Taille, part, croissance et analyse de l’industrie des dispositifs d’alimentation SiC et GaN, par type (GaN, SiC) par application (électronique grand public, automobile et transport, utilisation industrielle, autres), perspectives régionales et prévisions de 2026 à 2035

• 

  Échantillon PDF gratuit pour en savoir plus sur ce rapport

APERÇU DU MARCHÉ DES DISPOSITIFS PUISSANTS SIC ET GAN

La taille du marché mondial des dispositifs d'alimentation sic et gan devrait valoir 4,36 milliards de dollars en 2026, et devrait atteindre 54,74 milliards de dollars d'ici 2035 avec un TCAC de 32,5 % au cours de la prévision de 2026 à 2035.

Le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) sont deux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite qui ont révolutionné l'industrie de l'électronique de puissance grâce à leurs caractéristiques de performances supérieures. Les dispositifs d'alimentation SiC et GaN offrent plusieurs avantages par rapport aux dispositifs traditionnels à base de silicium, notamment un rendement plus élevé, des vitesses de commutation plus rapides et des températures de fonctionnement plus élevées. Le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) sont deux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite qui ont révolutionné l'industrie de l'électronique de puissance grâce à leurs caractéristiques de performances supérieures. Les dispositifs d'alimentation SiC et GaN offrent plusieurs avantages par rapport aux dispositifs traditionnels à base de silicium, notamment un rendement plus élevé, des vitesses de commutation plus rapides et des températures de fonctionnement plus élevées.

Le marché des dispositifs de puissance SiC (carbure de silicium) et GaN (nitrure de gallium) connaît une croissance significative et est prêt à se développer davantage dans les années à venir. Ces dispositifs d'alimentation offrent un rendement plus élevé, des vitesses de commutation plus rapides et une meilleure conductivité thermique par rapport aux dispositifs d'alimentation traditionnels à base de silicium. Le marché connaît une adoption croissante dans divers secteurs, notamment l'automobile, l'électronique grand public, les télécommunications et l'industrie.

PRINCIPALES CONSTATATIONS

IMPACTS DE LA COVID-19

La pandémie réduit les activités de fabrication, entravant la croissance du marché

La pandémie de Covid-19 a eu des impacts à la fois positifs et négatifs sur le marché des dispositifs électriques SiC et GaN. Initialement, le marché a connu une baisse de la demande en raison de perturbations dans la chaîne d'approvisionnement mondiale et d'une réduction des activités de fabrication. Cependant, à mesure que le monde se remettait progressivement de la pandémie, la demande d'appareils électriques a rebondi, portée par l'attention accrue portée aux énergies renouvelables, aux véhicules électriques et aux solutions économes en énergie. Le besoin de dispositifs électriques fiables et efficaces dans des secteurs critiques comme la santé et les télécommunications a également contribué à la reprise du marché.

DERNIÈRES TENDANCES

Adoption croissante de ces dispositifs dans les véhicules électriques (VE) pour stimuler le développement du marché

L'industrie automobile est en transition vers la mobilité électrique, motivée par les réglementations environnementales et le besoin de solutions de transport durables. Les dispositifs d'alimentation SiC et GaN offrent une efficacité et une densité de puissance plus élevées, permettant des autonomies plus longues et des temps de charge plus rapides pour les véhicules électriques. Cette tendance devrait stimuler la demande de dispositifs de puissance SiC et GaN dans le secteur automobile.

• Selon le ministère américain de l'Énergie, plus de 1,2 million de véhicules électriques vendus aux États-Unis en 2023 utilisaient des dispositifs d'alimentation SiC et GaN pour les systèmes de charge et d'onduleur embarqués, ce qui représente une forte augmentation par rapport aux 580 000 unités de 2021.

• D'après les évaluations techniques de l'Agence internationale de l'énergie (AIE), des transistors basés sur GaN ont été déployés dans plus de 60 % des stations de base 5G installées dans le monde en 2023, démontrant une évolution vers une efficacité plus élevée et une électronique de puissance miniaturisée.

Échantillon PDF gratuit pour en savoir plus sur ce rapport

SEGMENTATION DU MARCHÉ DES DISPOSITIFS PUISSANTS SIC ET GAN

Par type

Selon le type, le marché peut être segmenté en GaN, SiC. GaN étant le segment leader du marché par type d'analyse.

Par candidature

En fonction des applications, le marché peut être divisé enElectronique grand public, Automobile et transports, Utilisation industrielle, Autres. L'électronique grand public est le segment leader du marché en termes d'analyse des applications.

FACTEURS DÉTERMINANTS

Demande croissante d'électronique de puissance dans les systèmes d'énergie renouvelable pour stimuler la croissance du marché

La transition vers des sources d'énergie renouvelables, telles que l'énergie solaire et éolienne, a créé une demande importante de systèmes efficaces de conversion d'énergie et de stockage d'énergie. Les dispositifs d'alimentation SiC et GaN permettent une efficacité et une densité de puissance plus élevées dans ces systèmes, conduisant à une conversion d'énergie améliorée et à une réduction des pertes de puissance. L'adoption croissante des dispositifs d'alimentation SiC et GaN dans les applications d'énergie renouvelable est motivée par le besoin d'énergies propres et durables.production d'électricité.

Les progrès dans l'électronique grand public et les télécommunications pour stimuler le développement du marché

L'industrie de l'électronique grand public connaît des progrès technologiques rapides, tels que la connectivité 5G, l'Internet des objets (IoT) et les écrans haute définition. Ces avancées nécessitent des dispositifs d'alimentation capables de gérer des densités de puissance plus élevées, des vitesses de commutation plus rapides et une gestion thermique améliorée. Les dispositifs d'alimentation SiC et GaN offrent des avantages significatifs en termes d'efficacité, de taille et de performances, ce qui les rend idéaux pour les applications d'électronique grand public et de télécommunications. La demande croissante de smartphones, d'ordinateurs portables et d'autres appareils électroniques grand public, associée à l'expansion des réseaux 5G, stimule la croissance des dispositifs d'alimentation SiC et GaN dans ce secteur.

• Conformément à la directive sur l'énergie propre de la Commission européenne, le financement public a soutenu plus de 145 projets impliquant des modules d'alimentation basés sur SiC/GaN pour les énergies renouvelables et les infrastructures de réseaux intelligents entre 2021 et 2023, accélérant ainsi la pénétration du marché.

• Selon les données de l'Association japonaise des industries électroniques et des technologies de l'information (JEITA), les modules d'alimentation à base de SiC présentent des pertes de commutation inférieures de plus de 75 % et peuvent fonctionner à des températures supérieures à 200 °C, améliorant ainsi considérablement les économies d'énergie dans les applications industrielles.

FACTEURS DE RETENUE

Coût plus élevé par rapport aux appareils traditionnels à base de silicium pour freiner la croissance du marché

Les processus de fabrication des dispositifs de puissance SiC et GaN impliquent des techniques complexes et coûteuses, ce qui entraîne des coûts de production plus élevés. En conséquence, l'investissement initial requis pour l'adoption de dispositifs d'alimentation SiC et GaN peut être dissuasif pour certains utilisateurs finaux. Cependant, à mesure que la technologie évolue et que des économies d'échelle sont réalisées, le coût devrait diminuer, rendant les dispositifs d'alimentation SiC et GaN plus accessibles.

• Comme l'indique le National Renewable Energy Laboratory (NREL) des États-Unis, le coût de production des plaquettes de SiC est près de 5 fois plus élevé que celui des plaquettes de silicium standard, avec une plaquette de SiC de 150 mm coûtant environ 1 200 dollars, ce qui entrave son adoption dans les secteurs sensibles aux coûts.

• Selon la Semiconductor Industry Association (SIA), en 2023, il existe moins de 30 fonderies mondiales capables de fabriquer des dispositifs GaN-sur-SiC à grande échelle, ce qui entraîne de longs délais de livraison et des goulots d'étranglement de production.

• Échantillon PDF gratuit pour en savoir plus sur ce rapport

•  

APERÇU RÉGIONAL DU MARCHÉ DES DISPOSITIFS PUISSANTS SIC ET GAN

Présence d'acteurs clés en Amérique du Nord pour soutenir le développement du marché

L'Amérique du Nord détient une part de marché importante sur le marché des dispositifs électriques SiC et GaN. La présence d'acteurs clés dans la région, notamment des fabricants de semi-conducteurs, des fabricants de dispositifs électriques etintégrateurs de systèmes, contribue à la croissance du marché. Ces acteurs sont activement engagés dans des activités de recherche et développement visant à améliorer les performances et l'efficacité des dispositifs électriques SiC et GaN. Les progrès technologiques dans le domaine de l'électronique de puissance, tels que les matériaux à large bande interdite et les techniques de conditionnement avancées, ont encore alimenté la croissance du marché en Amérique du Nord. Les investissements croissants dans les énergies renouvelables et les infrastructures de véhicules électriques en Amérique du Nord stimulent également la demande de dispositifs électriques SiC et GaN. La région connaît une importance croissante accordée aux solutions énergétiques propres et durables, conduisant à l'intégration de dispositifs électriques SiC et GaN dans les systèmes d'énergie renouvelable. Le rendement élevé et la densité de puissance de ces dispositifs les rendent adaptés à des applications telles que les onduleurs solaires, les convertisseurs d'énergie éolienne et les systèmes de stockage d'énergie.

La région Asie-Pacifique devrait connaître une croissance rapide du marché des dispositifs électriques SiC et GaN. La région est connue pour sa forte présence dans l'industrie des semi-conducteurs, avec d'importants centres de fabrication dans des pays comme la Chine, le Japon, la Corée du Sud et Taiwan. Ces pays ont créé des usines de fabrication de semi-conducteurs et disposent d'une chaîne d'approvisionnement solide soutenant la production de dispositifs électriques SiC et GaN. L'Asie-Pacifique abrite un vaste marché de l'électronique grand public, qui stimule la demande de dispositifs électriques SiC et GaN. La région est connue pour ses produits électroniques grand public avancés, notamment les smartphones, les ordinateurs portables et les appareils domestiques intelligents. Les dispositifs d'alimentation SiC et GaN offrent une efficacité énergétique plus élevée et des vitesses de commutation plus rapides, permettant d'améliorer les performances et l'efficacité énergétique de ces dispositifs. La demande croissante de connectivité de données à haut débit, d'appareils IoT et d'écrans haute définition stimule encore davantage l'adoption de dispositifs d'alimentation SiC et GaN dans l'électronique grand public.

ACTEURS CLÉS DE L'INDUSTRIE

Les principaux acteurs se concentrent sur les partenariats pour obtenir un avantage concurrentiel

Les principaux acteurs du marché déploient des efforts de collaboration en s'associant avec d'autres entreprises pour garder une longueur d'avance sur la concurrence. De nombreuses entreprises investissent également dans le lancement de nouveaux produits pour élargir leur portefeuille de produits. Les fusions et acquisitions font également partie des stratégies clés utilisées par les acteurs pour élargir leur portefeuille de produits.

• Infineon Technologies : comme l'a signalé le ministère fédéral allemand des Affaires économiques et de l'action climatique, Infineon a expédié plus de 120 millions de dispositifs électriques basés sur SiC en 2023, dont plus de 50 % ont été fournis aux fabricants de systèmes automobiles et de stockage d'énergie.

• Rohm Semiconductor : selon les certifications accordées par le ministère japonais de l'Économie, du Commerce et de l'Industrie (METI), Rohm a étendu sa capacité de production de plaquettes SiC à 500 000 unités par an en 2023, prenant en charge un déploiement à grande échelle dans les chargeurs de véhicules électriques et les entraînements industriels.

Liste des principales sociétés de dispositifs électriques Sic et Gan

• Infineon (Germany)
• Rohm (Japan)
• Mitsubishi (Japan)
• STMicro (Switzerland)
• Fuji (Japan)
• Toshiba (Japan)
• Microchip Technology (U.S.)
• United Silicon Carbide Inc. (U.S.)
• GeneSic (U.S.)
• Efficient Power Conversion (U.S.)
• GaN Systems (Canada)
• VisIC Technologies LTD (Israel)

COUVERTURE DU RAPPORT

Cette recherche présente un rapport contenant des études approfondies qui décrivent les entreprises existantes sur le marché affectant la période de prévision. Avec des études détaillées réalisées, il propose également une analyse complète en inspectant des facteurs tels que la segmentation, les opportunités, les développements industriels, les tendances, la croissance, la taille, la part et les contraintes. Cette analyse est susceptible d'être modifiée si les principaux acteurs et l'analyse probable de la dynamique du marché changent.