IGBT 및 초접합 MOSFET 시장 규모, 점유율, 성장 및 산업 분석, 유형별(고전압, 저전압), 애플리케이션별(가정용품, 철도 운송, 신에너지, 군사 및 항공우주, 의료 장비 및 기타), 지역 통찰력 및 예측(2026~2035년)

최종 업데이트:02 February 2026
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IGBT 및 슈퍼정션 MOSFET 시장 개요

전 세계 IGBT 및 슈퍼 접합 MOSFET 시장 규모는 2026년에 93억 5천만 달러에 달할 것으로 예상되며, 2026~2035년 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR) 10.36%로 성장해 2035년에는 226억 8천만 달러에 이를 것으로 예상됩니다.

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2025년 미국 IGBT 및 Super Junction MOSFET 시장 규모는 28억 7천만 달러, 2025년 유럽 IGBT 및 Super Junction MOSFET 시장 규모는 20억 2천만 달러, 2025년 중국 IGBT 및 Super Junction MOSFET 시장 규모는 24억 7천만 달러로 예상됩니다.

전기 자동차의 채택 증가는 IGBT 및 초접합 MOSFET 수요의 주요 동인입니다. 이러한 반도체 부품은 EV 파워트레인에서 인버터 시스템을 제어하고 배터리 충전 프로세스를 관리하는 데 중요한 역할을 하기 때문입니다. 기후 변화와 대기 오염에 대한 우려로 인해 전기 자동차 시장이 급속히 확장되면서 이러한 필수 전력 반도체에 대한 상당한 수요가 발생하고 있습니다. 또한 시장은 전자 솔루션의 에너지 효율성에 중점을 두는 영향을 받고 있으며, IGBT 및 초접합 MOSFET은 기존 전력 트랜지스터에 비해 우수한 효율성을 보여줍니다.

주요 결과

  • 시장 규모 및 성장:2026년에는 93억 5천만 달러로 평가되었으며, CAGR 10.36%로 2035년에는 226억 8천만 달러에 이를 것으로 예상됩니다.
  • 주요 시장 동인:전기 자동차 애플리케이션은 IGBT 및 SJ-MOSFET 전체 수요의 약 26.5%를 차지했습니다.
  • 주요 시장 제한:높은 제조 비용으로 인해 저예산 및 소규모 산업에서는 채택이 최대 100% 제한되었습니다.
  • 새로운 트렌드:슈퍼 접합 MOSFET은 고전압 MOSFET 부문에서 시장의 거의 50%를 점유했습니다.
  • 지역 리더십:아시아태평양 지역은 2023년 시장 점유율 41.7%로 선두 자리를 차지했다.
  • 경쟁 환경:주요 업체들은 전 세계 IGBT 및 SJ-MOSFET 시장의 약 60%를 공동으로 점유했습니다.
  • 시장 세분화:고전압 장치는 42%를 차지했고, 저전압 장치는 전체 세분화의 58%를 차지했습니다.
  • 최근 개발:고전압 슈퍼 접합 MOSFET은 2024년 새로 출시된 전력 모듈의 거의 50%를 차지했습니다.

코로나19 영향

자동차 부문 생산 감소로 수요 감소

코로나19 팬데믹은 전례가 없고 충격적이었습니다. 시장은 팬데믹 이전 수준에 비해 모든 지역에서 예상보다 낮은 수요를 경험했습니다. CAGR 증가로 인한 급격한 시장 성장은 시장 성장과 수요가 팬데믹 이전 수준으로 복귀했기 때문입니다.

IGBT 및 초접합 MOSFET 시장 환경은 코로나19 팬데믹의 직격탄을 맞으며 상당한 어려움을 겪고 있습니다. 광범위한 봉쇄와 제한으로 촉발된 공급망 중단은 생산과 운송에 타격을 가해 부족과 눈에 띄는 가격 인상으로 이어졌습니다. 동시에 특정 부문, 특히 자동차 및 산업 분야에서는 가동 중단 및 생산 수준 감소로 인해 이러한 애플리케이션에 중요한 IGBT 및 MOSFET에 대한 수요가 눈에 띄게 감소했습니다. 이러한 요인들의 복잡한 상호 작용은 팬데믹이 시장 역학에 미치는 광범위한 영향을 강조했습니다.

최신 트렌드

드라이버 회로와 게이트 드라이버를 통합하여 소형 및 고성능 전력 전자 장치 개발 촉진

IGBT 및 초접합 MOSFET 시장의 최신 추세는 드라이버 회로, 게이트 드라이버 및 추가 구성 요소를 모듈에 직접 통합하여 초소형 전력 모듈을 만드는 데 중점을 두고 있습니다. 이러한 혁신으로 인해 모듈의 크기와 무게가 크게 줄어들어 소형 및 고성능 전력 전자 장치의 개발이 촉진되었습니다. 특히 주목할만한 점은 드론, 웨어러블 기기, 휴대용 충전 솔루션용 솔루션 개발에 이러한 발전을 적용한 점입니다. 그러나 구성 요소의 밀도를 높이려면 고급 열 관리 기술이 필요하며, 이러한 조밀하게 포장된 모듈의 효율적인 작동을 보장하기 위한 중요한 방법으로 마이크로채널 냉각이 떠오르고 있습니다. 이러한 추세는 소형 전자 시스템의 열 방출과 관련된 문제를 해결하면서 소형화의 경계를 넓히려는 업계의 노력을 강조합니다.

  • 국제 에너지 기구(IEA)에 따르면 2023년 전 세계적으로 1,300만 대 이상의 전기 자동차(EV)가 판매되었으며, 이러한 EV의 약 85%가 효율적인 전력 변환을 위해 인버터 또는 충전기 시스템에 IGBT 모듈 또는 슈퍼 접합 MOSFET을 통합했습니다.

 

  • 산업 표준에 부합하는 데이터에 따르면, 새로운 산업용 전력 제어 시스템의 68% 이상이 2022~2024년에 650V~1,200V 등급의 슈퍼 접합 MOSFET을 채택했습니다. 특히 태양광 인버터, 유도 가열 및 UPS 시스템 애플리케이션의 경우 스위칭 손실이 30% 낮아졌습니다.

 

 

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IGBT 및 슈퍼정션 MOSFET 시장 세분화

유형별

유형에 따라 글로벌 시장은 고전압과 저전압으로 분류될 수 있습니다.

  • 고전압 부문: 고전압 부문에서 IGBT 및 초접합 MOSFET은 강력한 전력 처리 기능이 필요한 애플리케이션에 적합합니다. 이 세그먼트는 송전, 전기 자동차, 고성능 산업 기계 등 높은 전압 임계값을 요구하는 산업 및 시스템에 매우 중요합니다.

 

  • 저전압 세그먼트: 저전압 세그먼트는 전력 요구 사항이 더 낮은 전압 범위 내에서 작동하는 애플리케이션을 포함합니다. 이 카테고리의 IGBT 및 초접합 MOSFET은 소비자 가전, 소규모 산업용 애플리케이션 및 휴대용 전자 장치에 유용합니다.

애플리케이션별

응용 분야에 따라 글로벌 시장은 가전제품, 철도 운송, 신에너지, 군사 및 항공우주, 의료 장비 등으로 분류할 수 있습니다.

  • 가전제품: IGBT 및 초접합 MOSFET 기술을 가전제품에 적용하면 냉장고, 에어컨, 세탁기 등의 기기 효율을 향상시킬 수 있습니다.

 

  • 철도 운송: 철도 운송 부문에서 IGBT 및 MOSFET은 트랙션 인버터 및 보조 전력 시스템에서 중요한 역할을 합니다. 높은 전력 밀도와 효율성은 열차의 전기화에 기여하여 에너지 효율을 높여줍니다.

 

  • 신에너지: IGBT 및 초접합 MOSFET은 신에너지 분야, 특히 태양광 인버터 및 풍력 터빈과 같은 재생 에너지 시스템에서 중요한 역할을 합니다.

 

  • 군사 및 항공우주: 군사 및 항공우주 부문에서는 전원 공급 장치, 레이더 시스템, 전자전 장비를 비롯한 다양한 애플리케이션에 IGBT 및 MOSFET을 활용합니다. 이들의 신뢰성과 고성능 특성은 첨단 군사 및 항공우주 기술의 기능성과 효율성을 보장하는 데 매우 중요합니다.

 

  • 의료 장비: IGBT 및 초접합 MOSFET은 의료 장비에 응용되어 이미징 시스템, 수술 장비, 의료 기기용 전원 공급 장치와 같은 장치의 효율성과 정밀도에 기여합니다.

추진 요인

전기차(EV) 도입 급증으로 시장 확대 가속화

전기 자동차(EV)의 채택이 증가하는 것은 기후 변화와 대기 오염에 대한 우려가 커지기 때문입니다. EV에서는파워트레인절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT)와 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)가 수행하는 중추적인 역할은 아무리 강조해도 지나치지 않습니다. 이러한 반도체 부품은 인버터 시스템을 제어하고 배터리 충전 프로세스를 효율적으로 관리합니다. EV 시장의 급속한 확장은 이러한 필수 전력에 대한 상당한 수요를 촉진하고 있습니다.반도체.

시장 성장을 촉진하기 위해 에너지 효율성에 집중

에너지 비용의 증가로 인해 시장은 보다 에너지 효율적인 전자 솔루션으로 방향을 바꾸고 있습니다. IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터)와 초접합 MOSFET은 기존 전력 트랜지스터에 비해 효율성이 훨씬 뛰어납니다. 이렇게 향상된 효율성은 에너지 소비를 낮출 뿐만 아니라 탄소 배출량 감소에도 기여합니다. 태양광 인버터, 풍력 터빈, 산업용 모터 드라이브와 같은 애플리케이션은 이러한 반도체 부품의 에너지 효율적인 특성으로 인해 상당한 이점을 얻습니다.

  • 국제 재생 에너지 기구(IRENA)에 따르면 전 세계적으로 설치된 태양광 PV 용량은 2023년에 1,419GW에 도달했습니다. 고전압 IGBT는 효과적인 고전력 스위칭 및 에너지 관리를 위해 유틸리티 규모 태양광 인버터의 90% 이상에 사용됩니다.

 

  • 미국 에너지부(DOE)의 데이터에 따르면 산업용 모터 시스템은 전 세계 전력 사용량의 47%를 차지합니다. IGBT 및 슈퍼 접합 MOSFET 기술을 통합하면 특히 고주파 모터 드라이브 애플리케이션에서 에너지 절감 효과가 최대 25% 향상되었습니다.

제한 요인

시장 발전을 방해하는 기술적 과제

IGBT 및 초접합 MOSFET 시장의 중요한 제한 요인 중 하나는 설계와 관련된 일련의 기술적 과제입니다. 효율성, 스위칭 속도, 온저항 간의 미묘한 균형을 맞추는 것은 주목할만한 과제입니다. 설계자는 가장 효과적인 성능을 달성하기 위해 이러한 반도체 구성 요소를 최적화하고 절충점을 탐색하는 복잡한 작업에 직면해 있습니다. 이러한 기술적 과제의 복잡한 특성은 이러한 반도체의 개발 및 배포에 영향을 미쳐 잠재적으로 IGBT 및 초접합 MOSFET 시장 성장을 제한할 수 있습니다.

  • 업계 안전 지침에 따르면 고전력 IGBT 모듈의 40% 이상이 전용 방열판 및 액체 냉각 시스템을 필요로 하며, 전기 드라이브 및 컨버터의 전체 모듈 통합에 15~20%의 추가 비용이 추가됩니다.

 

  • 정부 정책 보고서에 따르면 전 세계 MOSFET 및 IGBT 웨이퍼 생산량의 75% 이상이 동아시아에 집중되어 있어 최대 수요 기간이나 지정학적 혼란 기간 동안 공급 병목 현상과 최대 12주 지연이 발생하는 것으로 나타났습니다.

 

IGBT 및 슈퍼 정션 MOSFET 시장 지역별 통찰력

아시아 태평양 지역의 급성장하는 산업 및 EV 부문으로 인해 글로벌 시장을 선도할 것

시장은 주로 유럽, 북미, 아시아 태평양, 라틴 아메리카, 중동 및 아프리카로 구분됩니다.

아시아 태평양 지역은 IGBT 및 초접합 MOSFET 시장 점유율이 가장 높습니다. 급성장하는 산업 및 EV 부문, 기술 발전을 촉진하는 정부 이니셔티브, 강력한 가전 제품 기반 모두가 지배력에 기여합니다. 이 강력한 지역은 계속해서 전력 반도체 혁신과 소비의 속도를 설정하고 있으며 다른 모든 경쟁업체도 뒤처지고 있습니다.

주요 산업 플레이어

주요 플레이어는 경쟁 우위를 확보하기 위해 파트너십에 중점을 둡니다.

저명한 시장 참가자들은 경쟁 우위를 유지하기 위해 다른 회사와 협력하여 공동 노력을 기울이고 있습니다. 또한 많은 기업들이 제품 포트폴리오를 확장하기 위해 신제품 출시에 투자하고 있습니다. 인수합병도 플레이어가 제품 포트폴리오를 확장하기 위해 사용하는 주요 전략 중 하나입니다.

  • Alpha & Omega Semiconductor: Alpha & Omega Semiconductor는 2024년 현재 전 세계적으로 12억 개가 넘는 슈퍼 접합 MOSFET 장치를 출하했으며, 가전제품과 서버 전원 공급 장치에 주로 채택되었습니다. 600V 시리즈는 이전 세대에 비해 최대 40% 더 낮은 RDS(on)를 보여주었습니다.

 

  • ON Semiconductor: ON Semiconductor는 20개 이상의 글로벌 설계 센터를 운영하고 있으며 400개가 넘는 산업 및 자동차 제품 라인에 사용되는 IGBT 모듈을 공급합니다. 필드 스톱 트렌치 IGBT는 트랙션 인버터 애플리케이션에서 95% 열 효율로 최대 1700V의 정격 전압을 지원합니다.

최고의 Igbt 및 Super Junction MOSFET 회사 목록

  • Alpha & Omega Semiconductor
  • ON Semiconductor,
  • Fairchild Semiconductor
  • Infineon
  • ABB
  • Mitsubishi
  • ROHM
  • Toshiba
  • Vishay
  • Semikron
  • STMicroelectronics
  • Fuji
  • Sanyo Electric
  • MACMICST
  • Dynex Semiconductor
  • Weihai Singa
  • Starpower Semiconductor
  • NXP Semiconductors
  • Silvermicro
  • Hongfa

산업 발전

2023년 10월:인피니언 테크놀로지스는 전압 클래스 중 온 상태 저항이 가장 낮은 업계 최초의 1200V 강화 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(E-Trench IGBT)를 출시했습니다. 이러한 획기적인 발전은 산업용 애플리케이션에서 효율성을 높이고 전력 손실을 감소시킬 것을 약속합니다.

보고서 범위

이 연구는 포괄적인 SWOT 분석을 포함하고 시장 내 향후 개발에 대한 통찰력을 제공합니다. 시장 성장에 기여하는 다양한 요소를 조사하고, 향후 시장 궤도에 영향을 미칠 수 있는 광범위한 시장 범주와 잠재적 응용 프로그램을 탐색합니다. 분석에서는 현재 추세와 역사적 전환점을 모두 고려하여 시장 구성 요소에 대한 전체적인 이해를 제공하고 잠재적인 성장 영역을 식별합니다.

연구 보고서는 철저한 분석을 제공하기 위해 질적 및 양적 연구 방법을 모두 활용하여 시장 세분화를 탐구합니다. 또한 재무적, 전략적 관점이 시장에 미치는 영향을 평가합니다. 또한 이 보고서는 시장 성장에 영향을 미치는 지배적인 공급 및 수요 세력을 고려하여 국가 및 지역 평가를 제공합니다. 주요 경쟁사의 시장 점유율을 포함하여 경쟁 환경이 세심하게 자세하게 설명되어 있습니다. 이 보고서에는 예상 기간에 맞춰 맞춤화된 새로운 연구 방법론과 플레이어 전략이 포함되어 있습니다. 전반적으로 이는 공식적이고 쉽게 이해할 수 있는 방식으로 시장 역학에 대한 가치 있고 포괄적인 통찰력을 제공합니다.

IGBT 및 슈퍼접합 MOSFET 시장 보고서 범위 및 세분화

속성 세부사항

시장 규모 값 (단위)

US$ 9.35 Billion 내 2026

시장 규모 값 기준

US$ 22.68 Billion 기준 2035

성장률

복합 연간 성장률 (CAGR) 10.36% ~ 2026 to 2035

예측 기간

2026-2035

기준 연도

2025

과거 데이터 이용 가능

지역 범위

글로벌

해당 세그먼트

유형별

  • 고전압
  • 저전압

애플리케이션별

  • 가전제품
  • 철도 운송
  • 새로운 에너지
  • 군사 및 항공우주
  • 의료 장비
  • 다른

자주 묻는 질문

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