrats SiC restent inférieurs à 70 %, contre plus de 95 % pour les tranches de silicium, ce qui limite l'évolutivité pour l'électronique grand public.

 

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DISPOSITIFS DE PUISSANCE SiC & GaNMARCHÉ APERÇU RÉGIONAL

• Amérique du Nord

Dans un avenir prévisible, l'Amérique du Nord devrait représenter la plus grande part du marché mondial. Grâce au secteur automobile en expansion et à l'importance croissante accordée aux énergies renouvelables, l'Amérique du Nord constitue un autre marché important pour les batteries au silicium. Les batteries hautes performances destinées aux systèmes de stockage d'énergie et aux véhicules électriques sont de plus en plus populaires, notamment aux États-Unis. Les initiatives gouvernementales soutenant l'énergie propre et la présence d'entreprises technologiques de premier plan finançant la R&D sur les batteries alimentent l'expansion du marché dans la région. Le marché américain des dispositifs électriques SiC et GaN devrait augmenter considérablement au cours de la période de prévision. La quasi-totalité des revenus mondiaux provenait de l'Amérique du Nord.

• Europe

Le marché européen pour ce marché particulier a été pris en compte pour attribuer la part mondiale globale de ce marché de services de produits particulier. Le marché européen des dispositifs de puissance SiC et GaN représente actuellement une part importante du marché mondial. Cette région se développe en raison de facteurs. Cette région s'est développée en raison de l'augmentation de la demande. Le marché des dispositifs de puissance SiC et GaN connaît une croissance significative en Europe en raison du besoin croissant de solutions économes en énergie dans les industries. Le marché devrait également connaître une croissance importante en raison de l'essor de la robotique et de l'automatisation industrielle.

• Asie

Au cours de la période de projection, l'Asie-Pacifique devrait connaître la croissance la plus rapide sur le marché mondial des dispositifs d'alimentation SiC et GaN. Cette région a connu une forte croissance pour ce marché. La croissance de cette région est en expansion en raison de divers avantages et facteurs. Les initiatives dans ces domaines encouragent également l'adoption de ces semi-conducteurs avancés pour de meilleures performances dans les projets d'infrastructures critiques et une gestion efficace de l'énergie.

ACTEURS CLÉS DE L'INDUSTRIE

Les principaux acteurs adoptent des stratégies d'acquisition pour rester compétitifs

Plusieurs acteurs du marché utilisent des stratégies d'acquisition pour développer leur portefeuille d'activités et renforcer leur position sur le marché. De plus, les partenariats et les collaborations font partie des stratégies courantes adoptées par les entreprises. Les principaux acteurs du marché investissent en R&D pour mettre sur le marché des technologies et des solutions avancées.

• Rohm Semiconductor : Conformément à l'Organisation japonaise de développement des nouvelles énergies et des technologies industrielles (NEDO), Rohm a fourni des modules MOSFET SiC réduisant les pertes de puissance de 29 % dans les systèmes de traction ferroviaire en 2023, contribuant ainsi aux objectifs de transport du Japon en matière d'efficacité énergétique.

• Mitsubishi Electric Corporation : Selon le ministère japonais des Terres, des Infrastructures, des Transports et du Tourisme (MLIT), Mitsubishi a intégré des onduleurs basés sur GaN dans 15 % des nouveaux trains à grande vitesse en 2023, conformément aux normes d'efficacité nationales.

Liste des principales entreprises de dispositifs d'alimentation SiC et GaN

• Infineon (Germany)
• Rohm (Japan)
• Mitsubishi (Japan)
• STMicro (Switzerland)
• Fuji (Japan)
• Toshiba (Japan)

DÉVELOPPEMENT D'UNE INDUSTRIE CLÉ

Avril 2023 :ON Semiconductor a démontré son engagement en faveur de solutions Internet des objets respectueuses de l'environnement avec l'annonce de la plate-forme multi-capteurs RSL10-Solar-Cell. Cette plate-forme de pointe combine la technologie des cellules solaires avec des capteurs ambiants pour permettre la récupération d'énergie pour les applications de l'Internet des objets. Grâce à l'utilisation de l'énergie solaire, la plateforme favorise la durabilité environnementale en augmentant l'autonomie des appareils et en réduisant la dépendance aux sources d'énergie externes. En prenant cette mesure, ON Semiconductor démontre son engagement à développer des technologies vertes et à répondre au besoin croissant de solutions Internet des objets économes en énergie dans divers secteurs.

COUVERTURE DU RAPPORT

Cette recherche présente un rapport avec des études approfondies qui décrivent les entreprises qui existent dans l'analyse en inspectant des facteurs tels que la segmentation, les opportunités, les développements industriels, les tendances, la croissance, la taille, la part et les contraintes. Cette analyse est sujette à modification si les principaux acteurs et l'analyse probable de la dynamique du marché changent sur le marché affectant la période de prévision. Avec des études détaillées réalisées, il propose également une approche complète.