SiC 및 GaN 전력 장치 시장 규모, 점유율, 성장 및 산업 분석, 유형별(GaN, SiC) 애플리케이션별(소비자 전자제품, 자동차 및 운송, 산업 용도, 기타), 지역 통찰력 및 예측(2026~2035년)

• 

  무료 샘플 다운로드 이 보고서에 대해 자세히 알아보려면

SIC 및 GAN 전력 장치 시장 개요

전 세계 SiC 및 간 전력 장치 시장 규모는 2026년에 43억 6천만 달러에 이를 것으로 예상되며, 2026~2035년 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR) 32.5%로 2035년까지 547억 4천만 달러에 이를 것으로 예상됩니다.

탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)은 우수한 성능 특성으로 전력 전자 산업에 혁명을 일으킨 두 가지 광대역 갭 반도체 소재입니다. SiC 및 GaN 전력 장치는 더 높은 효율성, 더 빠른 스위칭 속도, 더 높은 작동 온도를 포함하여 기존 실리콘 기반 장치에 비해 여러 가지 이점을 제공합니다. 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN)은 우수한 성능 특성으로 전력 전자 산업에 혁명을 일으킨 두 가지 광대역 갭 반도체 소재입니다. SiC 및 GaN 전력 장치는 더 높은 효율성, 더 빠른 스위칭 속도, 더 높은 작동 온도를 포함하여 기존 실리콘 기반 장치에 비해 여러 가지 이점을 제공합니다.

SiC(탄화규소) 및 GaN(질화갈륨) 전력 장치 시장은 상당한 성장을 경험하고 있으며 향후 몇 년간 더욱 확장될 준비가 되어 있습니다. 이러한 전력 장치는 기존 실리콘 기반 전력 장치에 비해 더 높은 효율성, 더 빠른 스위칭 속도, 더 나은 열 전도성을 제공합니다. 시장에서는 자동차, 가전제품, 통신, 산업 부문을 비롯한 다양한 산업 분야에서 채택이 증가하고 있습니다.

주요 결과

코로나19 영향

전염병으로 인해 제조 활동이 감소하여 시장 성장을 방해함

코로나19 대유행은 SiC 및 GaN 전력 장치 시장에 긍정적인 영향과 부정적인 영향을 모두 가져왔습니다. 처음에 시장은 글로벌 공급망 중단과 제조 활동 감소로 인해 수요 감소를 경험했습니다. 그러나 세계가 팬데믹으로부터 점차 회복되면서 재생 에너지, 전기 자동차 및 에너지 효율적인 솔루션에 대한 관심이 높아짐에 따라 전력 장치에 대한 수요가 반등했습니다. 의료 및 통신과 같은 중요한 부문에서 안정적이고 효율적인 전력 장치에 대한 필요성도 시장 회복에 기여했습니다.

최신 트렌드

시장 개발을 촉진하기 위해 전기 자동차(EV)에서 이러한 장치의 채택 증가

자동차 산업은 환경 규제와 지속 가능한 운송 솔루션의 필요성에 따라 전기 이동성으로 전환하고 있습니다. SiC 및 GaN 전력 장치는 더 높은 효율과 전력 밀도를 제공하여 EV의 주행 거리를 연장하고 충전 시간을 단축합니다. 이러한 추세는 자동차 부문에서 SiC 및 GaN 전력 장치에 대한 수요를 촉진할 것으로 예상됩니다.

• 미국 에너지부에 따르면 2023년 미국에서 판매된 120만 대 이상의 전기 자동차가 온보드 충전 및 인버터 시스템에 SiC 및 GaN 전원 장치를 사용하여 2021년 580,000대에서 급격히 증가했습니다.

• 국제에너지기구(IEA)의 기술 평가에 따르면 GaN 기반 트랜지스터는 2023년 전 세계에 설치된 5G 기지국의 60% 이상에 배치되어 더 높은 효율과 소형화된 전력 전자 장치를 향한 움직임을 보여주었습니다.

무료 샘플 다운로드 이 보고서에 대해 자세히 알아보려면

SIC 및 GAN 전력 장치 시장 세분화

유형별

유형에 따라 시장은 GaN, SiC로 나눌 수 있습니다. GaN은 유형 분석을 통해 시장을 선도하는 부문입니다.

애플리케이션별

응용 프로그램에 따라 시장은 다음과 같이 나눌 수 있습니다.가전제품, 자동차 및 운송, 산업용, 기타. 가전제품은 애플리케이션 분석을 통해 시장을 선도하는 부문입니다.

추진 요인

시장 성장을 주도하기 위해 재생 에너지 시스템의 전력 전자 장치에 대한 수요 증가

태양광, 풍력 등 재생 가능 에너지원으로의 전환으로 인해 효율적인 전력 변환 및 에너지 저장 시스템에 대한 수요가 크게 증가했습니다. SiC 및 GaN 전력 장치는 이러한 시스템에서 더 높은 효율성과 전력 밀도를 구현하여 에너지 변환을 개선하고 전력 손실을 줄입니다. 재생 에너지 애플리케이션에서 SiC 및 GaN 전력 장치의 채택이 증가하는 것은 깨끗하고 지속 가능한 에너지에 대한 요구에 의해 주도됩니다.발전.

시장 발전을 주도하는 가전제품 및 통신 분야의 발전

가전제품 산업은 5G 연결, 사물인터넷(IoT), 고화질 디스플레이 등 급속한 기술 발전을 목격하고 있습니다. 이러한 발전을 위해서는 더 높은 전력 밀도, 더 빠른 스위칭 속도 및 향상된 열 관리를 처리할 수 있는 전력 장치가 필요합니다. SiC 및 GaN 전력 장치는 효율성, 크기 및 성능 측면에서 상당한 이점을 제공하므로 가전제품 및 통신 애플리케이션에 이상적입니다. 5G 네트워크의 확장과 함께 스마트폰, 노트북 및 기타 가전제품에 대한 수요 증가로 인해 이 부문에서 SiC 및 GaN 전력 장치의 성장이 촉진되고 있습니다.

• 유럽연합 집행위원회의 청정 에너지 지침에 따라 공공 자금은 2021년부터 2023년까지 재생 가능 에너지 및 스마트 그리드 인프라를 위한 SiC/GaN 기반 전력 모듈과 관련된 145개 이상의 프로젝트를 지원하여 시장 침투를 가속화했습니다.

• JEITA(일본전자정보기술산업협회)의 데이터에 따르면 SiC 기반 전력 모듈은 스위칭 손실이 75% 이상 낮고 200°C를 초과하는 온도에서 작동할 수 있어 산업 응용 분야에서 에너지 절감 효과가 크게 향상됩니다.

제한 요인

시장 성장을 방해하는 기존 실리콘 기반 장치에 비해 높은 비용

SiC 및 GaN 전력 장치의 제조 공정에는 복잡하고 값비싼 기술이 필요하므로 생산 비용이 높아집니다. 결과적으로 SiC 및 GaN 전력 장치를 채택하는 데 필요한 초기 투자는 일부 최종 사용자에게 방해가 될 수 있습니다. 그러나 기술이 성숙해지고 규모의 경제가 달성됨에 따라 비용이 감소하여 SiC 및 GaN 전력 장치의 접근성이 높아질 것으로 예상됩니다.

• 미국 국립재생에너지연구소(NREL)가 지적한 바와 같이, SiC 웨이퍼 생산 비용은 표준 실리콘 웨이퍼보다 거의 5배 높으며, 150mm SiC 웨이퍼 가격은 약 1,200달러로 비용에 민감한 부문에서의 채택을 방해합니다.

• SIA(반도체산업협회)에 따르면 2023년 현재 GaN-on-SiC 장치를 대규모로 제조할 수 있는 글로벌 파운드리는 30개 미만으로 리드 타임이 길고 생산 병목 현상이 발생합니다.

• 무료 샘플 다운로드 이 보고서에 대해 자세히 알아보려면

•  

SIC 및 GAN 전력 장치 시장 지역 통찰력

시장 개발을 강화하기 위해 북미 지역 주요 플레이어의 존재

북미는 SiC 및 GaN 전력 장치 시장에서 상당한 시장 점유율을 차지하고 있습니다. 반도체 제조업체, 전력 장치 제조업체,시스템 통합업체, 시장 성장에 기여합니다. 이들 업체는 SiC 및 GaN 전력소자의 성능과 효율성을 향상시키기 위한 연구개발 활동에 적극적으로 참여하고 있습니다. 광대역 밴드갭 재료 및 고급 패키징 기술과 같은 전력 전자 분야의 기술 발전은 북미 시장 성장을 더욱 촉진했습니다. 북미 지역에서 재생 에너지 및 전기 자동차 인프라에 대한 투자가 증가함에 따라 SiC 및 GaN 전력 장치에 대한 수요도 증가하고 있습니다. 이 지역에서는 재생 가능 에너지 시스템에 SiC 및 GaN 전력 장치가 통합되면서 깨끗하고 지속 가능한 에너지 솔루션에 대한 중요성이 커지고 있습니다. 이러한 장치는 높은 효율과 전력 밀도로 인해 태양광 인버터, 풍력 변환기, 에너지 저장 시스템과 같은 애플리케이션에 적합합니다.

아시아 태평양 지역은 SiC 및 GaN 전력 장치 시장에서 급속한 성장을 목격할 것으로 예상됩니다. 이 지역은 중국, 일본, 한국, 대만과 같은 국가에 주요 제조 허브를 두고 반도체 산업에서 강력한 입지를 차지하고 있는 것으로 알려져 있습니다. 이들 국가는 반도체 공장을 설립했으며 SiC 및 GaN 전력 장치 생산을 지원하는 강력한 공급망을 보유하고 있습니다. 아시아 태평양 지역은 대규모 가전제품 시장의 본거지로 SiC 및 GaN 전력 장치에 대한 수요를 주도하고 있습니다. 이 지역은 스마트폰, 노트북, 스마트 홈 장치를 포함한 고급 소비자 전자 제품으로 유명합니다. SiC 및 GaN 전력 장치는 더 높은 전력 효율성과 더 빠른 스위칭 속도를 제공하여 이러한 장치의 성능과 에너지 효율성을 향상시킵니다. 고속 데이터 연결, IoT 장치 및 고화질 디스플레이에 대한 수요가 증가함에 따라 가전제품에 SiC 및 GaN 전력 장치의 채택이 더욱 촉진되고 있습니다.

주요 산업 플레이어

주요 플레이어는 경쟁 우위를 확보하기 위해 파트너십에 중점을 둡니다.

저명한 시장 참가자들은 경쟁 우위를 유지하기 위해 다른 회사와 협력하여 공동 노력을 기울이고 있습니다. 또한 많은 기업들이 제품 포트폴리오를 확장하기 위해 신제품 출시에 투자하고 있습니다. 인수합병도 플레이어가 제품 포트폴리오를 확장하기 위해 사용하는 주요 전략 중 하나입니다.

• Infineon Technologies: 독일 연방 경제기후행동부에 보고된 바와 같이 Infineon은 2023년에 1억 2천만 개 이상의 SiC 기반 전력 장치를 출하했으며, 그중 50% 이상이 자동차 및 에너지 저장 시스템 제조업체에 공급되었습니다.

• Rohm Semiconductor: 일본 경제산업성(METI)이 부여한 인증에 따라 Rohm은 2023년에 SiC 웨이퍼 생산 능력을 연간 500,000개로 확장하여 전기 자동차 충전기 및 산업용 드라이브 전반에 걸쳐 대규모 배포를 지원했습니다.

최고의 Sic 및 Gan 전력 장치 회사 목록

• Infineon (Germany)
• Rohm (Japan)
• Mitsubishi (Japan)
• STMicro (Switzerland)
• Fuji (Japan)
• Toshiba (Japan)
• Microchip Technology (U.S.)
• United Silicon Carbide Inc. (U.S.)
• GeneSic (U.S.)
• Efficient Power Conversion (U.S.)
• GaN Systems (Canada)
• VisIC Technologies LTD (Israel)

보고서 범위

이 연구는 예측 기간에 영향을 미치는 시장에 존재하는 회사를 설명하는 광범위한 연구를 통해 보고서를 소개합니다. 상세한 연구가 완료되면 세분화, 기회, 산업 발전, 추세, 성장, 규모, 점유율 및 제한 사항과 같은 요소를 검사하여 포괄적인 분석을 제공합니다. 이 분석은 주요 플레이어와 시장 역학에 대한 가능한 분석이 변경되는 경우 변경될 수 있습니다.