InGaAs PIN 포토다이오드 시장 규모, 점유율, 성장 및 산업 분석, 유형별(고속 InGaAs, 대형 활성 영역 포토다이오드, 분할된 InGaAs 포토다이오드 등), 애플리케이션별(광통신, 물리 및 화학 측정, 기타), 지역 통찰력 및 예측(2026~2035년)

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INGAAS 핀 포토다이오드 시장 개요

전 세계 잉가아스 핀 포토다이오드 시장 규모는 2026년 1억 7천만 달러, 2026~2035년 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR) 5.92%로 성장해 2035년에는 2억 9천만 달러에 이를 것으로 예상됩니다.

미국 InGaAs PIN 포토다이오드 시장 규모는 2025년 5억 달러, 유럽 InGaAs PIN 포토다이오드 시장 규모는 2025년 4억 달러, 2025년 중국 InGaAs PIN 포토다이오드 시장 규모는 4억 달러로 예상된다.

InGaAs PIN 포토다이오드는 인듐 갈륨 비소(InGaAs) 반도체 재료로 구성된 구조를 사용하여 들어오는 광 신호를 전류로 변환하는 일종의 광검출기입니다. "PIN"이라는 용어는 포토다이오드의 P형(양성) 층, 고유(도핑되지 않은) 층, N형(음성) 층 등의 층 구조를 나타냅니다. 이 디자인은 효율적인 빛 흡수와 빠른 응답 시간을 달성하는 데 도움이 됩니다.

InGaAs 포토다이오드는 근적외선(NIR) 및 단파장 적외선(SWIR)을 감지하는 데 일반적으로 사용됩니다. 이러한 포토다이오드는 통신, 분광학, 이미징, 원격 감지 등을 포함하여 광범위한 응용 분야를 가지고 있습니다. 이 제품은 기존 실리콘 기반 포토다이오드의 범위를 넘어서는 파장에 대한 감도로 특히 높이 평가됩니다. InGaAs PIN 포토다이오드 시장은 고속 데이터 통신, 광섬유 및 적외선 감지가 필요한 기타 애플리케이션에 대한 수요 증가로 인해 성장을 경험했습니다.

주요 결과

코로나19 영향

전염병으로 인해 시장 수요가 저하됨

InGaAs PIN 포토다이오드 시장은 팬데믹 이전 수준에 비해 모든 지역에서 예상보다 낮은 수요를 경험하고 있는 등 글로벌 코로나19 팬데믹은 전례가 없고 충격적이었습니다. CAGR의 급격한 상승은 시장의 성장과 팬데믹이 끝나면 수요가 팬데믹 이전 수준으로 돌아가기 때문입니다.

팬데믹으로 인해 폐쇄, 이동 제한, 공장 폐쇄로 인해 글로벌 공급망이 중단되었습니다. 이는 InGaAs PIN 포토다이오드의 생산 및 유통에 영향을 미쳐 잠재적으로 지연과 부족을 초래할 수 있습니다. 많은 산업에서 팬데믹으로 인해 수요 변화가 발생했습니다. 예를 들어, 원격 근무 및 온라인 활동으로 인해 통신 및 데이터 통신 장비에 대한 수요가 증가하면 이러한 응용 분야에 사용되는 포토다이오드에 대한 수요가 증가할 수 있습니다. 반면에 항공우주, 산업 제조업과 같은 산업의 수요 감소는 부정적인 영향을 미칠 수 있습니다. 일부 연구 및 개발 활동이 지연되거나 중단되어 새롭거나 향상된 포토다이오드 기술의 도입에 영향을 미칠 수 있습니다.

최신 트렌드

시장 성장을 촉진하기 위한 통신 및 감지 애플리케이션의 수요 증가

InGaAs PIN 포토다이오드는 근적외선 범위에서 높은 감도로 인해 광섬유 통신 시스템과 같은 통신 응용 분야에서 광범위하게 사용됩니다. 고속 데이터 전송에 대한 수요 증가와 5G 네트워크 확장으로 인해 이러한 포토다이오드에 대한 수요가 증가했습니다. 자율주행차 및 기타 감지 애플리케이션을 위한 LiDAR(빛 감지 및 거리 측정)과 같은 포토닉스 기술의 성장은 PIN 포토다이오드에 대한 수요에 기여했습니다. 이러한 장치는 시스템에서 광 신호를 캡처하고 전기 신호로 변환하는 데 중요합니다. InGaAs 포토다이오드는 원격 감지, 감시, 분광학과 같은 국방 및 항공우주 응용 분야에도 사용됩니다. 이러한 산업이 계속 발전하고 고급 감지 기술을 요구함에 따라 시장은 성장할 가능성이 높습니다. 재료, 제조 공정 및 패키징 기술에 대한 지속적인 연구 개발을 통해 InGaAs 포토다이오드의 성능 향상, 신뢰성 향상 및 비용 절감이 이루어졌습니다. 이러한 발전으로 인해 다양한 애플리케이션에서의 채택이 확대되었습니다.

• ITU(국제 전기 통신 연합)에 따르면 InGaAs PIN 포토다이오드는 고속 응답으로 인해 주로 데이터 센터 및 장거리 통신 네트워크를 위해 2023년 전 세계적으로 1,200만 개 이상의 광섬유 트랜시버 장치에 설치되었습니다.

• 미국 국립표준기술연구소(NIST)의 데이터에 따르면 2022~2023년 정밀 매핑 및 자율 항법에 사용되는 새로운 LIDAR 시스템 중 24% 이상이 근적외선 감지를 위한 InGaAs PIN 포토다이오드를 통합했습니다.

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INGAAS 핀 포토다이오드 시장 세분화

유형별

유형에 따라 시장은 고속 InGaAs, 대형 활성 영역 포토다이오드, 세그먼트형 InGaAs 포토다이오드, 기타로 분류될 수 있습니다.

애플리케이션별

응용 프로그램에 따라 시장은 다음과 같이 나눌 수 있습니다. 광통신, 물리 및 화학 측정, 기타.

추진 요인

시장 성장을 주도하는 통신 및 데이터 센터의 증가

통신 인프라의 확장과 클라우드 컴퓨팅 및 디지털 서비스를 지원하기 위한 데이터 센터의 확산으로 인해 광통신 시스템의 핵심 구성 요소인 InGaAs PIN 포토다이오드에 대한 수요가 증가하고 있습니다.  InGaAs 포토다이오드는 자율주행차, 환경 모니터링, 산업 자동화 등의 애플리케이션에 필수적인 라이더(빛 감지 및 거리 측정) 시스템에 사용됩니다.

시장 성장을 촉진하기 위해 여러 부문의 수요 증가

다양한 부문에서 LiDAR 기술의 성장은 InGaAs PIN 포토다이오드 시장 성장에 기여했습니다. 이 포토다이오드는 야간 투시 시스템, 미사일 유도, 원격 감지 등 군사 및 항공우주 분야에 응용됩니다. 국방 및 항공우주 기술이 계속 발전함에 따라 이러한 포토다이오드에 대한 수요도 증가할 것으로 예상되었습니다. InGaAs 포토다이오드는 OCT(광간섭단층촬영) 시스템 및 분광학과 같은 의료 영상 및 감지 분야에 응용됩니다. 의료 기술의 발전으로 인해 진단 및 이미징 개선을 위해 이러한 포토다이오드의 활용이 촉진되었습니다. InGaAs 포토다이오드는 재료 분석 및 환경 모니터링을 포함한 다양한 응용 분야의 분광학에 사용됩니다. 또한 태양 에너지 수확을 위한 광전지 시스템에도 사용됩니다. 재생 가능 에너지의 성장과 분광학 연구 활동이 시장 수요에 기여했습니다.

• 유럽전기통신표준협회(ETSI)에 따르면, 5G 인프라를 지원하는 180만 개 이상의 기지국이 2023년에 InGaAs PIN 포토다이오드 기반 모듈을 배포하여 광 신호 수신 및 저잡음 변환을 향상시켰습니다.

• 일본 과학기술청(JST)의 보고에 따르면, InGaAs PIN 포토다이오드와 관련된 140개 이상의 개발 프로젝트를 포함하여 2022~2023년에 광자 통합 및 센서 혁신을 위해 92억 엔 이상의 공공 R&D 자금이 할당되었습니다.

제한 요인

시장 성장을 제한하는 높은 비용

InGaAs(인듐갈륨비소)는화합물 반도체InGaAs를 사용하여 포토다이오드를 제조하는 것은 다른 재료에 비해 비용이 많이 들 수 있습니다. 더 높은 생산 비용은 특히 비용에 민감한 응용 분야에서 InGaAs PIN 포토다이오드의 채택에 영향을 미칠 수 있습니다.

• OIDA(Optoelectronics Industry Development Association)에 따르면 InGaAs PIN 포토다이오드는 85°C 이상의 온도에서 양자 효율이 25% 이상 감소하여 고열 산업 또는 항공우주 환경에서 성능이 제한됩니다.

• 한국광산업협회(KAPID)에 따르면 InGaAs 포토다이오드의 단가는 실리콘 기반 포토다이오드보다 평균 3.6배 높기 때문에 소비자와 같이 비용에 민감한 애플리케이션에서의 채택이 제한됩니다.전자 제품.

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INGAAS 핀 포토다이오드 시장 지역 통찰력

핵심 플레이어의 존재 ~에북아메리카시장 확대 견인 기대

북미는 InGaAs PIN 포토다이오드 시장 점유율에서 선두 위치를 차지하고 있습니다. 이 지역은 통신, 항공우주, 방위 산업에서의 강력한 입지로 인해 InGaAs 포토다이오드의 중요한 시장이었습니다. 특히 미국은 고급 포토다이오드 기술에 대한 수요를 촉진하는 잘 발달된 기술과 연구 생태계를 보유하고 있습니다.

주요 산업 플레이어

시장 성장에 영향을 미치는 주요 플레이어의 혁신적인 전략 채택

저명한 시장 참가자들은 경쟁 우위를 유지하기 위해 다른 회사와 협력하여 공동 노력을 기울이고 있습니다. 또한 많은 기업들이 제품 포트폴리오를 확장하기 위해 신제품 출시에 투자하고 있습니다.

시장의 주요 주요 업체로는 Hamamatsu, OSI Optoelectronics, GCS, Ushio, Excelitas, First Sensor (TE Con​​nectivity), PHOGRAIN, 교토 반도체, CLPT, Qphotonics, N.E.P., Shengshi Optical, Fermionics Opto-Technology, Go!Foton, Voxtel (Allegro MicroSystems), Albis Optoelectronics, Laser Components, Thorlabs, AC가 있습니다. 포토닉스, 옵토웨이. 신기술 개발, R&D에 대한 자본 투자, 제품 품질 개선, 인수, 합병, 시장 경쟁 경쟁 전략은 시장에서 자신의 위치와 가치를 영속시키는 데 도움이 됩니다. 게다가, 다른 회사와의 협력 및 주요 업체의 시장 점유율에 대한 광범위한 소유권은 시장 수요를 자극합니다.

• Voxtel Inc.: 미국 국방부(DoD) 포토닉스 기술 프로그램의 데이터에 따르면 Voxtel은 2023년에 항공우주, 위성 및 방위 기반 이미징 시스템을 위해 21,000개 이상의 방사선 경화 InGaAs PIN 포토다이오드를 제공했습니다.

• Photonics Technologies Inc.: 대만 광전자 반도체 협회에 따르면 Photonics Technologies는 2022년에 제조 생산량을 850,000개 이상의 InGaAs PIN 장치로 확장하여 아시아 태평양 전역의 통신, 과학 계측 및 산업용 레이저 시장에 서비스를 제공했습니다.

최고의 Ingaas 핀 포토다이오드 회사 목록

• Voxtel
• Photonics
• Hamamatsu Photonics
• Laser Components
• Kyosemi Corporation
• AC Photonics Inc
• Cosemi Technologies
• QPhotonics
• PD-LD
• Thorlabs
• OSI Optoelectronics

보고서 범위

이 보고서는 InGaAs PIN 포토다이오드 시장의 규모, 점유율, 성장률, 유형별 세분화, 애플리케이션, 주요 플레이어, 이전 및 현재 시장 시나리오에 대한 이해를 조사합니다. 이 보고서는 또한 시장 전문가의 정확한 시장 데이터와 예측을 수집합니다. 또한 이 업계의 재무 성과, 투자, 성장, 혁신 마크 및 최고 기업의 신제품 출시에 대한 연구를 설명하고 현재 시장 구조에 대한 심층적인 통찰력, 성장 수요, 기회 및 위험에 영향을 미치는 주요 플레이어, 주요 원동력 및 제한 사항을 기반으로 한 경쟁 분석을 제공합니다.

또한, 보고서에는 코로나19 이후의 대유행이 국제 시장 제한에 미치는 영향과 업계 회복 방법에 대한 깊은 이해, 전략도 명시되어 있습니다. 경쟁 구도를 명확히 하기 위해 경쟁 구도도 자세히 조사했습니다.

본 보고서에는 대상기업의 가격동향분석, 데이터수집, 통계, 대상경쟁사, 수출입정보, 전년도 실적 등을 정의하는 방법론에 따른 시장판매 실적도 공개되어 있습니다. 또한 중소기업 산업, 거시 경제 지표, 가치 사슬 분석, 수요 측면 역학 등 시장에 영향을 미치는 모든 중요한 요소를 모든 주요 비즈니스 플레이어와 함께 자세히 설명했습니다. 이 분석은 주요 플레이어와 시장 역학의 실행 가능한 분석이 변경되는 경우 수정될 수 있습니다.