GAN zu Marktgröße, Anteil, Wachstum und Branchenanalyse für Siliziumtechnologie nach Typ (50 mm, 100 mm, 150 mm und 200 mm), nach Anwendung (Unterhaltungselektronik, IT und Telekommunikation, Automobil, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung und andere), regionalen Einblicken und Prognosen von 2026 bis 2035

Zuletzt aktualisiert:26 January 2026
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GAN ÜBER SILIKONTECHNOLOGIE-MARKTÜBERBLICK

Der globale GAN-Markt für Siliziumtechnologie wird im Jahr 2026 schätzungsweise 0,02 Milliarden US-Dollar wert sein. Bis 2035 wird der Markt voraussichtlich 0,07 Milliarden US-Dollar erreichen und von 2026 bis 2035 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 11,2 % wachsen. Asien-Pazifik dominiert mit einem Anteil von ca. 50–55 %, angetrieben durch Halbleiterfabriken, während Nordamerika ca. 25–30 % hält.

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In der Marktstudie haben unsere Analysten GAN auf Siliziumtechnologieunternehmen wie NXP Semiconductor, GaN Systems, Panasonic Corporation, Fujitsu Semiconductor, Transphorm Inc., Texas Instruments, Qorvo, Inc., OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Infineon Technologies AG und Cree, Inc. untersucht. 

GAN auf Silizium-Technologie ist ein sehr harter, mechanisch stabiler Halbleiter mit großer Bandlücke. Das Produkt verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine höhere Durchschlagsfestigkeit, eine schnellere Schaltgeschwindigkeit und einen geringeren Einschaltwiderstand, und auf GAN basierende Leistungsgeräte übertreffen Geräte auf Siliziumbasis deutlich.

Das Marktwachstum ist auf die schnelle Innovation und Entwicklung bei den Endbenutzern und den wachsenden Fokus auf die Verbesserung bestehender Produktportfolios zurückzuführen. Es wird erwartet, dass die zunehmende Entwicklung im Elektroniksektor und die zunehmende Industrialisierung das Marktwachstum beschleunigen werden. Es wird geschätzt, dass die Zunahme der Marktteilnehmer und die enorme Entwicklung der Branchenanwendungen den Marktfortschritt beschleunigen werden. Darüber hinaus wird erwartet, dass die steigende Nachfrage aus dem Automobilsektor und der enorme Bedarf an Smartwatches, Tablets, Smartphones und anderen Elektroprodukten die Technologieakzeptanz fördern werden. Darüber hinaus wird geschätzt, dass die hohe Akzeptanzrate von Mikrochips und mehreren Roboteranwendungen das Marktwachstum in den kommenden Jahren vorantreiben wird. Es wird erwartet, dass der verstärkte Einsatz der Siliziumtechnologie den Marktfortschritt vorantreiben wird. Es wird erwartet, dass die zunehmende Entwicklung bei elektronischen Geräten wie Halbleitern, Transistoren, Leiterplatten, integrierten Schaltkreisen und anderen in den kommenden Jahren den Marktfortschritt beschleunigen wird. Im Gegenteil wird erwartet, dass mangelnde Innovation und eine begrenzte Anzahl von Branchen das Marktwachstum in den kommenden Jahren behindern werden. Darüber hinaus wird erwartet, dass die Energieeffizienz das Marktwachstum in den kommenden Jahren begrenzen wird.

WICHTIGSTE ERKENNTNISSE

  • Marktgröße und Wachstum: Die Größe des globalen GAN-Marktes für Siliziumtechnologie wird im Jahr 2026 auf 0,02 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2035 voraussichtlich 0,07 Milliarden US-Dollar erreichen, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 11,2 % von 2026 bis 2035.
  • Wichtigster Markttreiber:Die steigende Nachfrage nach Leistungselektronik wuchs mit63 %Einführung in Automobilanwendungen und51 %in der Unterhaltungselektronikbranche.
  • Große Marktbeschränkung:Eine hohe Defektdichte stellte die Skalierbarkeit in Frage36 %Hersteller meldeten Ertragsprobleme und29 %waren mit Einschränkungen bei der Waferverarbeitung konfrontiert.
  • Neue Trends:Die Einführung von 200-mm-Wafern wurde beschleunigt42 %Wachstum im Jahr 2024, daneben31 %Investition in fortschrittliche HF-Geräte.
  • Regionale Führung:Asien-Pazifik dominiert mit46 %Anteil, gefolgt von Nordamerika bei33 %, angetrieben durch die Expansion der Halbleiter- und Elektrofahrzeugindustrie.
  • Wettbewerbslandschaft:Wichtige Anbieter gehalten49 %Marktanteil, mit27 %mit Schwerpunkt auf Forschung und Entwicklung und21 %Ausbau globaler Gießereipartnerschaften.
  • Marktsegmentierung:150 mm Wafer geführt bei47 %, 100 mm gehalten28 %, 200 mm wuchs auf19 %, und 50 mm umfasst6 %.
  • Aktuelle Entwicklung:Im Jahr 202425 %Unternehmen brachten fortschrittliche GAN RF-Geräte auf den Markt18 %erweiterte Pilotproduktion für 200-mm-Wafer.

AUSWIRKUNGEN VON COVID-19

Branchenschließungen führen zu einem Rückgang des Marktes

Die globale COVID-19-Pandemie war beispiellos und erschütternd, da der Markt im Vergleich zum Niveau vor der Pandemie in allen Regionen eine geringere Nachfrage als erwartet verzeichnete. Der plötzliche Anstieg der CAGR ist auf das Wachstum des Marktes und die Rückkehr der Nachfrage auf das Niveau vor der Pandemie zurückzuführen, sobald die Pandemie vorbei ist.

Die plötzliche Ausbreitung der COVID-19-Pandemie verringerte den Marktfortschritt. Geringere Produktionsaktivitäten und Schließung des Endverbrauchersektors beeinträchtigen das Marktwachstum. Darüber hinaus behindern der Mangel an Arbeitskräften und Reiseverbote die Import- und Exportaktivitäten. Diese Faktoren führten zu einem verringerten Marktwachstum während der Pandemie.  

NEUESTE TRENDS

Rasante Entwicklung im Automobilsektor treibt den Marktfortschritt voran

Es wird erwartet, dass die verstärkte Entwicklung im Automobilsektor und die wachsende Nachfrage nach Effizienzsteigerungen im Automobilsektor das Marktwachstum vorantreiben werden. Wachsendes Bewusstsein für die Anwendung von GAN auf die Siliziumtechnologie im Automobilsektor. Es wird erwartet, dass die schnelle Innovation bei Elektrofahrzeugen und die Ausweitung des Automobilsektors das Marktwachstum in den kommenden Jahren ankurbeln werden. Aufgrund der gestiegenen Nachfrage nach Elektro- und Hybridfahrzeugen auf der ganzen Welt wird erwartet, dass der Markt in den kommenden Jahren ein potenzielles Wachstum verzeichnen wird.

  • Nach Angaben des US-Energieministeriums (DOE) kann GaN-basierte Leistungselektronik mit bis zu 60 % höheren Schaltfrequenzen arbeiten, was eine effizientere Umwandlung von Sonnenenergie in Elektrizität ermöglicht und den Energieverlust um 25 % reduziert.
  • Nach Angaben der Federal Communications Commission (FCC) ist der Einsatz der GaN-Technologie in 5G-Basisstationen in den letzten zwei Jahren um 40 % gestiegen, wodurch die Signalabdeckung in städtischen Gebieten um 30 % verbessert wurde.

GAN ÜBER DIE MARKTSEGMENTIERUNG DER SILIKONTECHNOLOGIE

Nach Typ

Je nach Typ wird der Markt in 50 mm, 100 mm, 150 mm und 200 mm unterteilt.

100 mm werden voraussichtlich der obere Teil der Typsegmentierung sein.

Auf Antrag

Basierend auf der Anwendung wird der Markt in Unterhaltungselektronik, IT und Telekommunikation, Automobil, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung und andere unterteilt.

Es wird erwartet, dass die Unterhaltungselektronik den obersten Teil der Anwendungssegmentierung ausmacht.

FAHRFAKTOREN

Wachsendes Bewusstsein für die Eigenschaften und Anwendungen von GAN auf der Siliziumtechnologie zur Beschleunigung des Marktwachstums

Das gestiegene Bewusstsein für die Eigenschaften und Anwendungen der Geräte wie höhere Schaltgeschwindigkeit, höhere Durchschlagsfestigkeit, höhere Temperaturleitfähigkeit und geringerer Widerstand. GAN gilt als Leistungshalbleiter der kommenden Jahrzehnte. Das Produkt ist leistungsfähig genug, um einen hohen Reifegrad zu erreichen, und es wird erwartet, dass seine bessere Leistungstechnologie das Marktwachstum in den kommenden Jahren ankurbeln wird. Es wird erwartet, dass die enormen Investitionen wichtiger Akteure und die schnelle Entwicklung der Branchen das Marktwachstum ankurbeln werden. Darüber hinaus dürften verbesserte Leistungseigenschaften und laufende Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten das Marktwachstum ankurbeln. Bei der Technologie handelt es sich um einen sehr harten, mechanisch stabilen Halbleiter mit großer Bandlücke. Das Produkt verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine höhere Durchschlagsfestigkeit, eine schnellere Schaltgeschwindigkeit und einen geringeren Einschaltwiderstand, und auf GAN basierende Leistungsgeräte übertreffen Geräte auf Siliziumbasis deutlich. Es wird erwartet, dass diese fortschrittlichen Funktionen des Produkts das Marktwachstum in den kommenden Jahren vorantreiben werden.

  • Die Internationale Energieagentur (IEA) berichtet, dass Leistungselektronik mit GaN den Energieverbrauch in Elektrofahrzeugen und industriellen Motorantrieben um bis zu 35 % senkt.
  • Nach Angaben des US-Energieministeriums (DOE) umfassen mittlerweile 50 % der staatlich finanzierten Halbleiterforschungsprogramme GaN-basierte Geräte für sauberere Transport- und Industrieanwendungen.

Schnelle Technologieentwicklung zur Förderung des Marktwachstums

Es wird erwartet, dass der erhöhte Bedarf zur Verbesserung der Technologieeffizienz das Marktwachstum ankurbeln wird. Schnelle Innovation und Weiterentwicklung bei Endbenutzern und wachsender Fokus auf die Verbesserung bestehender Produktportfolios. Es wird erwartet, dass die zunehmende Entwicklung im Elektroniksektor und die zunehmende Industrialisierung das Marktwachstum beschleunigen werden. Es wird geschätzt, dass die Zunahme der Marktteilnehmer und die enorme Entwicklung der Branchenanwendungen den Marktfortschritt beschleunigen werden. Darüber hinaus wird erwartet, dass die steigende Nachfrage aus dem Automobilsektor und der enorme Bedarf an Smartwatches, Tablets, Smartphones und anderen Elektroprodukten die Technologieakzeptanz fördern werden. Darüber hinaus wird geschätzt, dass die hohe Akzeptanzrate von Mikrochips und mehreren Roboteranwendungen das Marktwachstum in den kommenden Jahren vorantreiben wird. Es wird erwartet, dass der verstärkte Einsatz der Siliziumtechnologie den Marktfortschritt vorantreiben wird. Es wird erwartet, dass die zunehmende Entwicklung bei elektronischen Geräten wie Halbleitern, Transistoren, Leiterplatten, integrierten Schaltkreisen und anderen in den kommenden Jahren den Fortschritt auf dem Markt für Siliziumtechnologie vorantreiben wird.

EINHALTENDE FAKTOREN

Mangelnde Innovation und eine begrenzte Anzahl von Branchen behindern den Marktfortschritt

Der Mangel an Innovation und die begrenzte Anzahl an Branchen dürften das Marktwachstum in den kommenden Jahren behindern. Darüber hinaus wird erwartet, dass die Energieeffizienz das Marktwachstum in den kommenden Jahren begrenzen wird.

  • Das US-Handelsministerium weist darauf hin, dass 45 % der produzierten GaN-Wafer aufgrund von Mängeln aussortiert werden, was die Produktionskosten für High-End-Anwendungen deutlich erhöht.
  • Nach Angaben des National Institute of Standards and Technology (NIST) haben 38 % der GaN-Geräte Probleme mit dem Wärmemanagement, die die Leistungszuverlässigkeit bei Hochfrequenzanwendungen um 20 % verringern können.

GAN ÜBER REGIONALE EINBLICKE IN DEN SILIKONTECHNOLOGIEMARKT

Wachsende Nutzung von Unterhaltungselektronik und schnelle Digitalisierung in Nordamerika zur Steigerung des Marktanteils

Es wird erwartet, dass Nordamerika aufgrund der steigenden Nachfrage nach fortschrittlicher Technologie einen erheblichen GAN-Marktanteil im Bereich der Siliziumtechnologie halten wird. Steigende Nutzung von Unterhaltungselektronik aufgrund des zunehmenden Trends zur Digitalisierung und des großen Bedarfs an Unterhaltungselektronikprodukten wie Laptops, Fernsehern, Smartphones und anderen. Auch die Verbreitung leistungselektronischer Anwendungen wie Wechselstrom zu Gleichstrom oder Gleichstrom zu Wechselstrom ist enorm. Es wird erwartet, dass die Präsenz mehrerer Marktteilnehmer und die zunehmende Industrialisierung das Marktwachstum ankurbeln werden. Darüber hinaus wird erwartet, dass die steigende Nachfrage aus dem Automobilsektor und der enorme Bedarf an Smartwatches, Tablets, Smartphones und anderen Elektroprodukten die Technologieakzeptanz fördern werden. Darüber hinaus wird geschätzt, dass die hohe Akzeptanzrate von Mikrochips und mehreren Roboteranwendungen das Marktwachstum in den kommenden Jahren vorantreiben wird. Es wird erwartet, dass der verstärkte Einsatz der Siliziumtechnologie den Marktfortschritt vorantreiben wird. Es wird erwartet, dass die zunehmende Entwicklung bei elektronischen Geräten wie Halbleitern, Transistoren, Leiterplatten, integrierten Schaltkreisen und anderen in den kommenden Jahren den Marktfortschritt beschleunigen wird.

WICHTIGSTE INDUSTRIE-AKTEURE

Führende Akteure verfolgen neue Strategien, um wettbewerbsfähig zu bleiben

Der Bericht enthält Informationen über die Liste der Marktteilnehmer und ihre neuesten Entwicklungen in der Branche. Die Informationen umfassen Fusionen, Partnerschaften, Übernahmen, technologische Entwicklungen und Produktionslinien. Weitere für diesen Markt untersuchte Aspekte umfassen eine umfassende Untersuchung von Unternehmen, die die neuesten Produkte herstellen und einführen, der Regionen, in denen sie tätig sind, der Automatisierung, der Technologieeinführung, der Erzielung des höchsten Umsatzes und der Möglichkeit, mit ihren Produkten einen Unterschied zu machen.

  • NXP Semiconductors: Unterstützung für Airfast-Multichip-Module von NXPmehr als 60 %der Frequenzbänder, die in aktuellen 5G-Implementierungen verwendet werden, und verbessert so die Netzwerkeffizienz um28 %.
  • Panasonic Corporation: Panasonics GaN-Transistoren mit isoliertem Gate erhöhen die Betriebsstabilität um40 %, ermöglichen30 %kleinere Geräte-Footprints.

Liste der Top-GAN-Unternehmen für Siliziumtechnologie

  • NXP Semiconductor
  • GaN Systems
  • Panasonic Corporation
  • Fujitsu Semiconductor
  • Transphorm Inc.
  • Texas Instruments
  • Qorvo, Inc.
  • OSRAM Opto Semiconductors GmbH
  • Infineon Technologies AG
  • Cree, Inc.

BERICHTSBEREICH

Bei dieser Untersuchung handelt es sich um einen Bericht mit allgemeinen Studien, in denen die auf dem Markt vorhandenen Unternehmen erläutert werden, die sich auf den Prognosezeitraum auswirken. Mit detaillierten Studien bietet es auch eine umfassende Analyse, indem Faktoren wie Segmentierung, Chancen, industrielle Entwicklungen, Trends, Wachstum, Größe, Marktanteil, Beschränkungen und andere untersucht werden. Diese Analyse kann geändert werden, wenn sich die Hauptakteure und die wahrscheinliche Analyse der Marktdynamik ändern.

GAN auf dem Siliziumtechnologiemarkt Berichtsumfang und Segmentierung

Attribute Details

Marktgröße in

US$ 0.02 Billion in 2026

Marktgröße nach

US$ 0.07 Billion nach 2035

Wachstumsrate

CAGR von 11.2% von 2026 to 2035

Prognosezeitraum

2026 - 2035

Basisjahr

2025

Verfügbare historische Daten

Ja

Regionale Abdeckung

Global

Abgedeckte Segmente

Nach Typ

  • 50 mm
  • 100 mm
  • 150 mm
  • 200 mm

Auf Antrag

  • Unterhaltungselektronik
  • IT und Telekommunikation
  • Automobil
  • Luft- und Raumfahrt und Verteidigung
  • Andere

FAQs

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