窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体市場規模、シェア、成長、産業分析、タイプごと（炭化シリコンパワーセミコンダクター、ガリウム窒化物パワー半導体）、アプリケーション（コンシューマエレクトロニクス、新しいエネルギーグリッド接続、鉄道、産業モーター、UPSおよび地域の発電、その他2034

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窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体市場の概要

グローバルな窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体の市場規模は、2025年に2575億米ドルと評価され、2034年までに35.66億米ドルに達すると予想され、2025年から2034年から2034年までの複合年間成長率（CAGR）が増加しています。

窒化ガリウムガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体市場規模は、2025年に0.794333億米ドルと予測されています。炭化物（SIC）電源半導体市場規模は、2025年に0.83527億米ドルと予測されています。

窒化ガリウム（GAN）と炭化シリコン（SIC）で構成された半導体は、炭化シリコンとガリウム窒化物がパワー半導体の生産に最適で最先端の材料と見なされるため、非常に効率的であると考えられています。これらの物質には、通常の半導体材料よりもいくつかの利点があります。

これらの半導体にはいくつかのアプリケーションがあり、家電、鉄道、UPS電源、新しいエネルギーグリッド接続などのさまざまなセクターで使用されています。これは、市場の最新トレンドと見なされます。

パワー半導体は、最新の電子機器で使用されます。炭化シリコンと窒化ガリウムは、半導体の製造に非常に適していると考えられています。これらは、窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体市場の成長を促進する要因と見なされます。

重要な調査結果

Covid-19の衝撃

半導体業界の価値の低下は、市場の成長を減らしました

Covid-19のパンデミックは、世界中のすべての市場に悲惨な状況を生み出しました。製品の需要は完全に減少し、消費者の好みに劇的な変化がありました。これは市場に悪影響を及ぼしました。

半導体市場は、封鎖、旅行禁止、社会的距離の規範の主要な犠牲者の1つでした。コロナウイルスの発生後、PC半導体の需要はほぼ4〜8％減少しました。半導体セクターは、ほとんどの企業が計画されたハードウェアのアップグレードを遅らせ、いくつかの長期的な移行プロジェクトを遅らせたため、いくつかの困難に直面しました。これらの要因はすべて、半導体セクターの市場シェアを低下させ、窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体市場シェアを悪性化しました。

最新のトレンド

市場の成長を促進するための電気自動車でのSICおよびGANトランジスタとダイオードの使用

窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体には、多くの利点と優れた特徴があります。窒化ガリウムと炭化シリコンで構成されるトランジスタと電極は、電気自動車の製造に使用されます。電気自動車は、市場の最近の傾向になっています。

ディーゼル、ガソリン、その他の非再生可能エネルギー源で走行する車両は、今や時代遅れになりつつあります。人々の環境意識と、有害な排出物や汚染を削減するために政府当局がとっている取り組みにより、電気自動車の需要が増加しています。世界中で電気自動車の製造における SiC および GaN 電力導体の適用が増加しており、市場に有利な成長機会が生まれています。これは市場の最新のトレンドと考えられています。

• 米国エネルギー省によると、WolfSpeedのSICウェーハ容量は、年間75,000〜100,000ユニット、約70,000単位/年、約60,000ユニット/年と推定されており、濃縮ウェーハ容量と最近の大規模な容量の拡張を指し示しています。

• WolfSpeedは、SICの材料容量を10倍以上増やし、複数の企業が200 mm（8インチ）のSIC/GANラインを構築したり、大量の電力装置生産をサポートする200 mmの投資を発表している計画を発表しました。

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窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体市場セグメンテーション

タイプごとに

市場は、タイプに基づいて次のセグメントに分割できます。

炭化ケイ素パワー半導体、窒化ガリウムパワー半導体。炭化ケイ素パワー半導体セグメントは、予測期間中に市場を支配すると予想されます。

アプリケーションによって

次のセグメントへのアプリケーションに基づく分類:

コンシューマーエレクトロニクス、新しいエネルギーグリッド接続、レール、産業モーター、UPS電源、新しいエネルギー車両、およびその他。家電セグメントは、研究期間中に市場を支配すると予測されています。

運転要因

窒化ガリウム（GAN）と炭化シリコン（SIC）の統合現代の電子機器におけるパワー半導体の市場成長を促進する

窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体は、現代の電子部門の大部分を占めています。グローバル化、および急速な都市化により、コンピューター、ラップトップ、PC、スマートフォンなどの電子デバイスの使用が増加しました。半導体は、これらの電子機器のほとんどの製造に不可欠な部分を形成します。これにより、市場の成長と発展が促進されました。

最近、多くの新しい開発が市場で目撃されています。 SIC半導体は現在、より薄い層にドラフトされており、それらの不純物濃度が高くなっています。これにより、非常に高電圧で動作する電力デバイスの構成に使用される分解電界強度が増加しました。これらの要因はすべて、市場シェアを促進しています。

• 政府支援の半導体プログラムと補助金は、数十億ドル規模の設備プロジェクトを支援してきた。たとえば、ニュースで報道された契約では、ボッシュへの19億ドルのSiC生産投資に結び付けられた2億2,500万ドルの米国の予備補助金について言及されている（これは、SiC生産能力を確保するために動員された公的補助金の規模を示している）。

• 企業は、統合されたSIC生産サイト（基質→EPI→デバイス）に投資しています。 Stmicroelectronicsの完全に統合されたCatania SICキャンパスと関連する供給契約（および内部基質調達を〜40％に増やすというコミットメント）の発表は具体的な例です。

市場の成長を推進するために電力導体によって提供されるいくつかの利点

ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体は、窒化ガリウムと炭化物が導体に最も適した材料であると考えられているため、他の導体と比較して優勢です。また、いくつかの利点を提供し、市場の成長をさらに推進します。

これらの電力導体は、電圧動作が高く、スイッチング周波数が高く、バンドギャップが高く、温度が広くなっています。これらの導体に存在するガリウムは、消費されるエネルギーのコストを削減することに貢献します。この化合物は非常に効率的です。消費される熱は、発生したコストを順番に減らすことが非常に少なくなります。炭化シリコンにより、導体はより高い出力密度で動作することができます。これらの要因はすべて、窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体市場シェアの増加です。

抑制要因

市場の成長を減らすための炭化シリコンと窒化ガリウムの好ましくない特徴

窒化ガリウムと炭化シリコンには、半導体の製造には適していない特定の機能があります。シリコンのギャップは低いため、高電力アプリケーションには使用できません。シリコンは、高電圧設計をサポートするのにあまり効率的ではありません。

ガリウムは、他の物質と比較して熱伝導率が低いです。ガリウムの使用は高価です。費用対効果を維持することは、ガリウムの使用中に大きな課題になる可能性があります。製造中に欠陥を制御することは、別の困難になる可能性があります。これらの要因はすべて、市場の成長を減らすことができます。

• 米国エネルギー省によると、中国は世界のガリウムの90％以上を生産しており、ガリウムは重要な材料リストに載っています。つまり、高電圧のバルクGANのスケーリングは材料サプリのリスクを引き起こすことを意味します。

• いくつかのサプライヤは、EV需要が低いため、ターゲットを公開されています。たとえば、1人のサプライヤーがターゲットを2年間公に遅らせ、より柔らかいSIC需要の傾向を引用して、エンドマーケットがどのように工場のランプのタイミングが遅くなるかを示します。

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窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体市場地域洞察

今後数年間で市場シェアを支配する北米

北米は、半導体市場シェアの多くの開発を目撃した地域です。この地域は、予測期間を通じて市場を支配すると予測されています。この地域の市場の成長に多くの理由が貢献しており、半導体の製造における窒化ガリウムと炭化シリコンの使用に関する研究への投資の増加を含みます。

また、この地域の人々の間の電気自動車の需要の増加は、市場の範囲を拡大しています。情報技術は、北米の開発セクターです。これにより、電子デバイスの使用が増加しました。半導体は、電気自動車と電子機器市場の両方の不可欠な部分です。

主要業界のプレーヤー

大手企業は競争力を維持するために買収戦略を採用しています

市場の何人かのプレーヤーは、買収戦略を使用してビジネスポートフォリオを構築し、市場の地位を強化しています。さらに、パートナーシップとコラボレーションは、企業が採用する一般的な戦略の1つです。主要市場のプレーヤーは、上級のテクノロジーとソリューションを市場にもたらすためにR＆D投資を行っています。

• CREE（WolfSpeed） - WolfSpeedは、10倍以上の材料容量拡張を発表し、200 mmの能力の計画を含むSICウェーハ/EPI投資を推進しました。米国DOEは、推定75,000〜100,000ユニット/年の基質容量でWolfSpeedを特定しています。

• STMicroelectronics — 基板→エピ→デバイス→モジュールの機能をカバーする統合カターニア SiC キャンパスを構築し (自動車/産業顧客にサービスを提供する完全に統合された SiC 機能として公に説明されています)、社内の基板調達を約 40% に引き上げる計画を発表しました。

窒化ガリウム（GAN）および炭化シリコン（SIC）パワー半導体会社のリスト

• CREE (Wolfspeed)
• ON Semiconductor
• Roma Semiconductor Group
• Mitsubishi Electric
• Tyco Tianrun Semiconductor Technology (Beijing) Co Ltd
• Fuji Electric
• STMicroelectronics
• Littelfuse
• Shenzhen Basic Semiconductor Co Ltd

報告報告

このレポートは、需要と供給の両方の側面から業界への洞察を提供します。さらに、Covid-19が市場に及ぼす影響、運転と抑制要因と地域の洞察に関する情報も提供します。市場の状況をよりよく理解するために、予測期間中の市場の動的​​な力も議論されています。市場を支配する地域とともに、読者が知るために与えられているトップの産業プレーヤーとともに。