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IGBT和超级结MOSFET市场规模、份额、增长和行业分析,按类型(高电压、低压)、按应用(家用电器、轨道交通、新能源、军事和航空航天、医疗设备等)、2026年至2035年区域洞察和预测
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IGBT 和超级结 MOSFET 市场概览
预计2026年全球IGBT和超级结MOSFET市场规模将达到93.5亿美元,到2035年预计将达到226.8亿美元,2026年至2035年的复合年增长率为10.36%。
我需要完整的数据表、细分市场的详细划分以及竞争格局,以便进行详细的区域分析和收入估算。
下载免费样本预计2025年美国IGBT和超级结MOSFET市场规模为28.7亿美元,2025年欧洲IGBT和超级结MOSFET市场规模预计为20.2亿美元,2025年中国IGBT和超级结MOSFET市场规模预计为24.7亿美元。
电动汽车的日益普及是对 IGBT 和超级结 MOSFET 需求的主要推动力,因为这些半导体元件在控制电动汽车动力系统中的逆变器系统和管理电池充电过程中发挥着至关重要的作用。由于对气候变化和空气污染的担忧,电动汽车市场迅速扩张,对这些重要的功率半导体产生了巨大的需求。此外,市场还受到电子解决方案中对能源效率的关注的影响,与传统功率晶体管相比,IGBT 和超级结 MOSFET 表现出卓越的效率。
主要发现
- 市场规模和增长:2026年价值93.5亿美元,预计到2035年将达到226.8亿美元,复合年增长率为10.36%。
- 主要市场驱动因素:电动汽车应用约占 IGBT 和 SJ-MOSFET 总体需求的 26.5%。
- 主要市场限制:高制造成本限制了低预算和小规模行业 100% 的采用。
- 新兴趋势:超级结 MOSFET 占据了高压 MOSFET 领域近 50% 的市场份额。
- 区域领导:2023 年,亚太地区以 41.7% 的市场份额占据领先地位。
- 竞争格局:领先厂商合计占据全球 IGBT 和 SJ-MOSFET 市场约 60% 的份额。
- 市场细分:高压器件占整个细分市场的 42%,而低压器件则占 58%。
- 最新进展:2024 年新推出的电源模块中近 50% 是高压超级结 MOSFET。
COVID-19 的影响
由于汽车行业产量下降,需求下降
COVID-19 大流行是前所未有的、令人震惊的,与大流行前的水平相比,所有地区的市场需求都低于预期。复合年增长率的上升反映了市场的突然增长,这归因于市场的增长和需求恢复到大流行前的水平。
IGBT 和超结 MOSFET 市场格局首当其冲受到 COVID-19 大流行的影响,面临着重大挑战。广泛的封锁和限制引发的供应链中断对生产和运输造成打击,导致短缺和价格显着上涨。与此同时,某些行业,尤其是汽车和工业行业,面临停产和生产水平下降的问题,这意味着对这些应用至关重要的 IGBT 和 MOSFET 的需求明显下降。这些因素错综复杂的相互作用,凸显了疫情对市场动态的深远影响。
最新趋势
驱动电路和栅极驱动器的集成促进紧凑型高性能电力电子器件的发展
IGBT 和超级结 MOSFET 市场的最新趋势集中在将驱动电路、栅极驱动器和附加组件直接集成到模块中,从而形成超紧凑的功率模块。这项创新显着减小了这些模块的尺寸和重量,促进了紧凑型高性能电力电子设备的发展。特别值得注意的是这些进步在无人机、可穿戴设备和便携式充电解决方案创建解决方案中的应用。然而,组件的致密化需要先进的热管理技术,微通道冷却成为确保这些密集封装模块高效运行的关键方法。这一趋势凸显了业界致力于突破小型化界限,同时解决紧凑型电子系统散热相关挑战的承诺。
- 根据国际能源署 (IEA) 的数据,2023 年全球电动汽车 (EV) 销量将超过 1300 万辆,其中约 85% 的电动汽车在其逆变器或充电器系统中集成了 IGBT 模块或超级结 MOSFET,以实现高效的电力转换。
- 根据符合行业标准的数据,2022年至2024年,超过68%的新型工业电源控制系统采用了650V-1200V额定值的超级结MOSFET,特别是在太阳能逆变器、感应加热和UPS系统中的应用,因为它们的开关损耗降低了30%。
IGBT 和超级结 MOSFET 市场细分
按类型
根据类型,全球市场可分为高压和低压。
- 高压部分:在高压部分,IGBT 和超级结 MOSFET 满足需要强大功率处理能力的应用。该细分市场对于需要高电压阈值的行业和系统至关重要,例如电力传输、电动汽车和高性能工业机械。
- 低压部分:低压部分包括功率要求在较低电压范围内运行的应用。此类 IGBT 和超结 MOSFET 可用于消费电子产品、小型工业应用和便携式电子设备。
按申请
根据应用领域,全球市场可分为家用电器、轨道交通、新能源、军工航天、医疗设备等。
- 家用电器:IGBT和超级结MOSFET技术在家用电器中的应用涉及提高冰箱、空调、洗衣机等设备的效率。
- 轨道交通:在轨道交通领域,IGBT和MOSFET在牵引逆变器和辅助电力系统中发挥着关键作用。它们的高功率密度和效率有助于火车的电气化,使它们更加节能。
- 新能源:IGBT和超级结MOSFET在新能源领域发挥着重要作用,特别是在太阳能逆变器和风力涡轮机等可再生能源系统中。
- 军事和航空航天:军事和航空航天领域将 IGBT 和 MOSFET 用于各种应用,包括电源、雷达系统和电子战设备。它们的可靠性和高性能特性使其对于确保先进军事和航空航天技术的功能和效率至关重要。
- 医疗设备:IGBT 和超级结 MOSFET 在医疗设备中得到应用,有助于提高成像系统、手术设备和医疗器械电源等设备的效率和精度。
驱动因素
电动汽车 (EV) 采用激增,推动市场扩张
电动汽车 (EV) 的普及源于人们对气候变化和空气污染的日益担忧。在电动汽车中动力总成绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 所发挥的关键作用怎么强调也不为过。这些半导体元件控制逆变器系统并有效管理电池充电过程。电动汽车市场的迅速扩张推动了对这些基本动力的大量需求半导体。
关注能源效率以推动市场增长
不断上升的能源成本正在引导市场转向更节能的电子解决方案。与传统功率晶体管相比,绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 和超级结 MOSFET 因其卓越的效率而脱颖而出。效率的提高不仅可以降低能源消耗,还有助于减少碳足迹。太阳能逆变器、风力涡轮机和工业电机驱动器等应用显着受益于这些半导体元件的节能特性。
- 据国际可再生能源机构(IRENA)统计,2023年全球太阳能光伏装机容量将达到1,419吉瓦。90%以上的公用事业规模太阳能逆变器均采用高压IGBT,以实现有效的大功率开关和能源管理。
- 根据美国能源部 (DOE) 的数据,工业电机系统占全球用电量的 47%。结合 IGBT 和超级结 MOSFET 技术,节能效果高达 25%,特别是在高频电机驱动应用中。
制约因素
阻碍市场增强的技术挑战
IGBT 和超级结 MOSFET 市场的一个重要限制因素是其设计中涉及的一系列技术挑战。在效率、开关速度和导通电阻之间取得微妙的平衡是一个巨大的挑战。设计人员面临着优化这些半导体元件、进行权衡以获得最有效性能的复杂任务。这些技术挑战的复杂性可能会影响这些半导体的开发和部署,从而可能限制 IGBT 和超结 MOSFET 市场的增长。
- 根据行业安全指南,超过 40% 的大功率 IGBT 模块需要专用散热器和液体冷却系统,这使电力驱动器和转换器中的总模块集成增加了 15-20% 的额外成本。
- 政府政策报告显示,全球 75% 以上的 MOSFET 和 IGBT 晶圆生产集中在东亚,导致供应瓶颈,并在需求高峰期或地缘政治干扰期间延迟长达 12 周。
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IGBT 和超级结 MOSFET 市场区域洞察
亚太地区工业和电动汽车行业蓬勃发展,将引领全球市场
市场主要分为欧洲、北美、亚太地区、拉丁美洲、中东和非洲。
亚太地区拥有最大的 IGBT 和超结 MOSFET 市场份额。蓬勃发展的工业和电动汽车行业、促进技术进步的政府举措以及强大的消费电子产品基础都有助于其占据主导地位。这个强大的地区继续引领功率半导体创新和消费的步伐,让所有其他竞争者落后。
主要行业参与者
主要参与者注重合作伙伴关系以获得竞争优势
著名的市场参与者正在通过与其他公司合作来共同努力,以在竞争中保持领先地位。许多公司还投资新产品的发布,以扩大其产品组合。并购也是企业扩大产品组合的关键策略之一。
- Alpha & Omega Semiconductor:截至 2024 年,Alpha & Omega Semiconductor 超级结 MOSFET 器件全球出货量已超过 12 亿个,主要应用于消费电子产品和服务器电源。与前几代产品相比,他们的 600V 系列 RDS(on) 降低了 40%。
- 安森美半导体:安森美半导体在全球拥有 20 多个设计中心,提供用于 400 多个工业和汽车产品线的 IGBT 模块。他们的场截止沟槽 IGBT 支持高达 1700V 的额定电压,在牵引逆变器应用中具有 95% 的热效率。
顶级 IGBT 和超级结 Mosfet 公司列表
- Alpha & Omega Semiconductor
- ON Semiconductor,
- Fairchild Semiconductor
- Infineon
- ABB
- Mitsubishi
- ROHM
- Toshiba
- Vishay
- Semikron
- STMicroelectronics
- Fuji
- Sanyo Electric
- MACMICST
- Dynex Semiconductor
- Weihai Singa
- Starpower Semiconductor
- NXP Semiconductors
- Silvermicro
- Hongfa
工业发展
2023 年 10 月:英飞凌科技推出业界首款 1200V 增强型沟槽绝缘栅双极晶体管 (E-Trench IGBT),在其电压等级中具有最低的通态电阻。这一突破有望提高工业应用的效率并减少功率损耗。
报告范围
该研究包括全面的 SWOT 分析,并提供对市场未来发展的见解。它研究了促进市场增长的各种因素,探索了可能影响未来几年发展轨迹的广泛市场类别和潜在应用。该分析考虑了当前趋势和历史转折点,提供对市场组成部分的全面了解并确定潜在的增长领域。
该研究报告深入研究市场细分,利用定性和定量研究方法进行全面分析。它还评估财务和战略观点对市场的影响。此外,报告还考虑了影响市场增长的供需主导力量,提出了国家和区域评估。竞争格局非常详细,包括重要竞争对手的市场份额。该报告纳入了针对预期时间范围量身定制的新颖研究方法和玩家策略。总体而言,它以正式且易于理解的方式提供了对市场动态的有价值且全面的见解。
| 属性 | 详情 |
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市场规模(以...计) |
US$ 9.35 Billion 在 2026 |
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市场规模按... |
US$ 22.68 Billion 由 2035 |
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增长率 |
复合增长率 10.36从% 2026 to 2035 |
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预测期 |
2026-2035 |
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基准年 |
2025 |
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历史数据可用 |
是的 |
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区域范围 |
全球的 |
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涵盖的细分市场 |
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按类型
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按申请
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常见问题
预计到2035年,全球igbt和超级结MOSFET市场将达到226.8亿美元。
预计到 2035 年,全球 igbt 和超级结 MOSFET 市场的复合年增长率将达到 10.36%。
电动汽车普及率的激增以及对电子解决方案能效的关注推动了市场的发展。
主要细分市场包括高压、低压等类型,以及家用电器、轨道交通、新能源、军工航天、医疗设备等应用。
预计 2026 年 igbt 和超级结 MOSFET 市场价值将达到 93.5 亿美元。
亚太地区在 IGBT 和超级结 MOSFET 产业中占据主导地位。