窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の市場規模、シェア、成長および業界分析、タイプ別（炭化ケイ素パワー半導体、窒化ガリウムパワー半導体）、アプリケーション別（家庭用電化製品、新エネルギー送電網接続、鉄道、産業用モーター、UPS電源、新エネルギー自動車、その他）および2034年までの地域予測

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窒化ガリウム (GAN) および炭化ケイ素 (SIC) パワー半導体市場の概要

世界の窒化ガリウム (gan) および炭化ケイ素 (sic) パワー半導体市場は、2026 年に約 34 億 5,000 万米ドルと評価され、2035 年までに 477 億 5,000 万米ドルに達すると予測されています。2026 年から 2035 年にかけて、約 33.91% の年間平均成長率 (CAGR) で成長します。

米国の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体市場規模は2025年に7億9,433万ドル、ヨーロッパの窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体市場規模は2025年に06億1,667万ドル、中国の窒化ガリウム（GaN）およびシリコンカーバイド（SiC）パワー半導体市場規模は、2025年に8億3,527万米ドルと予測されています。

窒化ガリウム (GaN) と炭化ケイ素 (SiC) で構成される半導体は、効率が高いと考えられています。これは、炭化ケイ素と窒化ガリウムがパワー半導体の製造に最適な最先端の材料であると考えられているためです。これらの物質には、通常の半導体材料に比べていくつかの利点があります。

これらの半導体にはいくつかの用途があり、家庭用電化製品、鉄道、電源、新エネルギー送電網接続などのさまざまな分野で使用されています。これは市場の最新のトレンドと考えられています。

パワー半導体は現代のエレクトロニクスに使用されています。炭化ケイ素と窒化ガリウムは、半導体の製造に非常に適していると考えられています。これらは、窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体市場の成長を促進する要因と考えられています。

主な調査結果

新型コロナウイルス感染症の影響

半導体産業の価値の低下により市場の成長が鈍化

新型コロナウイルス感染症（COVID-19）のパンデミックは、世界中のすべての市場に悲惨な状況をもたらしました。商品の需要は完全に減少し、消費者の嗜好も大きく変化しました。これは市場に悪影響を及ぼしました。

半導体市場は、ロックダウン、渡航禁止、社会的距離の規範の主要な犠牲者の1つでした。コロナウイルスの感染拡大後、PC用半導体の需要は4～8％近く減少した。半導体部門は、ほとんどの企業が計画されていたハードウェアのアップグレードやいくつかの長期移行プロジェクトを延期したため、いくつかの困難に直面しました。これらすべての要因により、パンデミック中に半導体部門の市場シェアが低下し、窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の市場シェアに悪影響を及ぼしました。

最新のトレンド

市場の成長を促進するための電気自動車におけるSiCおよびGaNトランジスタおよびダイオードの使用

窒化ガリウム (GaN) および炭化ケイ素 (SiC) パワー半導体には、多くの利点と優れた機能があります。窒化ガリウムと炭化ケイ素で構成されるトランジスタと電極は、電気自動車の製造に使用されます。電気自動車は市場の最近のトレンドとなっています。

ディーゼル、ガソリン、その他の非再生可能エネルギー源で走行する車両は、今や時代遅れになりつつあります。人々の環境意識と、有害な排出物や汚染を削減するために政府当局がとっている取り組みにより、電気自動車の需要が増加しています。世界中で電気自動車の製造における SiC および GaN 電力導体の適用が増加しており、市場に有利な成長機会が生まれています。これは市場の最新のトレンドと考えられています。

• 米国エネルギー省によると、Wolfspeed の SiC ウェーハ生産能力は 75,000 ～ 100,000 ユニット/年、II-VI は約 70,000 ユニット/年、SiCrystal は約 60,000 ユニット/年と推定されており、集中的なウェーハ生産能力と最近の大規模な生産能力拡張を示しています。

• Wolfspeed は、SiC 材料の生産能力を 10 倍以上に増加させる計画を発表し、複数の企業が 200 mm (8 インチ) SiC/GaN ラインを構築するか、パワーデバイスの大量生産をサポートするために 200 mm への投資を発表しています。

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窒化ガリウム (GAN) および炭化ケイ素 (SIC) パワー半導体市場セグメンテーション

タイプ別

市場はタイプに基づいて次のセグメントに分類できます。

炭化ケイ素パワー半導体、窒化ガリウムパワー半導体。炭化ケイ素パワー半導体セグメントは、予測期間中に市場を支配すると予想されます。

用途別

用途に基づいて次のセグメントに分類します。

家庭用電化製品、新エネルギー送電網接続、鉄道、産業用モーター、UPS電源、新エネルギー自動車など。調査期間中、家庭用電化製品部門が市場を支配すると予測されています。

推進要因

窒化ガリウム (GaN) と炭化ケイ素 (SiC) パワー半導体を現代のエレクトロニクスに統合して市場の成長を促進

窒化ガリウム (GaN) および炭化ケイ素 (SiC) パワー半導体は、現代のエレクトロニクス分野の大部分を占めています。グローバル化と急速な都市化により、人々の間でコンピューター、ラップトップ、PC、スマートフォンなどの電子機器の使用が増加しました。半導体は、これらの電子デバイスの製造において不可欠な部分を形成します。これにより、市場の成長と発展が促進されました。

最近、市場では多くの新たな発展が見られています。 SiC半導体は現在、薄層化と不純物濃度の高濃度化が進んでいます。これにより、非常に高い電圧で動作するパワーデバイスを構成するために使用される破壊電界強度が増加しました。これらすべての要因が市場シェアを押し上げています。

• 政府支援の半導体プログラムと助成金は、数十億ドル規模の設備プロジェクトを支援してきた。たとえば、ニュースで報道された契約では、ボッシュへの19億ドルのSiC生産投資に結び付けられた2億2,500万ドルの米国の予備補助金について言及されている（これは、SiC生産能力を確保するために動員された公的補助金の規模を示している）。

• 企業は統合型 SiC 生産サイト (基板 → エピ → デバイス) に投資しています。 STマイクロエレクトロニクスによる、完全に統合されたカターニアSiCキャンパスと関連する供給契約（および社内基板調達を最大40%まで増やすという約束）の発表は、具体的な例です。

市場の成長を促進するために電力導体によってもたらされるいくつかの利点

窒化ガリウム (GaN) および炭化ケイ素 (SiC) パワー半導体は、窒化ガリウムおよび炭化ケイ素が導体に最適な材料であると考えられているため、他の導体と比較して優位性があります。また、市場の成長をさらに促進するいくつかの利点も提供します。

これらの電力導体は、より高い電圧で動作し、より高いスイッチング周波数、より高いバンドギャップ、および幅広い温度範囲を備えています。これらの導体に存在する窒化ガリウムは、消費されるエネルギーコストの削減に貢献します。この化合物は非常に効率的です。消費される熱が非常に少なくなり、発生するコストも削減されます。炭化ケイ素により、導体がより高い電力密度で動作できるようになります。これらすべての要因により、窒化ガリウム (GaN) および炭化ケイ素 (SiC) パワー半導体の市場シェアが増加しています。

抑制要因

市場の成長を阻害する炭化ケイ素と窒化ガリウムの不利な特徴

窒化ガリウムと炭化ケイ素には、半導体の製造には適さない特定の特徴があります。シリコンはバンドギャップが低いため、高出力用途には使用できません。シリコンは、高電圧設計をサポートするのにもあまり効率的ではありません。

ガリウムは他の物質に比べて熱伝導率が低いです。ガリウムを使用すると高価になります。ガリウムを使用する場合、費用対効果を維持することが大きな課題となる可能性があります。製造中の欠陥の管理もまた難しい場合があります。これらすべての要因が市場の成長を阻害する可能性があります。

• 米国エネルギー省によると、中国は世界のガリウムの90%以上を生産しており、ガリウムは重要材料リストに載っているため、高電圧バルクGaN向けにGaNを縮小することは材料供給のリスクを高めることになる。

• いくつかのサプライヤーはEV需要の低迷を受けて目標を公表して調整している。例えば、あるサプライヤーはSiC需要の軟化傾向を理由に目標を2年遅らせることを公に発表したが、これは最終市場の変動により工場の立ち上げタイミングがいかに遅いかを示している。

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窒化ガリウム (GAN) および炭化ケイ素 (SIC) パワー半導体市場の地域洞察

北米が今後数年間で市場シェアを独占する

北米は、半導体市場シェアの大きな発展を目撃してきた地域です。この地域は、予測期間を通じて市場を支配すると予測されています。この地域の市場の成長には、半導体製造における窒化ガリウムと炭化ケイ素の使用に関する研究への多額の投資など、多くの理由が寄与しています。

また、この地域の人々の間で電気自動車に対する需要が高まっており、市場の範囲が拡大しています。情報技術は北米で発展途上の分野です。これにより、電子機器の使用が増加しました。半導体は、電気自動車市場と電子機器市場の両方にとって不可欠な部分です。

主要な業界関係者

大手企業は競争力を維持するために買収戦略を採用しています

市場のいくつかのプレーヤーは、事業ポートフォリオを構築し、市場での地位を強化するために買収戦略を使用しています。さらに、パートナーシップとコラボレーションは、企業が採用する一般的な戦略の 1 つです。主要な市場プレーヤーは、高度なテクノロジーとソリューションを市場に投入するために研究開発投資を行っています。

• CREE (Wolfspeed) — Wolfspeed は、10 倍を超える材料生産能力の拡大を発表し、200 mm 生産能力の計画を含む SiC ウェーハ/エピ投資を推進しました。米国エネルギー省は、Wolfspeed の基板生産能力が推定 75,000 ～ 100,000 ユニット/年であると認定しています。

• STMicroelectronics — 基板→エピ→デバイス→モジュールの機能をカバーする統合カターニア SiC キャンパスを構築し (自動車/産業顧客にサービスを提供する完全に統合された SiC 機能として公に説明されています)、社内の基板調達を約 40% に引き上げる計画を発表しました。

窒化ガリウム (GaN) および炭化ケイ素 (SiC) パワー半導体のトップ企業のリスト

• CREE (Wolfspeed)
• ON Semiconductor
• Roma Semiconductor Group
• Mitsubishi Electric
• Tyco Tianrun Semiconductor Technology (Beijing) Co Ltd
• Fuji Electric
• STMicroelectronics
• Littelfuse
• Shenzhen Basic Semiconductor Co Ltd

レポートの範囲

このレポートは、需要側と供給側の両方から業界に関する洞察を提供します。さらに、新型コロナウイルス感染症の市場への影響、推進要因と抑制要因、および地域の洞察に関する情報も提供します。市場の状況をより深く理解するために、予測期間中の市場の動的​​な力についても議論されています。業界のトッププレーヤーと市場を支配する地域も読者がわかるように提供されています。