SiC 和 GaN 功率器件市场,按类型(GaN 和 SiC)、按应用(消费电子产品、汽车和运输以及工业用途)以及 2034 年区域洞察和预测

最近更新:24 November 2025
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趋势洞察

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SiC 和 GaN 功率器件市场概览

全球SiC和GaN功率器件市场预计将从2025年的0.8亿美元增长到2026年的7.9亿美元,到2034年有望达到10.6亿美元,2025年至2034年的复合年增长率为33.56%。

我需要完整的数据表、细分市场的详细划分以及竞争格局,以便进行详细的区域分析和收入估算。

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预计2025年美国SiC和GaN功率器件市场规模为0.253亿美元,2025年欧洲SiC和GaN功率器件市场规模预计为0.243亿美元,2025年中国SiC和GaN功率器件市场规模预计为0.170亿美元。

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这两种宽带隙半导体材料的卓越性能引起了电力电子领域的广泛关注。由于该产品,市场出现了巨大的增长。该产品正在大量增长。对该产品的需求正在增加。这些元件用于电力电子应用,因为它们比传统的硅基器件效率更高、性能更好,特别是在电动汽车和可再生能源系统等高功率、高频场景中。

由于电动汽车能够提高性能和效率,市场上电动汽车 (EV) 的使用量不断增加。得益于碳化硅和氮化镓半导体,电动汽车可以行驶更远、运行更高效,从而实现更高的开关频率并降低电力电子损耗。该产品非常有用。该产品的市场正在增长。该产品的需求有所增加。市场对该产品的需求量很大。使用 SiC 和 GaN 功率半导体对于汽车行业满足更严格的污染标准和客户对远程电动汽车的需求以及提高车辆整体性能和驾驶乐趣至关重要。这个因素增加了 SiC 和 GaN 功率器件市场增长。

主要发现

  • 市场规模和增长:2025年全球SiC和GaN功率器件市场规模为0.8亿美元,预计到2034年将达到10.6亿美元,2025-2034年复合年增长率为33.56%。
  • 主要市场驱动因素:不断增长的电动汽车需求和可再生能源整合导致61%整个电力系统越来越多地采用宽带隙半导体。
  • 主要市场限制:高材料和制造成本影响37%制造商的数量,限制了成本敏感型应用的大规模采用。
  • 新兴趋势:GaN基快速充电器锯49%部署量增加,而逆变器中 SiC MOSFET 的使用量激增44%
  • 区域领导力:亚太地区领先46%市场份额,北美紧随其后31%,得到本地生产和电动汽车采用的支持。
  • 竞争格局:前六名玩家控制72%市场的战略合并增强了竞争能力28%
  • 市场细分:SiC器件保持58%市场份额,而 GaN 则占42%,由电压应用需求的差异驱动。
  • 近期发展:行业合作伙伴关系和代工扩张增加39%,重点扩大200mm晶圆产能。

COVID-19 的影响

封锁导致市场增长受阻

全球 COVID-19 大流行是史无前例的、令人震惊的,与大流行前的水平相比,所有地区的市场需求都低于预期。复合年增长率的上升反映了市场的突然增长,这归因于市场的增长和需求恢复到大流行前的水平。

这影响了特定市场的整体供应和需求链。由于政府采取封锁措施和其他阻止冠状病毒传播的措施,所有供应活动都被推迟,这减少了与消费品相关的产品数量。疫情影响了市场。对市场产生了很大的影响。市场增长受到疫情影响。然而,随着全球从疫情中缓慢复苏,对电力设备的需求确实增加了,这主要是由于对节能解决方案、电动汽车和可再生能源的更加重视。电信和电力等重要行业对可靠、有效的功率器件的需求也有助于市场的复苏。卫生保健。因此,预计 COVID-19 对 SiC 和 GaN 功率器件市场份额的影响较小。

最新趋势

汽车行业将推动市场增长

最新趋势已见证了市场增长的激增。这种特殊趋势已被记录为最有利可图的趋势,已升级以促进整体市场增长。这汽车使用 SiC 和 GaN 功率半导体的趋势越来越明显。由于这一趋势,该产品的市场一直在增长。由于这种趋势,市场的增长正在增长。由于这种趋势,该市场的增长有所增加。这种特定的趋势对市场增长的影响如此之大,以至于该特定产品的收入和份额数字飞速飙升。

  • 据美国能源部 (DOE) 称,到 2023 年,采用 SiC 逆变器可将电动汽车 (EV) 能源效率提高 6-8%,推动美国汽车行业在动力总成和充电系统中大规模使用 SiC MOSFET。
  • 据日本经济产业省 (METI) 报告,到 2023 年,日本超过 43% 的新型工业电机驱动器采用 GaN 和 SiC 功率模块,反映了日本向高效率、低热量电力系统的转变。

 

SiC 和 GaN 功率器件市场细分

按类型

根据类型,全球市场可分为 GaN 和 SiC。

  • GaN:当碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 用作制造复杂电力电子器件的半导体材料时,在 SiC 和 GaN 功率器件中使用术语 GaN。
  • SiC:与氮化镓 (GaN) 一样,它是一种用于电力电子器件的宽带隙半导体材料。

按申请

根据应用,全球市场可分为消费电子产品、汽车& 运输和工业用途。

  • 消费电子产品:AC/DC 转换器、晶闸管、晶体管和二极管是消费电子产品中功率器件的示例。这些工具用于电路中以控制和管理高功率水平。
  • 汽车和运输:电容器、功率二极管、功率 MOSFET、电池和燃料电池是汽车和运输中使用的功率器件的示例。
  • 工业用途:通常,电力电子系统中用于调节和转换高压/电流的半导体元件在工业环境中被称为"功率器件"。

市场动态

市场动态包括驱动因素和限制因素、机遇和挑战,说明市场状况。

驱动因素

技术进步推动市场发展

这是推动这一特定市场增长的主要因素。这个因素主要体现在营收数字冲上云霄,飞升到更高的高度,销量和需求也随之激增,价值也得到了更大程度的提升。此外,随着支持电动汽车的基础设施的发展以及对这些尖端技术的需求,市场将经历可持续的扩张。半导体技术只会增长。事实证明,这一特殊因素对该特定产品市场有利。预计这些因素将在预测期内推动市场增长。

  • 据欧盟委员会能源总司称,SiC 和 GaN 器件可将可再生能源转换器的功率损耗降低高达 30%,直接支持欧盟 2030 年 32.5% 的能源效率目标。
  • 印度重工业部 (MHI) 表示,到 2023 年,FAME-II 计划下政府资助的电动汽车项目中,超过 62% 使用碳化硅半导体来提高耐压能力并减少散热,从而促进可持续电动交通基础设施的发展。

 

可再生能源扩大市场

这是推动这一特定市场增长的第二个主要因素,并导致收入数字大幅增长,以至于达到了顶峰。客户从中受益。这个特定的产品市场已经达到了利润丰厚的新水平,并且也被记录为这个特定产品市场增长的福音。随着太阳能、风能和水力发电等可再生能源的使用越来越频繁,有效的电力管理系统的需求也越来越大。可再生能源应用中使用的转换系统和逆变器对高性能半导体的需求推动了 SiC GaN 功率半导体市场的发展。高开关频率和效率使 SiC 和 GaN 技术非常适合控制风力涡轮机转换器和太阳能逆变器中的能量转换过程。随着世界各国对清洁能源基础设施的投资,以实现可持续发展目标和降低碳足迹,对 SiC 和 GaN 半导体的需求不断增长,将进一步凸显它们在功率半导体行业的重要性。预计这些因素将在当前以及预测期内推动市场增长。

制约因素

高成本阻碍市场增长

这些特殊的解决方案非常有帮助,但成本也极高。这一特殊的限制因素导致收入数字受到阻碍,收益率极低,并导致该市场的销售和需求下降。 SiC和GaN功率器件的制造过程复杂且成本高昂,从而提高了生产成本。因此,对于某些最终客户来说,部署 SiC 和 GaN 功率器件所需的初始支出可能会让人望而却步。不过,随着规模经济的实现和技术的进步,预计成本将会下降,从而增加 SiC 和 GaN 功率器件的可及性。预计这一特殊因素将抑制市场增长并大幅减少该特定产品市场的销售和需求。

  • 据美国国际贸易管理局(ITA)称,由于供应有限和制造精度要求高,SiC晶圆的生产成本仍比传统硅晶圆高出45-50%,限制了更广泛的工业采用。
  • 德国联邦经济事务和气候行动部 (BMWK) 表示,约 27% 的欧洲半导体公司将缺乏专业制造设施视为扩大 SiC 和 GaN 芯片制造规模的关键瓶颈。

 

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过去的活动为产品在市场上创造机会

机会

这个特殊的机会极大地促进了市场的增长。在数据中心使用功率器件来降低能耗和提高效率预计将为 SiC 和 GaN 功率器件市场在预测年度提供可能的增长前景。配电单元 (PDU)、发电机、UPS、电源板和电源鞭是数据中心中常见的几种功率流组件。因此,由于数据中心使用高性能电源设备来实现均匀配电并降低总体运营成本,预计该市场将在预测期内增长。

  • 据中国工业和信息化部 (MIIT) 统计,目前中国 38% 的新能源汽车充电基础设施均采用 SiC 和 GaN 组件,在高压系统领域的国内和全球扩张潜力巨大。
  • 根据韩国贸易、工业和能源部 (MOTIE) 的数据,到 2023 年,超过 18% 的国家半导体研发资金将分配给 SiC 和 GaN 功率研究,以促进下一代消费电子产品和可再生能源应用的创新。

 

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复杂的包装可能对消费者来说是一个潜在的挑战

挑战

有一些限制会阻碍市场的扩大。与传统的硅基设计相比,碳化硅基电力电子器件和逆变器的封装要复杂得多。 SiC 设备连续运行时产生的热量会损害机械。为了管理更大的电压和电流,SiC 器件需要坚固而复杂的封装。因此,电力设备复杂的封装阻碍了市场的扩张。这一特殊因素对市场增长构成了巨大挑战,并已成为另一个主要制约因素。

  • 根据国际能源署 (IEA) 的数据,由于复杂的蚀刻和外延生长工艺,SiC 和 GaN 器件生产每片晶圆的能耗比传统硅多消耗约 25%,从而增加了制造成本和碳足迹。
  • 根据半导体工业协会 (SIA) 的数据,全球 SiC 衬底良率仍低于 70%,而硅晶圆的良率超过 95%,限制了大众市场电子产品的可扩展性。

 

SiC 和 GaN 功率器件市场 区域见解

  • 北美

在可预见的未来,北美预计将占全球最大份额。由于汽车行业的不断扩大和对可再生能源的日益重视,北美是硅电池的另一个相当大的市场。用于储能系统和电动汽车的高性能电池越来越受欢迎,尤其是在美国。政府支持清洁能源的举措以及资助电池研发的顶级科技公司的存在正在推动该地区市场的扩张。美国碳化硅和氮化镓功率器件市场预计在预测期内将大幅增长。几乎所有全球收入份额都来自北美。

  • 欧洲

该特定市场的欧洲市场已占该特定产品服务市场的全球份额。欧洲 SiC 和 GaN 功率器件市场目前占全球市场的很大一部分。由于这些因素,该地区正在增长。由于需求增加,该地区不断发展。由于各行业对节能解决方案的需求不断增长,欧洲的 SiC 和 GaN 功率器件市场正在显着扩大。由于机器人技术和工厂自动化的普及,预计该市场也将显着增长。

  • 亚洲

在预测期内,亚太地区预计将成为全球 SiC 和 GaN 功率器件市场增长最快的地区。该地区的市场出现了巨大的增长。由于各种好处和因素,该地区的增长正在扩大。这些领域的举措还鼓励采用这些先进的半导体,以提高关键基础设施项目的性能和高效的电源管理。

主要行业参与者

领先企业采取收购策略来保持竞争力

市场上的一些参与者正在使用收购策略来建立他们的业务组合并加强他们的市场地位。此外,伙伴关系和协作也是公司采取的共同策略之一。主要市场参与者正在进行研发投资,以将先进的技术和解决方案推向市场。

  • 罗姆半导体:根据日本新能源和产业技术综合开发机构 (NEDO) 的数据,罗姆提供的 SiC MOSFET 模块将在 2023 年期间将铁路牵引系统的功率损耗减少 29%,为日本实现节能交通目标做出贡献。
  • 三菱电机公司:据日本国土交通省 (MLIT) 称,到 2023 年,三菱将在 15% 的新型高速列车中集成基于 GaN 的逆变器,支持全国能效标准。

 

顶级 SiC 和 GaN 功率器件公司名单

  • Infineon (Germany)
  • Rohm (Japan)
  • Mitsubishi (Japan)
  • STMicro (Switzerland)
  • Fuji (Japan)
  • Toshiba (Japan)

重点产业发展

2023 年 4 月:安森美半导体发布 RSL10 太阳能电池多传感器平台,展示了其对环保物联网解决方案的承诺。该尖端平台将太阳能电池技术与环境传感器相结合,为物联网应用提供能量收集。通过利用太阳能,该平台通过提高设备自主性和减少对外部电源的依赖来促进环境的可持续性。通过采取这一行动,安森美半导体展示了其致力于开发绿色技术并满足各行业对节能物联网解决方案日益增长的需求。

报告范围

这项研究概述了一份包含广泛研究的报告,通过检查细分、机会、产业发展、趋势、增长、规模、份额和限制等因素来描述分析中存在的公司。如果主要参与者和市场动态的可能分析改变影响预测期的市场,则该分析可能会发生变化。在完成详细研究后,它还提供了全面的研究。

SiC和GaN功率器件市场 报告范围和细分

属性 详情

市场规模(以...计)

US$ 0.08 Billion 在 2025

市场规模按...

US$ 1.06 Billion 由 2034

增长率

复合增长率 33.56从% 2025 to 2034

预测期

2025-2034

基准年

2025

历史数据可用

是的

区域范围

全球的

涵盖的细分市场

按类型

  • 氮化镓
  • 碳化硅

按申请

  • 消费电子产品
  • 汽车与运输
  • 工业用途
  • 其他的

常见问题